以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層,成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮氣氣氛下經(jīng)500℃退火1002 h,其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右,400℃紅外發(fā)射率約在10-11%,如圖1所示(Advanced Materials ...
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該儀器能夠快速顯示實時光譜,因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠鏡位置,同時在這些位置記錄更長的曝光光譜,提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm,因為這些光譜不是在太陽圓盤的末端拍攝的。太陽自轉(zhuǎn)引起的兩條夫瑯和費鐵線(相對于未移動的氧線)多普勒頻移的測量...
正因為如此,來自太陽圓盤一側(cè)的光會因多普勒效應而紅移,而另一側(cè)的光會藍移。我們可以觀察和理解這些位移,因為太陽譜線波長相對于大氣氧線的位移——地球大氣吸收產(chǎn)生的氧線相對于望遠鏡是靜止的。從太陽圓盤邊緣到邊緣的比較大多普勒頻移只有~8pm,因此HF-8989-3...
HN-9332儀器的寬波長覆蓋范圍允許在整個光譜的可見區(qū)域進行快速的“測量”光譜。然而,許多夫瑯和費譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來詳細檢查太陽光譜的感興趣區(qū)域;例如HF-8989。02高分辨率太陽光譜下圖顯示了太...
例如,獲取模塊310、***計算模塊320、第二計算模塊330和第三計算模塊340中的任意多個可以合并在一個模塊中實現(xiàn),或者其中的任意一個模塊可以被拆分成多個模塊?;蛘?,這些模塊中的一個或多個模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結(jié)合,并在一個模塊中...
WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強化機理示意圖 金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽光譜選擇性吸收涂層的**工作層,其熱穩(wěn)定性和綜合光學性能直接決定著整個涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫...
示意性示出了本發(fā)明實施例太陽光照補償值計算方法的流程圖,如圖1所示,該方法例如可以包括操作s1~s1。s1,獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像的長或?qū)?,例?..
以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層,成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮氣氣氛下經(jīng)500℃退火1002 h,其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右,400℃紅外發(fā)射率約在10-11%,如圖1所示(Advanced Materials ...
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1)反應性濺鍍制備強化膜:在***真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成氧化鉻,反應生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜;步驟1)中,吸熱體的基材為不銹鋼片;步驟1)中,靶材為鉻靶,功率為9kw,電壓為500v...
伴隨工作溫度的升高,如何抑制高溫下熱輻射損失顯得愈發(fā)重要?;谇捌诘难芯炕A,研究組開發(fā)出另一種新型金屬陶瓷薄膜WTi-Al2O3。借助光學模擬設計,獲得太陽光譜選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化范圍,構(gòu)建了WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。經(jīng)600℃長時間...
具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前...
可選地,根據(jù)拍攝時刻和地理經(jīng)度,計算拍攝時刻的太陽時角,包括:根據(jù)ω(x,t)=(12-t)×15°-l(x)計算太陽時角,其中,t為拍攝時刻,ω(x,t)為坐標為(x,y)的像素點在t時刻對應的太陽時角??蛇x地,根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度,計算拍攝時...
針對自研的太陽光譜輻照度計入射光學系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開展了實驗室余弦響應特性測量和多種儀器的敦煌外場比對試驗.結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°...
因此,對于地球靜止軌道光學遙感衛(wèi)星在不同日期、不同時間、不同地點拍攝圖像的太陽光照補償值為δet=et(x1,y1,z1,d1,t1)-et(x2,y2,z2,d2,t2),(2)其中,下角標1和2**兩個不同拍攝日期、和/或時間和/或位置。至此,通過獲取地球...
2)濺鍍制備低發(fā)射率膜:在第二真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜;3)反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉...
反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通...
膜層的材料﹑厚度和串聯(lián)方式的選擇,由所需要的中心波長和透射帶寬λ確定。 濾光片波長 編輯 能從紫外到紅外任意波長﹑λ為 1~500埃的各種干涉濾光片。金屬-介質(zhì)膜濾光片的峰值 透射率不如全介質(zhì)膜高,但后者的次峰和旁帶問題較嚴重。薄膜干涉濾光片中還有一種圓形或長...
在本申請的一個實施例中,步驟2)中,靶材為銅靶,氬氣流量為50~500sccm,制得的低發(fā)射率膜的厚度為180~220nm。在本申請的一個實施例中,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮氣流量為10~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30...
具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前...
1)反應性濺鍍制備強化膜:在***真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成氧化鉻,反應生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜;步驟1)中,吸熱體的基材為不銹鋼片;步驟1)中,靶材為鉻靶,功率為9kw,電壓為500v...
可選地,根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽散射輻射強度,包括:根據(jù),計算太陽散射輻射強度es(α,z),k2為常系數(shù),取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。(三)有益效果本發(fā)明提供一種太陽光照補償值計算方法,至少包括以下有益效果:通過地球靜止軌道衛(wèi)...
針對自研的太陽光譜輻照度計入射光學系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開展了實驗室余弦響應特性測量和多種儀器的敦煌外場比對試驗.結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°...
本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法,吸熱體由基材以及設置在基材的外表面上的膜層構(gòu)成,膜層包括6層,從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強化膜、銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜、氮化鉻材質(zhì)的緩沖膜、氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻的混合物材質(zhì)的過渡膜、氧化鉻材質(zhì)的吸收膜、...
反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通...
厚度為0.1~2μm的薄層金屬氧化物或硫化物,如氧化銅、氧化鉻等,具有很高的太陽輻射吸收比和長波輻射透射比。6層構(gòu)成的膜層的緩沖膜、過渡膜、吸收膜的主要成分是氧化鉻等氧化物,能夠吸收波長范圍為0.20~3.0μm的太陽輻射能量并轉(zhuǎn)化為熱能。本申請實現(xiàn)了用于選擇...
et(d,α,z)=ed(d,α,z)+es(α,z),(12)其中,ed(d,α,z)與es(α,z)可從操作s102中得出。s104,針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應的所述地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像,計算各自對應的太陽總輻照強度...
以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層,成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮氣氣氛下經(jīng)500℃退火1002 h,其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右,400℃紅外發(fā)射率約在10-11%,如圖1所示(Advanced Materials ...
步驟5)中,靶材為鉻靶,功率為11kw,電壓為500v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為110sccm,氧氣流量為90sccm,制得的吸收膜的厚度為80nm;6)反應性濺鍍制備抗反射膜:在第六真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來...