ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)（1600度，通氧氣燒結(jié)）形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。 ITO靶材中氧化銦：氧化錫的配比分為90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。...

AZO透明導(dǎo)電薄膜具有高可見光透過率和低電阻率的特點(diǎn)，因此可以作為平面顯示器和太陽(yáng)能平面電極材料，也可用在節(jié)能方面，如建筑玻璃表面和汽車玻璃表面近年來(lái),隨著液晶顯示、觸控面板、有機(jī)發(fā)光顯示、太陽(yáng)能電池等的發(fā)展，使得透明導(dǎo)電薄膜成為關(guān)鍵性材料之一。目前，常用的錫摻雜氧化鋼(ITO)透明導(dǎo)電薄膜材料中的金屬銦屬于稀缺資源，開發(fā)具有透光、導(dǎo)電特性的“非銦”材料已成為研究的熱點(diǎn)之一。由于氧化鋅基(ZnO)透明導(dǎo)電薄膜價(jià)格較為低廉，且不具毒性，在發(fā)展上具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)異性。因此，對(duì)于氧化鋅薄膜材料及其制備技術(shù)的研發(fā)，引起了大家的重視。AZO薄膜是一種透明導(dǎo)電膜，具有與ITO薄膜相比擬的光學(xué)和電學(xué)特性，并具有...

透明導(dǎo)電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質(zhì)量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關(guān)鍵。高質(zhì)量的成品 ITO 濺射靶應(yīng)具有99%的相對(duì)密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導(dǎo)熱率及較高的機(jī)械強(qiáng)度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導(dǎo)電薄膜。甚至可以在有機(jī)材料上濺射 ITO 導(dǎo)電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結(jié)法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結(jié)法，其相對(duì)密度能達(dá)到 99%以上，燒...

磁控濺射的工作原理簡(jiǎn)單說就是利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，氬離子轟擊靶材表面，同時(shí)也把動(dòng)能傳導(dǎo)進(jìn)去，隨后靶材表面的原子就被轟擊出來(lái)，從不同角度飛向基片，在其表面凝集沉積形成一層薄膜?！斑@層薄膜非常薄，往往都在納米量級(jí)，是人類肉眼看不見的，而一支10毫米厚的靶材所鍍的薄膜面積可達(dá)幾萬(wàn)甚至十幾萬(wàn)平方米，鍍膜后產(chǎn)生的價(jià)值遠(yuǎn)超過靶材本身的價(jià)值，靶材起的作用非常關(guān)鍵，所以我常將靶材稱為小而美、小而精的材料。”“別小看這些薄膜材料，它們是很多功能器件得以大顯神威的主要材料。”靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。黑龍江氧化鋅陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（...

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過程中靶材開裂。一般來(lái)說，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...

超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來(lái)說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成...

靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時(shí)/平方厘米。金屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個(gè)合理的功率加大速率為1.5W小時(shí)/平方厘米。在進(jìn)行預(yù)濺射的同時(shí)需要檢查靶材起弧狀況，預(yù)濺射時(shí)間一般為10分鐘左右。如沒有起弧現(xiàn)象，繼續(xù)提升濺射功率到設(shè)定功率。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般應(yīng)確保冷卻水出水口的水溫應(yīng)低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環(huán)系統(tǒng)能有效工作，通過冷卻水的快速循環(huán)帶走熱量，是確保能以較高功率連續(xù)濺射的一項(xiàng)重要保障。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。山西AZO陶瓷靶材推薦廠家靶材主要由...

制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在透明或半透明基底上依次沉積高折射率的致密氧化鉿層和低折射率的多孔氧化鉿層。兩層氧化鉿的折射率由電子束蒸鍍的入射角度控制，厚度根據(jù)基底不同而調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用電子束蒸鍍方法，并且雙層減反膜由同種材料制成，制備成本低、效率高。該雙層氧化鉿減反膜對(duì)于可見光范圍內(nèi)的多角度入射光均具有很好的減反增透能力，可用于降低窗板、觸屏電極或液晶顯示屏等表面的反射，具有廣的應(yīng)用前景。目前制備太陽(yáng)能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。湖南功能性陶瓷靶材推薦廠家靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)（1600度，通氧氣燒結(jié)）形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。 ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中。中國(guó)臺(tái)灣AZO陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)...

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過程中靶材開裂。一般來(lái)說，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...

ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中，其主要應(yīng)用分為：平板顯示器(FPD)產(chǎn)業(yè)，薄膜晶體管顯示器(TFT-LCD)、液晶顯示器(LCD)、電激發(fā)光顯示器(EL)、電致有機(jī)發(fā)光平面顯示器(OELD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示器(PDP)等;光伏產(chǎn)業(yè)，如薄膜太陽(yáng)能電池;功能性玻璃，如紅外線反射玻璃、抗紫外線玻璃如幕墻玻璃、汽車、飛機(jī)上的防霧擋風(fēng)玻璃、光罩和玻璃型磁盤等三大域。但主要應(yīng)用于還是在平板顯示器中，它是濺射ITO導(dǎo)電薄膜的主要原料，沒有它的存在，諸多的材料將無(wú)法實(shí)現(xiàn)正常加工以及設(shè)計(jì)。ITO薄膜由于對(duì)可見光透明和導(dǎo)電性良好的性，還被廣泛應(yīng)用于液晶顯示玻璃、幕墻玻璃和飛機(jī)、汽車上的...

靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計(jì)算得出。熱噴涂的靶材結(jié)構(gòu)疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過程中迅速導(dǎo)致放電，甚至燒毀靶材。同時(shí)，靶材濺射表面的高溫會(huì)迅速導(dǎo)致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質(zhì)量。相對(duì)密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對(duì)密度應(yīng)在98%以上，粉末冶金靶材應(yīng)在9...

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達(dá)60mev，比室溫?zé)犭x化能(26mev)大得多。第三代半導(dǎo)體材料是指寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們的發(fā)光波長(zhǎng)短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點(diǎn)。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光發(fā)射以來(lái)，ZnO薄膜的制備技術(shù)及其光電特性成為人們研究的熱點(diǎn)。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長(zhǎng),比ZnSe和GaN的生長(zhǎng)溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導(dǎo)、半導(dǎo)體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應(yīng)用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質(zhì)量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜...

從ITO靶材制備方法來(lái)看，制備方法多樣，冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn)：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對(duì)更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢(shì)；2）產(chǎn)品的密度相對(duì)更高，更加地均勻；3）壓粉不需要添加任何潤(rùn)滑劑；4）生產(chǎn)成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看：1）制備粉末，選取氧化銦與二氧化錫（純度99.99%）進(jìn)行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇（PVA）和30%的純水進(jìn)行砂磨。然后進(jìn)行噴霧干燥，調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù)，噴霧制備不同松裝密度的ITO...

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生. ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽(yáng)能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生...

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達(dá)到99.95%,但對(duì)氧化鈮的物理性能指標(biāo)要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細(xì)且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動(dòng)性及嚴(yán)格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材具有很多的優(yōu)點(diǎn)： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達(dá)到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此近年來(lái)逐步替代了平面靶材。 針對(duì)國(guó)內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級(jí)高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)...

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標(biāo)始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不能通過退火過程完全消除，因?yàn)樗沁@些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，為它們提供足夠的能量來(lái)脫離晶格。這種放熱動(dòng)量傳遞增加了目標(biāo)的溫度，在原子水平上可能達(dá)到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標(biāo)中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當(dāng)?shù)纳?，靶材可能?huì)開裂。靶材開裂預(yù)防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運(yùn)用水冷機(jī)制來(lái)去...

靶材相對(duì)密度對(duì)大面積鍍膜的影響靶材的相對(duì)密度是靶材的實(shí)際密度與理論密度之比。單組分靶的理論密度為晶體密度。合金或混合物靶材的理論密度由各組分的理論密度及其在合金或混合物中的比例計(jì)算得出。熱噴涂的靶材結(jié)構(gòu)疏松多孔，含氧量高（即使在真空噴涂中，也很難避免合金靶材中氧化物和氮化物的產(chǎn)生）。表面呈灰色，缺乏金屬光澤。吸附的雜質(zhì)和水分是主要污染源，阻礙了高真空的快速獲得，在濺射過程中迅速導(dǎo)致放電，甚至燒毀靶材。同時(shí)，靶材濺射表面的高溫會(huì)迅速導(dǎo)致松散顆粒落下，污染玻璃表面，影響鍍膜質(zhì)量。相對(duì)密度越高，成膜速度越快，濺射工藝越穩(wěn)定。根據(jù)靶材制備工藝的不同，鑄造靶材的相對(duì)密度應(yīng)在98%以上，粉末冶金靶材應(yīng)在9...

ITO靶材生產(chǎn)過程包括金屬提純和靶材制造兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導(dǎo)電性能等性狀，對(duì)成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標(biāo)，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導(dǎo)電性等特點(diǎn)，而以化合物、合金的形式被廣泛應(yīng)用。目前，銦的主要應(yīng)用領(lǐng)域是平板顯示領(lǐng)域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費(fèi)量的80%；其次是半導(dǎo)體領(lǐng)域、焊料和合金領(lǐng)域、太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域等。生產(chǎn)ITO靶材對(duì)于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。通常靶材變黑...

ITO靶材生產(chǎn)過程包括金屬提純和靶材制造兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導(dǎo)電性能等性狀，對(duì)成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標(biāo)，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導(dǎo)電性等特點(diǎn)，而以化合物、合金的形式被廣泛應(yīng)用。目前，銦的主要應(yīng)用領(lǐng)域是平板顯示領(lǐng)域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費(fèi)量的80%；其次是半導(dǎo)體領(lǐng)域、焊料和合金領(lǐng)域、太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域等。生產(chǎn)ITO靶材對(duì)于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。陶瓷靶材和金...

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產(chǎn)工藝中，玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經(jīng)過鍍膜，加工組裝用于生產(chǎn)LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產(chǎn)則還需將ITO 玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極，再與防護(hù)屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護(hù)等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了...

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標(biāo)始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不能通過退火過程完全消除，因?yàn)樗沁@些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，為它們提供足夠的能量來(lái)脫離晶格。這種放熱動(dòng)量傳遞增加了目標(biāo)的溫度，在原子水平上可能達(dá)到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標(biāo)中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當(dāng)?shù)纳幔胁目赡軙?huì)開裂。靶材開裂預(yù)防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運(yùn)用水冷機(jī)制來(lái)去...

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽(yáng)能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)（1600度，通氧氣燒結(jié)）形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。 薄膜晶體管液晶顯示面板（TFT-LCD）是當(dāng)前的主流平面顯示技術(shù)。內(nèi)蒙古ITO陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)...

超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來(lái)說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成...

主要PVD方法的特點(diǎn)：半導(dǎo)體、顯示面板使用濺射鍍膜法（1）金屬提純：靶材純度要求高。金屬提純的主要方式有化學(xué)提純與物理提純，化學(xué)提純主要分為濕法提純與火法提純，通過電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過蒸發(fā)結(jié)晶、電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。（2）制造加工：塑性變形、熱處理、控制晶粒取向：需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。靶材制造涉及的工序精細(xì)繁多，技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少。靶材制造的方法主要有熔煉法與粉末冶金法。熔...

制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在透明或半透明基底上依次沉積高折射率的致密氧化鉿層和低折射率的多孔氧化鉿層。兩層氧化鉿的折射率由電子束蒸鍍的入射角度控制，厚度根據(jù)基底不同而調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用電子束蒸鍍方法，并且雙層減反膜由同種材料制成，制備成本低、效率高。該雙層氧化鉿減反膜對(duì)于可見光范圍內(nèi)的多角度入射光均具有很好的減反增透能力，可用于降低窗板、觸屏電極或液晶顯示屏等表面的反射，具有廣的應(yīng)用前景。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。福建顯示行業(yè)陶瓷靶材一般多少錢氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能...

磁控濺射時(shí)靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的，（細(xì)孔）在孔中有一些有機(jī)污染物（極端可能性）；2、可能靶材有點(diǎn)粗糙，用紙巾用異丙醇擦拭，粗糙的表面在目標(biāo)表面保留了一些細(xì)薄的組織纖維，這可能是碳污染的來(lái)源；3、沉積速率可能相當(dāng)高，并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物；4、基板與靶材保持非常接近，在目前的濺射條件下（功率、壓力、子靶材距離）有一些發(fā)熱，氣體中有一些污染；5、真空室漏氣或漏水，真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分，沒有充入氬氣，充入空氣或其他氣體，可能引起中毒，這些成分與靶材反應(yīng)，變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。靶材是制備薄膜的主要材料之一。上海氧化物陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學(xué)薄膜...

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產(chǎn)工藝中，玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再經(jīng)過鍍膜，加工組裝用于生產(chǎn)LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等；2）觸控屏的生產(chǎn)則還需將ITO 玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極，再與防護(hù)屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護(hù)等作用，MoAlMo（鉬鋁鉬）靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外，為了...

IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料。IGZO為n型半導(dǎo)體材料，存在3.5 eV左右的帶隙，電子遷移率比非晶硅高1~2個(gè)數(shù)量級(jí)，其比較大特點(diǎn)是在非晶狀態(tài)下依然具有較高的電子遷移率。由于沒有晶界的影響，非晶結(jié)構(gòu)材料比多晶材料有更好的均勻性，對(duì)于大面積制備有巨大的優(yōu)勢(shì)。正因?yàn)镮GZO TFT具有高遷移率、非晶溝道結(jié)構(gòu)、全透明和低溫制備這四大優(yōu)勢(shì)，使得IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。重慶氧...