穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。 [1] 此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。肖特基二極管正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。江蘇超快恢復(fù)二極管低價
高效靈活的倉儲物流管理，長期降低供應(yīng)成本，解決物料短缺，專人負(fù)責(zé)訂單周期管理、供應(yīng)商跟進(jìn)，保證高效及時交貨。我們在供應(yīng)鏈管理、客戶服務(wù)、訂單周期管理、電子元器件解決方案積累了豐富的經(jīng)驗，旨在構(gòu)建未來互聯(lián)網(wǎng)+服務(wù)方案體系，讓商家、客戶、經(jīng)營者能夠聚焦，從而產(chǎn)生多贏價值。我們秉持務(wù)實、高效的服務(wù)理念，接納、圓滿、給予的品牌風(fēng)格，精益求精成就伙伴的企業(yè)使命竭誠為客戶創(chuàng)造價值。讓我們期待與您攜手合作共創(chuàng)輝煌。湖北肖特基二極管廠家SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。
肖特基二極體比較大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓比較高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實物設(shè)計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值比較大可以到200V。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。 二極管具有多種封裝類型。
測量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：先用萬用表測出市電電壓U，然后將被測雙向觸發(fā)二極管串入萬用表的交流電壓測量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調(diào)連接后并讀出電壓值U2。測量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓的方法：用0~50V連續(xù)可調(diào)直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發(fā)二極管的一端相接，將電源的負(fù)極串接萬用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發(fā)二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當(dāng)電流表指針有較明顯擺動時（幾十微安以上），則說明此雙向觸發(fā)二極管已導(dǎo)通，此時電源的電壓值即是雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓。高反壓開關(guān)二極管的反向擊穿電壓均在220V以上，但其零偏壓電容和反向恢復(fù)時間值相對較大。福建高效二極管廠家
開關(guān)二極管，是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進(jìn)行"開"、"關(guān)"而特殊設(shè)計制造的一類二極管。江蘇超快恢復(fù)二極管低價
SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導(dǎo)率高為（cm·K），抗化學(xué)腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結(jié)構(gòu)的SiCSBD設(shè)計方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當(dāng)，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護(hù)環(huán)的6H－SiCSBD，擊穿電壓達(dá)550V。 江蘇超快恢復(fù)二極管低價
上海來明電子有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實現(xiàn)高質(zhì)量管理的追求。來明電子深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容。來明電子始終以本分踏實的精神和必勝的信念，影響并帶動團(tuán)隊取得成功。來明電子始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使來明電子在行業(yè)的從容而自信。