ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。 特性： · 截止電壓：±3.3V · 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù) · 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，提供1...

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導(dǎo)通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開...

WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進(jìn)行編程。 特性： · 可編程充電電流高達(dá)600mA · 過溫保護(hù) · 欠壓鎖定保護(hù) · 自動再充電閾值典型值為4.05V · 充電狀態(tài)輸出引腳 · 2.9V涓流充電閾值 · 軟啟動限制浪涌電流 應(yīng)用： · 無線電話 · MP3/MP4播放器 · 藍(lán)牙設(shè)備 ...

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 槽型技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換器 · 電路電源開關(guān) ...

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達(dá)8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù) 這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。 ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景，包括手機(jī)、平板電腦、筆記本...

ESD5431Z-2/TR：電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計。其獨特的雙向保護(hù)機(jī)制，確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力，根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路，能夠承受高達(dá)40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計使得集...

ESD5431Z-2/TR：電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計。其獨特的雙向保護(hù)機(jī)制，確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力，根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路，能夠承受高達(dá)40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計使得集...

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（...

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 反向截止電壓：±5VMax · 根據(jù)IEC61000-4...

WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。 特點與優(yōu)勢： · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V · 可調(diào)輸出電壓：0.8V至5V · 輸出電流：300mA · 低功耗：靜態(tài)電流典型值為75μA，關(guān)機(jī)電流小于1μA · 低壓降：在輸出電流為0.3A時，壓降為141mV。 · 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時，PSRR高...

ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5451X可提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特點： · 反向截止電壓：±5V · 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電） · IEC6...

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導(dǎo)通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開...

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器） 產(chǎn)品描述： WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器，專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： 靜態(tài)電流：1.5μA（典型值） 輸入電壓：2.1V~5.5V 輸出電壓：1.1V~3.3V 輸出電流：@VOUT=3....

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產(chǎn)品描述 WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導(dǎo)通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器電路 · 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特性： · 截止電壓：5V · 根據(jù)IEC6100...

WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù)，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點： · 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V · 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。 · 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達(dá)到75dB · 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV · ...

WNM2016A：N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)品描述： WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元 · 設(shè)計出色的ON電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器 · 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān) WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為...

WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關(guān)都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。 特性： D+/D-上的特殊電路設(shè)計，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是...

WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關(guān)都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。 特性： D+/D-上的特殊電路設(shè)計，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是...

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： 反向截止電壓：±5V 根據(jù)IEC61000-4-2（...

WNM2016A：N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)品描述： WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元 · 設(shè)計出色的ON電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器 · 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān) WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為...

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵...

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（...

BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。 以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢： 高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應(yīng)用的需求。 低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關(guān)過程中的損失，保證信號的完整性。 高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB，這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。 寬工作電...

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達(dá)8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù) 這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。 ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景，包括手機(jī)、平板電腦、筆記本...

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器 產(chǎn)品描述 WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。 WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(hù)（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技...

WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。 WPM2015xx的主要特點包括： 1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。 2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。 3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。 4：具有超高密度電池設(shè)計，適用...

WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻 · 極低的閾值電壓 應(yīng)用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動 · DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 · 電源開關(guān) · 負(fù)載開關(guān) · 充電電路 WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性...

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器 ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。 特性： · 截止電壓：±12V。 · 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)：±30kV（接觸放電） · 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：5.5A（8/20μs） · 典型電容：CJ=27pF...

WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟(jì)高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護(hù)，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。 產(chǎn)品特點： · 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V · 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V · 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。 · 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達(dá)到75dB · 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV · ...