MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式，同時(shí)保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。湖北天線接口ESD保護(hù)元件電壓
TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列，ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的?？商峁┓浅５偷碾娙荩c其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試，以及IEC6100-4-2測(cè)試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達(dá)1000）之后。該器件可比傳統(tǒng)的聚合物SEO器件提供更低的觸發(fā)電壓和更低的箝拉電壓，進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡(jiǎn)稱ESD，是一種過壓保護(hù)元件，是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。RLESD保護(hù)器件是用來(lái)避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響?？商峁┓浅５偷碾娙荩哂袃?yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試，以及IEC6100-4-2測(cè)試能力，尤其是在多采樣數(shù)高達(dá)1000之后，進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。 陜西高浪涌ESD保護(hù)元件應(yīng)用多層壓敏電阻作為ESD靜電保護(hù)元件，具有較高的成本優(yōu)勢(shì)。
高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感，并要求防護(hù)器件有ns級(jí)的響應(yīng)速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會(huì)有更加理想的ESD防護(hù)效果。ESD防護(hù)電路的防護(hù)能力與選用的防護(hù)器件、被保護(hù)器件的ESD敏感度、電路結(jié)構(gòu)形式、布線等因素密切相關(guān)，一般無(wú)法直接確定一個(gè)防護(hù)電路單元的防護(hù)能力，必須把防護(hù)電路單元和被保護(hù)的具體電路作為一個(gè)整體并按照標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，以確定一個(gè)實(shí)際電路的防護(hù)效果。
在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來(lái)模擬。在測(cè)試過程中，電容會(huì)充電到數(shù)千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測(cè)器件進(jìn)行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時(shí)間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號(hào)衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對(duì)其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。電阻不單獨(dú)用于芯片的靜電保護(hù)，它往往用于輔助的靜電保護(hù)，如芯片***級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。
現(xiàn)行的 IEC61000—4—2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 的測(cè)試方法和實(shí)驗(yàn)平 臺(tái)仍存在一定局限性，需進(jìn)一步研究 和改進(jìn) 。ESD協(xié) 會(huì) WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標(biāo)準(zhǔn)化 國(guó)際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測(cè)試 的一致性，對(duì)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)展 開***的討論和完善 。但是我國(guó)相關(guān)領(lǐng)域 的工作開展不多。現(xiàn)行的 ESD抗擾度實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)是沿用原 IEC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的制定和修改工作沒有與國(guó)際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測(cè)試方面仍然落后于西方發(fā)達(dá)國(guó)家。我過也在積極的開展研究靜電放電測(cè)試方面的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成立了各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)。ESD靜電保護(hù)元件在選型時(shí)應(yīng)注意其封裝，電容，靜電防護(hù)等級(jí)等參數(shù)。陜西高浪涌ESD保護(hù)元件應(yīng)用
ESD靜電保護(hù)元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以內(nèi)。湖北天線接口ESD保護(hù)元件電壓
現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來(lái)越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來(lái)越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來(lái)越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來(lái)越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達(dá)100V，成為ESD高損傷率器件。湖北天線接口ESD保護(hù)元件電壓
上海來(lái)明電子有限公司成立于2010-08-11，是一家專注于TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的****，公司位于靈山路1000弄2號(hào)808。公司經(jīng)常與行業(yè)內(nèi)技術(shù)**交流學(xué)習(xí)，研發(fā)出更好的產(chǎn)品給用戶使用。公司主要經(jīng)營(yíng)TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產(chǎn)品，我們依托高素質(zhì)的技術(shù)人員和銷售隊(duì)伍，本著誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、理解客戶需求為經(jīng)營(yíng)原則，公司通過良好的信譽(yù)和周到的售前、售后服務(wù)，贏得用戶的信賴和支持。公司與行業(yè)上下游之間建立了長(zhǎng)久親密的合作關(guān)系，確保TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)，絕不因價(jià)格而放棄質(zhì)量和聲譽(yù)。上海來(lái)明電子有限公司以誠(chéng)信為原則，以安全、便利為基礎(chǔ)，以優(yōu)惠價(jià)格為TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的客戶提供貼心服務(wù)，努力贏得客戶的認(rèn)可和支持，歡迎新老客戶來(lái)我們公司參觀。