作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的比較大厚度為28-30mm，例如可以是28mm、28.1mm、28.2mm、28.3mm、28.4mm、28.5mm、28.6mm、28.7mm、28.8mm、28.9mm、29mm、29.1mm、29.2mm、29.3mm、29.4mm、29.5mm、29.6mm、29.7mm、29.8mm、29.9mm或30mm等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地，所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面與水平面的夾角≤10°，例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面位于所述***平面和第二平面之間。 地，所述平面為圓形。 地，所述第二平面為環(huán)形。采用中頻電源或射頻電源，可以濺射不導(dǎo)電的陶瓷靶材。無錫C靶材定制
靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應(yīng)對？磁控濺射金屬靶時，無法起輝的原因有很多，常見主要原因有：1.靶材安裝準確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機器，把設(shè)備的濺射靶卸下來，靶附近的零件仔細清洗一下；----------壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當?shù)木嚯x，調(diào)整距離即可。5.永磁靶表面場強是否下降太多？---------如果下降太多，需要更換磁鋼。6.起輝濺射真空度與前次的差別？---------更換不同的靶材，起輝壓強不盡相同。換靶材后需要重新調(diào)功率匹配器的，只有功率匹配調(diào)好了才能正常起輝。福建LLZO靶材如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加。
靶材拋光裝置還包括：防護層，所述防護層位于所述固定板與所述拋光片之間。防護層為彈性材料。靶材拋光裝置還包括：把手，所述把手設(shè)置于所述固定板的外表面上。把手的數(shù)量為兩個，其中一個所述把手設(shè)置于所述固定板的頂部，另一個所述把手設(shè)置于所述固定板的側(cè)壁上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：提供的靶材拋光裝置的技術(shù)方案中，所述靶材拋光裝置包括：固定板，所述固定板包括頂板和位于所述頂板一側(cè)的側(cè)板；拋光片，位于所述固定板內(nèi)側(cè)面上，其中位于固定板彎折處的拋光片呈弧狀。位于固定板彎折處的拋光片表面適于對靶材經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光，位于側(cè)板上的所述拋光片表面適于對靶材側(cè)壁表面進行拋光。所述靶材拋光裝置能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱同時進行拋光，因此所述靶材拋光裝置有助于提高對靶材表面進行拋光的作業(yè)效率。
PVD技術(shù)常用的方法 PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。 電子束蒸發(fā) 電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。 濺射沉積 濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。 RF(射頻)濺射 RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質(zhì)膜，因而使用范圍較廣。 電弧離子鍍 陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積，該技術(shù)材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進行。
與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為10hv；所得靶材組件濺射強度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。對比例4與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為35hv；所得靶材組件濺射強度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。通過上述實施例和對比例的結(jié)果可知，本發(fā)明中，通過調(diào)整靶材表面的高度差及硬度，保證濺射強度，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。申請人聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細結(jié)構(gòu)特征，但本發(fā)明并不局限于上述詳細結(jié)構(gòu)特征，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細結(jié)構(gòu)特征才能實施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明所選用部件的等效替換以及輔助部件的增加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。以上詳細描述了本發(fā)明的 實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護范圍。濺射的時候會先濺射凸起，濺射時間長了，靶材自己就平了。所以物理不均勻的狀態(tài)不需要拋光。福建LLZO靶材
厚度適中：3mm左右，太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。無錫C靶材定制
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现?。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。 結(jié)果表明，選取適當?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結(jié)構(gòu)的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。無錫C靶材定制
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。