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  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311X

    WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝 產品特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域: · DC/DC轉換器 · 電源轉換器電路 · 便攜式設備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM3012
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM3012

    WL2836E:低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO 產品描述: WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR(電源抑制比)、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流,因此電流限制功能既作為短路保護,又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性 · 輸入電壓范圍:1.4V~5.5V · 輸出電壓范圍:0.8V~3.3V · 輸出電流:...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WH2509F
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WH2509F

    ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產品,無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括:截止電壓:5V,根據IEC61000-4-2(...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73004D
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    WL2836E:低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO 產品描述: WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR(電源抑制比)、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流,因此電流限制功能既作為短路保護,又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性 · 輸入電壓范圍:1.4V~5.5V · 輸出電壓范圍:0.8V~3.3V · 輸出電流:...

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    規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD9108W

    WS3222是一款具有可調OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時,該設備將關閉內部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。 特點: · 輸入電壓:29V · 導通電阻:45mΩ(典型值) · 超快OVP響應時間:450ns(典...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6002
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6002

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。 特點與優(yōu)勢: · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V · 可調輸出電壓:0.8V至5V · 輸出電流:300mA · 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關機電流小于1μA · 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。 · 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56161D24
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    WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設計。在現(xiàn)代電子設備中,由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件,電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn),為這些設備提供了可靠的防護。 這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性,能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應,將電壓限制在安全范圍內,從而保護電路中的敏感組件免受損壞。 此外,WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值,確保了信號傳輸?shù)臏?..

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WL2817DA
    中文資料WILLSEMI韋爾WL2817DA

    ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數(shù)據線和控制線提供強大的保護 這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。 ESD5451N適用于多種應用場景,包括手機、平板電腦、筆記本...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WPM2037
    中文資料WILLSEMI韋爾WPM2037

    WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器) 產品描述: WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器,專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案,以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設計用于使用低成本陶瓷電容器,確保輸出電流的穩(wěn)定性,提高效率,從而延長這些便攜式設備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 產品特性: 靜態(tài)電流:1.5μA(典型值) 輸入電壓:2.1V~5.5V 輸出電壓:1.1V~3.3V 輸出電流:@VOUT=3....

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56091N
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD56091N

    ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD5451X可提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據IEC61000-4-5標準承受高達8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛、無鹵素。 特點: · 反向截止電壓:±5V · 根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電) · IEC6...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5B5VL
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD5B5VL

    WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關 產品描述 WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4612還集成了反向保護功能,當設備關閉時,可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 產品特性 · 輸入電壓范圍:2.5-5.5V · 主開關RON:60mΩ@VIN=5.0V · ...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WMM7037ATEN0-4/TR
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    ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數(shù)據線和控制線提供強大的保護 這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。 ESD5451N適用于多種應用場景,包括手機、平板電腦、筆記本...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D15
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D15

    WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器 產品描述: WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制(PWM)模式,固定開關頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下,轉換器進入跳過模式,以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WL2811EA
    中文資料WILLSEMI韋爾WL2811EA

    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3013
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3013

    SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據接口設計的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設計用于保護連接到數(shù)據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 主要特性: · 截止電壓:5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標準的瞬態(tài)...

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    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

    WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器 產品描述: WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制(PWM)模式,固定開關頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下,轉換器進入跳過模式,以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

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    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2087

    ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產品描述: ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12

    ESD5431Z-2/TR:電子設備的瞬態(tài)電壓守護神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制,確保在數(shù)據線和控制線受到過應力時,能夠迅速抑制電壓波動,保護敏感電子元件免受損壞。 這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護能力,根據IEC61000-4-2標準,它能承受高達±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護電路,能夠承受高達40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM65626DV
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM65626DV

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。 特點與優(yōu)勢: · 輸出電流折返 · 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V · 可調輸出電壓:0.8V至5V · 輸出電流:300mA · 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關機電流小于1μA · 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。 · 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD63004D
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD63004D

    ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產品為無鉛、無鹵素。 特性: · 截止電壓:5V · 根據IEC6100...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3102CA
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3102CA

    ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD5451X可提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據IEC61000-4-5標準承受高達8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛、無鹵素。 特點: · 反向截止電壓:±5V · 根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電) · IEC6...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2842DXXC
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2842DXXC

    WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它采用了先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1483為無鉛、無鹵素。 特性: 溝槽技術 超高密度單元設計 優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流 極低的閾值電壓 小型SOT-23封裝 應用: 繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器 DC-DC轉換器電路 電源開關 負載開關 充電應用 WPM1483是一款P溝道功...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM2049
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM2049

    WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器 產品描述: WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制(PWM)模式,固定開關頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下,轉換器進入跳過模式,以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM2037
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM2037

    WD3168:5V/300mA開關電容電壓轉換器,它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時,WD3168會進入跳模模式,此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產生輸出電壓,從而節(jié)省PCB空間。 此外,其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內置了電流限制保護功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73064D
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    RB521C30:肖特基勢壘二極管 · 重復峰值反向電壓 VRM 30 V · 直流反向電壓 VR 30 V · 平均整流正向電流 IO 100 mA 產品特性: 100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。 低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點,這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。 低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。 ...

  • 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM1488
    規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM1488

    WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域: · 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動 · DC-DC轉換器電路 · 電源開關 · 負載開關 · 充電電路 WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855K

    ESD9B5VL:單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD9B5VL可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據IEC61000-4-5標準承受高達3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性 · 反向截止電壓:±5VMax · 根據IEC61000-4...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WCR1K2N65TF
    中文資料WILLSEMI韋爾WCR1K2N65TF

    ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產品描述: ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應力影響。 包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 產品特性: ...

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    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD73044D

    ESD56151Wxx:電源保護新選擇 ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準,為電路提供強大的浪涌保護,同時遵循IEC61000-4-2標準,提供±30kV的ESD保護。 ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計,能迅速將電壓限制在安全范圍內,減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 這款ESD適用于各種需要電源保...

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    WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產品描述: WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。 產品特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應用領域: · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器 · DC-DC轉換電路 · 電源開...

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