ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過(guò)度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵...

WPM1481：?jiǎn)蜳溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 出色的導(dǎo)通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開(kāi)...

BL1551B是一款模擬開(kāi)關(guān)，具體地說(shuō)：它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì)： 高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號(hào)切換，滿(mǎn)足許多高速應(yīng)用的需求。 低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號(hào)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損失，保證信號(hào)的完整性。 高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB，這意味著在開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，信號(hào)泄漏非常小，從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。 寬工作電...

ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專(zhuān)為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。 特性： · 截止電壓：±3.3V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，提供1...

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開(kāi)關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述： WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開(kāi)關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說(shuō)，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)將...

ESD5311N：?jiǎn)尉€、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過(guò)度壓力。其內(nèi)部包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無(wú)鉛且不含鹵素。 其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（...

WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng) · DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 · 電源開(kāi)關(guān) · 負(fù)載開(kāi)關(guān) · 充電電路 WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性...

WS4601是一款具有極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET高側(cè)開(kāi)關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過(guò)載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。WS4601還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開(kāi)關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。 特性： · 輸入電壓范圍：2.5~5.5V · 主開(kāi)關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V · 持續(xù)輸出電流：1.0A · 電流限制閾值：1.5A（典型值） · 電流限制精度：±20% ...