PN 結(jié)構(gòu)成了幾乎所有半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)，常用的半導(dǎo)體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結(jié)的擊穿電壓，因此，PN 結(jié)反向阻斷特性的優(yōu)劣直接決定了半導(dǎo)體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結(jié)兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結(jié)的擊穿電壓在所有平面結(jié)中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導(dǎo)體器件的制造過程一般會在 PN 結(jié)的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結(jié)的擊穿電壓，使功率半導(dǎo)體器件的擊穿電壓降低。由此產(chǎn)生了一系列的結(jié)終端技術(shù)來消除或減弱球面結(jié)或柱面結(jié)的曲率效應(yīng)，使實際制造出的 PN 結(jié)的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結(jié)擊穿電壓。TVS是一種鉗位型的過壓保護器件。湖南1.0SMBTVS批發(fā)
選用技巧1、確定被保護電路的比較大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標準電壓和“**”容限。2、TVS額定反向關(guān)斷VWM應(yīng)大于或等于被保護電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低，器件可能進入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。3、TVS的比較大箝位電壓VC應(yīng)小于被保護電路的損壞電壓。4、在規(guī)定的脈沖持續(xù)時間內(nèi)，TVS的比較大峰值脈沖功耗PM必須大于被保護電路內(nèi)可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率。在確定比較大箝位電壓后，其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流。貼片TVS定制超大功率TVS是采用芯片疊加的方式構(gòu)成。
比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續(xù)時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩極間出現(xiàn)的比較大峰值電壓為VC。它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結(jié)截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。。。。
220V交流市電經(jīng)整流濾波后變?yōu)楦邏褐绷鞴┙o開關(guān)變壓器，此高壓直流變化范圍是240V～360V，而由于變壓器漏感和引線電感的存在，關(guān)斷過電壓可以高達幾千伏，功率開關(guān)管關(guān)斷時難于同時承受這兩種電壓。綜合考慮可以選用VWM等于200V左右的TVS，這樣將關(guān)斷過電壓控制在300V以內(nèi)，加上電源電壓，功率開關(guān)管選用耐壓為700V的管型即可。當功率開關(guān)管關(guān)斷時，由于開關(guān)變壓器線圈漏感的存在，會產(chǎn)生極高的反電勢，有可能將功率開關(guān)管擊穿。當在開關(guān)變壓器一次側(cè)并接上TVS管后，可以有效地吸收電壓尖峰，保護功率開關(guān)管的安全，降低對功率開關(guān)管耐壓的要求。來明電子可為客戶國產(chǎn)替代TVS產(chǎn)品。
比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規(guī)定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值，請查閱有關(guān)產(chǎn)品手冊。在給定的比較大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續(xù)時間和環(huán)境溫度有關(guān)。而且TVS所能承受的瞬態(tài)脈沖是不重復(fù)的，器件規(guī)定的脈沖重復(fù)頻率（持續(xù)時間與間歇時間之比）為0.01%，如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復(fù)性脈沖，應(yīng)考慮脈沖功率的“累積”，有可能使TVS損壞。TVS的失效模式通常為短路失效模式。上海低漏流TVS定制
600W的TVS產(chǎn)品一般貼片為SMB封裝或者插件DO-15封裝。湖南1.0SMBTVS批發(fā)
PN結(jié)加反向電壓時截止如果電源的正極接N區(qū)，負極接P區(qū)，外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴：?.0SMBTVS批發(fā)
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