目前可以實(shí)現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種。 （1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu)，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制； （2）飛秒激光加工技術(shù)，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點(diǎn)，可以加工...

PI包括均苯型聚酰亞胺薄膜和聯(lián)苯型聚酰亞胺薄膜兩類.前者為美國某公司產(chǎn)品，由均苯四甲酸二酐與二苯醚二胺制得。后者由日本某公司生產(chǎn)，由聯(lián)苯四甲酸二酐與二苯醚二胺(R型)或間苯二胺(S型)制得。薄膜制備方法為：聚酰胺酸溶液流延成膜、拉伸后，高溫酰亞胺化。聚酰亞胺薄...

超短脈沖激光微細(xì)加工技術(shù)指的是利用超短脈沖激光對材料的顯微加工、精密裁切以及微觀改性。相對于傳統(tǒng)的激光打標(biāo)、激光焊接、激光切割等，超短脈沖激光精密微細(xì)加工還屬于新興的市場，在太陽能電池、LCD、醫(yī)療、精密加工、透明材料及微電子學(xué)等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。隨著超...

微納代工質(zhì)量好、效率高、價(jià)格低 蘇州原位芯片提供硅基和非硅基微納代工單步或多步整合工藝代工。 擁有接觸式光刻（SUSS）、stepper光刻機(jī)、電子束光刻機(jī)、熱氧化爐、離子注入機(jī)（注入B、P等）、LPCVD(多晶硅、低應(yīng)力氮化硅等)、PECVD（SiO2、Si...

超短脈沖激光微細(xì)加工技術(shù)指的是利用超短脈沖激光對材料的顯微加工、精密裁切以及微觀改性。相對于傳統(tǒng)的激光打標(biāo)、激光焊接、激光切割等，超短脈沖激光精密微細(xì)加工還屬于新興的市場，在太陽能電池、LCD、醫(yī)療、精密加工、透明材料及微電子學(xué)等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。隨著超...

光刻是生產(chǎn)半導(dǎo)體元件時(shí)的一個(gè)工業(yè)步驟，該步驟將印在光掩膜上的外形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基質(zhì)的表面上。光刻與印刷術(shù)中的平版印刷的工藝過程類似?；|(zhì)一般是硅、砷化鎵晶體的芯片，也可以是其他半導(dǎo)體的芯片。玻璃、藍(lán)寶石或者金屬也可以作為基質(zhì)。 光刻的優(yōu)點(diǎn)在于它可以精確地控制形成...

微納加工制造與測試技術(shù)作為我國從制造大國走向制造強(qiáng)國戰(zhàn)略的重要前沿交叉關(guān)鍵技術(shù)，對制造工業(yè)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級以及社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展都具有重要意義，***高度重視先進(jìn)傳感器技術(shù)的研究。MEMS傳感器研究要站在戰(zhàn)略的高度，重點(diǎn)關(guān)注其顛覆性技術(shù)和關(guān)鍵**技術(shù)的突破；微納制造技...

光刻是生產(chǎn)半導(dǎo)體元件時(shí)的一個(gè)工業(yè)步驟，該步驟將印在光掩膜上的外形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基質(zhì)的表面上。光刻與印刷術(shù)中的平版印刷的工藝過程類似?；|(zhì)一般是硅、砷化鎵晶體的芯片，也可以是其他半導(dǎo)體的芯片。玻璃、藍(lán)寶石或者金屬也可以作為基質(zhì)。 光刻的優(yōu)點(diǎn)在于它可以精確地控制形成...

光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻...

納米工藝加工平臺的工藝能力涵蓋光刻、氧化擴(kuò)散、濕法清洗與刻蝕、物***相沉積、化學(xué)氣相沉積及干法刻蝕、結(jié)構(gòu)與器件特性表征等全微納加工工藝鏈，同時(shí)具備**技術(shù)的電子束光刻、聚焦離子束沉積與加工、深硅刻蝕等工藝能力。 有時(shí)候加工平臺一年會有一次開放日，有幸走進(jìn)潔凈...

目前可以實(shí)現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種。 （1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu)，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制； （2）飛秒激光加工技術(shù)，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點(diǎn)，可以加工...

微流控分析芯片**初只是作為納米技術(shù)**的一個(gè)補(bǔ)充，在經(jīng)歷了大肆宣傳及冷落的不同時(shí)期后，**終卻實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)。微流控分析芯片**初在美國被稱為“ 芯片實(shí)驗(yàn)室”（lab-on-a-chip），在歐洲被稱為“微整合分析芯片”（micrototal analytica...

"在微納加工世界，灰塵就是‘導(dǎo)彈’，頭發(fā)絲就是‘火箭’，平時(shí)我們不在意的小細(xì)節(jié)都會對芯片的精度產(chǎn)生重大影響！”微納加工平臺算得上是世上**干凈的實(shí)驗(yàn)室了，做微納加工工藝的工程師們，在進(jìn)入潔凈室前，首先要在更衣室里更換凈化服，還需佩戴頭套、口罩和手套。再經(jīng)過風(fēng)淋間...

掩膜版的原材料掩膜版基板是制作微細(xì)光掩膜圖形的感光空白板。通過光刻制版工藝，將微米級和納米級的精細(xì)圖案刻制于掩膜版基板上從而制作成掩膜版。 掩膜版對下***業(yè)生產(chǎn)線的作用主要體現(xiàn)為利用掩膜版上已設(shè)計(jì)好的圖案，通過透光與非透光的方式進(jìn)行圖像（電路圖形）復(fù)制，從而...

"在微納加工世界，灰塵就是‘導(dǎo)彈’，頭發(fā)絲就是‘火箭’，平時(shí)我們不在意的小細(xì)節(jié)都會對芯片的精度產(chǎn)生重大影響！”微納加工平臺算得上是世上**干凈的實(shí)驗(yàn)室了，做微納加工工藝的工程師們，在進(jìn)入潔凈室前，首先要在更衣室里更換凈化服，還需佩戴頭套、口罩和手套。再經(jīng)過風(fēng)淋間...

微流控分析芯片**初只是作為納米技術(shù)**的一個(gè)補(bǔ)充，在經(jīng)歷了大肆宣傳及冷落的不同時(shí)期后，**終卻實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)。微流控分析芯片**初在美國被稱為“ 芯片實(shí)驗(yàn)室”（lab-on-a-chip），在歐洲被稱為“微整合分析芯片”（micrototal analytica...

光刻是生產(chǎn)半導(dǎo)體元件時(shí)的一個(gè)工業(yè)步驟，該步驟將印在光掩膜上的外形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基質(zhì)的表面上。光刻與印刷術(shù)中的平版印刷的工藝過程類似?；|(zhì)一般是硅、砷化鎵晶體的芯片，也可以是其他半導(dǎo)體的芯片。玻璃、藍(lán)寶石或者金屬也可以作為基質(zhì)。 光刻的優(yōu)點(diǎn)在于它可以精確地控制形成...

光刻主要有以下幾個(gè)步驟。 首先是準(zhǔn)備基質(zhì)：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進(jìn)行處理，需要經(jīng)過脫水烘培蒸發(fā)掉硅片表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物。 涂布光阻劑(photo resist)：將硅片放在一個(gè)平整的金屬托盤上，托盤內(nèi)有小孔與真空管...

微納代工質(zhì)量好、效率高、價(jià)格低 蘇州原位芯片提供硅基和非硅基微納代工單步或多步整合工藝代工。 擁有接觸式光刻（SUSS）、stepper光刻機(jī)、電子束光刻機(jī)、熱氧化爐、離子注入機(jī)（注入B、P等）、LPCVD(多晶硅、低應(yīng)力氮化硅等)、PECVD（SiO2、Si...

納米光刻技術(shù)是一種精確的圖案化技術(shù)，用于生物傳感器和先進(jìn)材料的功能納米結(jié)構(gòu)的制造，并在太陽能電池、印刷電子、LED和MEMS等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。由于大多數(shù)光刻圖案具有3D結(jié)構(gòu)，因此表征技術(shù)必須提供3D測量的能力。Tosca?400 AFM利用尖銳探針掃描樣品表面...

激光微納加工制造是微納制造技術(shù)的重要部分。激光微納制造是通過激光與材料相互作用，改變材料的物態(tài)和性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)微米至納米尺度或跨尺度的控形與控性。由于激光微納制造在能量密度、作用的空間和時(shí)間尺度、制造體吸收能量的可控尺度都可分別趨于極端，而使制造過程所利用的物理效...

雖然浸入式光刻已受到很大的關(guān)注，但仍面臨巨大挑戰(zhàn)，浸入式光刻的挑戰(zhàn)在于控制由于浸入環(huán)境引起的缺點(diǎn)，包括氣泡和污染;抗蝕劑與流體或面漆的相容性，以及面漆的發(fā)展;抗蝕劑的折射指數(shù)大于1.8;折射指數(shù)大于1.65的流體滿足粘度、吸收和流體循環(huán)要求;折射指數(shù)大于1.6...

浸沒式光刻的原理 浸沒式光刻技術(shù)需要在光刻機(jī)投影物鏡***一個(gè)透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體。浸沒式光刻機(jī)工作時(shí)并不是把晶圓完全浸沒在水中，而只是在曝光區(qū)域與光刻機(jī)透鏡之間充滿水。光刻機(jī)的鏡頭必須特殊設(shè)計(jì)，以保證水隨著光刻機(jī)在晶圓表面做步進(jìn)-...

微納加工制造與測試技術(shù)作為我國從制造大國走向制造強(qiáng)國戰(zhàn)略的重要前沿交叉關(guān)鍵技術(shù)，對制造工業(yè)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級以及社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展都具有重要意義，***高度重視先進(jìn)傳感器技術(shù)的研究。MEMS傳感器研究要站在戰(zhàn)略的高度，重點(diǎn)關(guān)注其顛覆性技術(shù)和關(guān)鍵**技術(shù)的突破；微納制造技...

原位芯片掌握先進(jìn)的光刻技術(shù)，為企業(yè)提供光刻代加工服務(wù)。電子束曝光技術(shù)簡稱“光刻”，是當(dāng)前**常用的微納加工方案，充當(dāng)模板的是“光刻膠”。理論上光刻的精度可以達(dá)到1納米，但是實(shí)際情況下很難，儀器輕微的振動、外界磁場的干擾、操作人員的經(jīng)驗(yàn)都會影響**終結(jié)果?！澳壳半娮?..

微納加工制造與測試技術(shù)作為我國從制造大國走向制造強(qiáng)國戰(zhàn)略的重要前沿交叉關(guān)鍵技術(shù)，對制造工業(yè)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級以及社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展都具有重要意義，***高度重視先進(jìn)傳感器技術(shù)的研究。MEMS傳感器研究要站在戰(zhàn)略的高度，重點(diǎn)關(guān)注其顛覆性技術(shù)和關(guān)鍵**技術(shù)的突破；微納制造技...

作為一種新興的科學(xué)技術(shù)，微流控器件研究已經(jīng)涉及化學(xué)、生物學(xué)、工程學(xué)和物理學(xué)等諸多領(lǐng)域，學(xué)科交叉性強(qiáng)，在時(shí)間、空間和分析對象的精密操控上進(jìn)行突破，能夠解決生命分析的許多關(guān)鍵問題。作為芯片實(shí)驗(yàn)室(Lab on chip)的典型**技術(shù)，微流控技術(shù)發(fā)展迅速，目前已經(jīng)...

目前可以實(shí)現(xiàn)表面微納結(jié)構(gòu)的加工方法主要有以下幾種。 （1）光刻技術(shù)，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結(jié)構(gòu)，該方法優(yōu)勢在于精度高，得到的微納結(jié)構(gòu)形狀可以得到很好的控制； （2）飛秒激光加工技術(shù)，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點(diǎn)，可以加工...

微納加工制造與測試技術(shù)作為我國從制造大國走向制造強(qiáng)國戰(zhàn)略的重要前沿交叉關(guān)鍵技術(shù)，對制造工業(yè)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級以及社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展都具有重要意義，***高度重視先進(jìn)傳感器技術(shù)的研究。MEMS傳感器研究要站在戰(zhàn)略的高度，重點(diǎn)關(guān)注其顛覆性技術(shù)和關(guān)鍵**技術(shù)的突破；微納制造技...

"在微納加工世界，灰塵就是‘導(dǎo)彈’，頭發(fā)絲就是‘火箭’，平時(shí)我們不在意的小細(xì)節(jié)都會對芯片的精度產(chǎn)生重大影響！”微納加工平臺算得上是世上**干凈的實(shí)驗(yàn)室了，做微納加工工藝的工程師們，在進(jìn)入潔凈室前，首先要在更衣室里更換凈化服，還需佩戴頭套、口罩和手套。再經(jīng)過風(fēng)淋間...