什么是電致變色，它有哪些分類：電致變色是指材料的光學屬性（反射率、透過率、吸收率等）在外加電場的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化的現(xiàn)象，在外觀上表現(xiàn)為顏色和透明度的可逆變化。具有電致變色性能的材料稱為電致變色材料，用電致變色材料做成的器件稱為電致變色器件。電致變色材料分類：一、無機電致變色材料無機電致變色材料的典型是三氧化鎢，目前，以WO3為功能材料的電致變色器件已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化。二、有機電致變色材料有機電致變色材料主要有聚噻吩類及其衍生物、紫羅精類、四硫富瓦烯、金屬酞菁類化合物等。以紫羅精類為功能材料的電致變色材料已經(jīng)得到實際應用。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。南京硫化鐵靶廠家
高純金屬的純度分析原則：高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計算的雜質(zhì)元素主要是金屬雜質(zhì)，不包括C,O,N,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標，一般單獨提出。依應用背景的不同，要求進行分析的雜質(zhì)元素種類少則十幾種,多則70多種。簡單的說高純金屬是幾個N(九)并不能真正的表達其純度,只有提供雜質(zhì)元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達高純金屬的純度水平。高純金屬的純度檢測應以實際應用需要作為主要標準，例如目前工業(yè)電解鈷的純度一般接99.99%,而且檢測的雜質(zhì)元素種類較少。我國電解鈷的有色金屬行業(yè)標準(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17個雜質(zhì)元素,Co9998電解鈷的雜質(zhì)總量不超過0.02，但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。合肥鈰靶為確保足夠的導熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。
磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設(shè)備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。
ITO薄膜制作過程中的影響因素 ITO薄膜在濺鍍過程中會產(chǎn)生不同的特性，有時候表面光潔度比較低，出現(xiàn)“麻點”的現(xiàn)象，有時候會出現(xiàn)高蝕間隔帶，在蝕刻時還會出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時候會出現(xiàn)微晶溝縫。 常用的ITO靶材是通過燒結(jié)法生產(chǎn)的，就是由氧化銦（In2O3）和氧化錫（SnO2）粉末按照一定的比例進行混合，通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半導體（氧化銦錫，ITO）。一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量，深灰色是好的，相反越黑質(zhì)量越差，我國生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。 研究顯示，在真空鍍膜機ITO薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達到低，而薄膜的結(jié)晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大，超過200℃后透射率趨于減弱；使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩(wěn)定，超過600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團聚現(xiàn)象嚴重，薄膜表面形貌破壞。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應對？
非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認為是制備低耗、理想的薄膜太陽能電池的材料。因此，如何制備多晶硅薄膜是一個非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法，它是在高溫退火的條件下，使非晶硅薄膜通過固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光譜，對用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過程進行了系統(tǒng)地研究。 在硅薄膜太陽能電池材料中，非晶硅薄膜太陽能電池制造工藝相對簡單，但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低，壽命短，穩(wěn)定性不好，并且存在光致衰退效應(S-W 效應)等缺點。單晶硅薄膜太陽能電池因為制作工藝和制作成本等原因始終得不到推廣，而多晶硅薄膜材料在長波段具有光敏性，能有效的吸收可見光并且具有光照穩(wěn)定性。1. 靶材安裝準確否? 2. 靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。揚州氧化鎳靶作用
而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。南京硫化鐵靶廠家
氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應氣體壓強對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。 2. 反應氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著反應氣體(如氮氣、氧氣)壓強(或流量)的逐步增加(一般應注意不要超過工藝設(shè)定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽極間放電的等效阻抗也會同步增高，磁控靶的濺射電流會逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止)，濺射工作電壓亦會同步上升。南京硫化鐵靶廠家
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。