WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器 產(chǎn)品描述 WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。 WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(hù)（OTP）和限流功能，以確保在錯(cuò)誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技...

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài)，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對(duì)于負(fù)瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為...

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。 其主要特性包括： · 溝槽技術(shù) · 超高密度的單元設(shè)計(jì) · 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流 · 小型SOT-23-3L封裝 應(yīng)用領(lǐng)域包括： · 筆記本電腦的電源管理 · 便攜式設(shè)備 · 電池供電系統(tǒng) · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · ...

ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特性： · 截止電壓：5V · 根據(jù)IEC6100...

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力影響。ESD5305F結(jié)合了四對(duì)低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護(hù)。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。 產(chǎn)品特性： 反向截止電壓：5V 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù) 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，...

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài)，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對(duì)于負(fù)瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為...

WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價(jià)比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時(shí)作為短路保護(hù)和輸出電流限制器，而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。 WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。...

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。 包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： ...

WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對(duì)于要求高輸出電流的消費(fèi)者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護(hù)（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯(cuò)誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無...

ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特性： · 截止電壓：5V · 根據(jù)IEC6100...

WPM1481：?jiǎn)蜳溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 出色的導(dǎo)通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開...

WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會(huì)損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 特性： ...

WS3202E：過壓和過流保護(hù)IC 產(chǎn)品描述： WS3202E是一款集過壓保護(hù)（OVP）和過流保護(hù)（OCP）功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時(shí)，該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護(hù)負(fù)載。此外，過溫保護(hù)（OTP）功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度，確保設(shè)備安全。封裝形式：SOT-23-6L 產(chǎn)品特性： · 高壓技術(shù) · 輸入電壓：25V · 輸出上電時(shí)間：8ms（典型值） · OVP閾值：6.1V（典型值） · OVP響應(yīng)時(shí)間：<1us · OCP閾值：2A（最小值） · 輸出放電功能 應(yīng)用領(lǐng)域： ...

WS4665是一個(gè)單通道負(fù)載開關(guān)，提供可配置的上升時(shí)間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個(gè)N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關(guān)由開/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號(hào)接口。在WS4665中，增加了一個(gè)230Ω的片上負(fù)載電阻，用于在開關(guān)關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 主要特性： · 集成單通道負(fù)載開關(guān) · 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V · 極低導(dǎo)通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VB...

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述： WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將...

ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311X可提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，能承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。 主要特性： 截止電壓：5V 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬...

WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無需外部感測(cè)電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。 特性： · 可編程充電電流高達(dá)600mA · 過溫保護(hù) · 欠壓鎖定保護(hù) · 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V · 充電狀態(tài)輸出引腳 · 2.9V涓流充電閾值 · 軟啟動(dòng)限制浪涌電流 應(yīng)用： · 無線電話 · MP3/MP4播放器 · 藍(lán)牙設(shè)備 ...

ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個(gè)離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì)，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 技術(shù)特性： · 反向截止電壓：7.5V~15V · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs · 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs · 低鉗位電壓 · 固態(tài)硅技術(shù) 應(yīng)用領(lǐng)域： · 電源保護(hù) ...

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力影響。 包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： ...

WNM6001：?jiǎn)蜰溝道、60V、0.50A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 槽型技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器 · DC-DC轉(zhuǎn)換器 · 電路電源開關(guān) ...

SD5302F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性： · 截止電壓：5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)...

RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管 特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應(yīng)用：低電流整流 介紹： RB521S30是一款肖特基勢(shì)壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長(zhǎng)時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護(hù)和更換的頻率。 此外，低正向電壓是肖特基勢(shì)壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，如某些電子設(shè)...

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管 特性： · 低反向電流 · 0.2A平均整流正向電流 · 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。 · 快速開關(guān)和低正向電壓降 · 反向阻斷 應(yīng)用： · 電源管理 · 信號(hào)處理 · 電子設(shè)備保護(hù) 總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管，具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖...

WPM3401：?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。 其主要特性包括： · 溝槽技術(shù) · 超高密度的單元設(shè)計(jì) · 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流 · 小型SOT-23-3L封裝 應(yīng)用領(lǐng)域包括： · 筆記本電腦的電源管理 · 便攜式設(shè)備 · 電池供電系統(tǒng) · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · ...

ESD5304D是一個(gè)專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。 特性： · 截止電壓：5V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電） · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù)：40A（5/50ns） · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：4A（8/20μs） · 極低電容：CJ=0.4pF（典型值） · 極低漏電流：IR<1nA（典型值...

WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能 產(chǎn)品描述： WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將...

ESD56151Wxx：電源保護(hù)新選擇 ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計(jì)。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護(hù)電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，為電路提供強(qiáng)大的浪涌保護(hù)，同時(shí)遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV的ESD保護(hù)。 ESD56151Wxx的特點(diǎn)在于其低鉗位電壓設(shè)計(jì)，能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，減少對(duì)敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長(zhǎng)期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 這款ESD適用于各種需要電源保...

WS4601是一款具有極低導(dǎo)通電阻的P-MOSFET高側(cè)開關(guān)。集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。WS4601還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是無鉛且無鹵素的。 特性： · 輸入電壓范圍：2.5~5.5V · 主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V · 持續(xù)輸出電流：1.0A · 電流限制閾值：1.5A（典型值） · 電流限制精度：±20% ...

WNM6001：?jiǎn)蜰溝道、60V、0.50A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 槽型技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計(jì) · 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器 · DC-DC轉(zhuǎn)換器 · 電路電源開關(guān) ...