降低防護器件結(jié)電容的設(shè)計方法當(dāng)防護器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時，將對高頻信號產(chǎn)生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設(shè)計，降低結(jié)電容對信號質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當(dāng)?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個相同防護二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當(dāng)防護二極管的結(jié)電容太大，可以對防護器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。ESD靜電保護元件在選型時應(yīng)注意其封裝，電容，靜電防護等級等參數(shù)。江蘇RS485接口ESD保護元件參數(shù)
靜電是物體表面過剩或不足的靜止電荷，是通過電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達到數(shù)萬伏以上，人體靜電電壓可以達到1萬伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時間短的特點，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達數(shù)萬伏以至數(shù)千萬伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測量時復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測量靜電是為靜電防護工程設(shè)計和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。湖南低壓ESD保護元件參數(shù)ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。
提高防護電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優(yōu)化設(shè)計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護二極管串聯(lián)電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌贰?/p>
防靜電的四項基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護措施不能降低安全水準(zhǔn)，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。通過串聯(lián)的方式可以有效降低ESD防護電路的電容。
SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。安徽以太網(wǎng)接口ESD保護元件廠家
硅基ESD保護器件的結(jié)電容與其芯片面積成正比關(guān)系。江蘇RS485接口ESD保護元件參數(shù)
高頻接口ESD防護電路的綜合設(shè)計法根據(jù)高頻電路的信號特征和ESD防護要求靈活選用各種防護器件、以及各種防護電路的組合形成防護效果好且高頻性能好的ESD防護電路。如TVS、開關(guān)二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯(lián)、匹配設(shè)計、濾波、隔離、衰減等措施可以同時使用在同一防護電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設(shè)計***的防護電路。如圖4，電感!和TVS并聯(lián)在輸入端具有較好的ESD防護效果，其并聯(lián)諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護和改善駐波的作用。江蘇RS485接口ESD保護元件參數(shù)