標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的比較大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的比較大允許頻偏。如果給晶片加上適當(dāng)?shù)慕蛔冸妷海蜁?huì)產(chǎn)生諧振。四川石英晶振輸出
晶振負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激勵(lì)電平的影響：一般來(lái)講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過(guò)高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過(guò)應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過(guò)低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購(gòu)時(shí)應(yīng)特別說(shuō)明。福建低負(fù)載電容型晶振頻率標(biāo)稱頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。
陶瓷諧振器，一般習(xí)慣叫陶瓷晶振，但是它是以鋯鈦酸鉛(PZT)分子式:Pb(Zr1-XTiX)O3為主要原料，將其加工成有壓電效應(yīng)的陶瓷材料。然后進(jìn)行極化處理制作成陶瓷片。鍍銀后放入有彈性電極的殼內(nèi)進(jìn)行密封。陶瓷諧振器的精度一般為±300ppm~500ppm，應(yīng)用在普通產(chǎn)品上，例如USB,玩具，硬盤(pán)，驅(qū)動(dòng)等對(duì)精度要求不高的產(chǎn)品。石英晶振是對(duì)石英晶片施加壓力，晶片上會(huì)產(chǎn)生電荷；反之，對(duì)晶片兩端的電極施加電壓時(shí)，晶體會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形。晶片的頻率取決于晶片的切割，尺寸等因素。晶片的Q值越高，頻率越穩(wěn)定。石英晶振應(yīng)用在儀器儀表，通信系統(tǒng)等。
石英晶振諧振器。諧振器一般分為插件(Dip)和貼片（SMD）插件中又分為HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型（柱狀晶振）。HC-49U一般稱49U，有些采購(gòu)俗稱"高型"，而HC-49S一般稱49S，俗稱"矮型"，HC-49SS一般稱49SS，俗稱（超矮型，通常是2.5mm封裝高度），音叉型按照體積分可以分為3*9、3*8、2*6、、1*5、、1*4等等。貼片型是按大小和腳位來(lái)分類。例如7*5(0705）、6*3.5(0603）、5*3.2（5032）等等。腳位有4pin和2pin之分。而振蕩器也可以分為插件和貼片。插件可以按大小和腳位來(lái)分。例如所謂全尺寸的，又稱長(zhǎng)方形或者14pin，半尺寸的又稱正方形或者8pin。不過(guò)要注意的是，這里的14pin和8pin都是指振蕩器內(nèi)部**IC的腳位數(shù)。振蕩器本身是4pin。而從不同的應(yīng)用層面來(lái)分，又可分為OSC（普通鐘振）、TCXO（溫補(bǔ)鐘振）、VCXO（壓控鐘振）、OCXO（恒溫鐘振）等等。有源晶振是用石英晶體組成的，石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)。
短穩(wěn)：短期穩(wěn)定度。頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的**小峰值改變量率壓控線性：與理想（直線）函數(shù)相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度。單邊帶相位噪聲￡（f）：偏離載波f處，一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比?？傤l差：在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的比較大偏差。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的比較大允許頻偏。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。青海金屬殼封裝型晶振相噪
晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。四川石英晶振輸出
串聯(lián)型晶體振蕩器如圖6所示。該振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外，還具有選頻功能，其選頻頻率f0=fs，電位器RP1用來(lái)調(diào)節(jié)反饋信號(hào)的幅度。石英晶體振蕩器分為非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器（TCXO）、電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、恒溫控制式晶體振蕩器（OCXO）和數(shù)字化/μp補(bǔ)償式晶體振蕩器（DCXO/MCXO）等幾種類型。其中，非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是**簡(jiǎn)單的一種，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（JIS）中稱之為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器（SPXO）。四川石英晶振輸出
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