靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備（PDA、DSC、藍(lán)牙）、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。注意事項(xiàng)編輯 播報(bào)1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測(cè)試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設(shè)計(jì)時(shí)考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說(shuō)過(guò)一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬(wàn)不得已不要增加多余的器件，每增加一個(gè)，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時(shí)盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。ESD靜電保護(hù)元件在選型時(shí)應(yīng)注意其封裝，電容，靜電防護(hù)等級(jí)等參數(shù)。甘肅貼片ESD保護(hù)元件廠家
ESD策略，ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護(hù)器件的ESD脈沖能量比較低，同時(shí)要求防護(hù)電路對(duì)正常工作信號(hào)的損耗和失真**小。因此設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路的基本指導(dǎo)思想是:對(duì)ESD信號(hào)來(lái)說(shuō)，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對(duì)工作信號(hào)來(lái)說(shuō)，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護(hù)器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開關(guān)二極管等。青海低電容ESD保護(hù)元件電容MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。
靜電ESD保護(hù)元件選型注意事項(xiàng)：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測(cè)試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計(jì)時(shí)考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說(shuō)過(guò)一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬(wàn)不得已不要增加多余的器件，每增加一個(gè)，就是增加失效風(fēng)險(xiǎn)，保護(hù)的器件也不例外。ESD器件作為保護(hù)器件，它也有失效益機(jī)率，所以設(shè)計(jì)選型時(shí)盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。
MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。ESD靜電保護(hù)元件一般為硅基材料器件，相應(yīng)速度可做到ps級(jí)。
ESD保護(hù),在將電纜移去或連接到網(wǎng)絡(luò)分析儀上時(shí)，防止靜電放電（ESD）是十分重要的。靜電可以在您的身體上形成且在放電時(shí)很容易損壞靈敏的內(nèi)部電路元件。一次太小以致不能感覺出的靜電放電可能造成長(zhǎng)久性損壞。為了防止損壞儀器，應(yīng)采取以下措施：1、保證環(huán)境濕度。2、鋪設(shè)防靜電地板或地毯。3、使用離子風(fēng)槍、離子頭、離子棒等設(shè)施，使在一定范圍內(nèi)防止靜電產(chǎn)生。4、半導(dǎo)體器件應(yīng)盛放在防靜電塑料盛器或防靜電塑料袋中,這種防靜電盛器有良好導(dǎo)電性能,能有效防止靜電的產(chǎn)生。當(dāng)然,有條件的應(yīng)盛放在金屬盛器內(nèi)或用金屬箔包裝。5、操作人員應(yīng)在手腕上帶防靜電手帶,這種手帶應(yīng)有良好的接地性能,這種措施**為有效。ESD靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。甘肅SIM卡ESD保護(hù)元件電容
使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。甘肅貼片ESD保護(hù)元件廠家
ESD是一種常見的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?gt;1A，·上升時(shí)間～15ns，衰減時(shí)間～150ns。ESD靜電放電的特點(diǎn)：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強(qiáng)電場(chǎng)和寬帶電磁干擾等特點(diǎn)。甘肅貼片ESD保護(hù)元件廠家