為什么需在真空中鍍膜？ 在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜，事實上，如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結(jié)果， 比如在10 2托數(shù)量級下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發(fā)灰、發(fā)黑，而且機械強度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。 蒸鍍必須在一定的真空條件下進行，這是因為： （1）較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。 由于氣體分子的熱運動，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運動的速度相當?shù)母?( 可達每秒幾百米 ) 。 （2）在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下， 真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子( 氧、氮、水及碳氫化合物等 ) ，它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短；它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應； 它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發(fā)源高溫化合減少其使用壽命；它們在已蒸發(fā)的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進行……。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。揚州鈮鈦靶品牌
電子束鍍膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控濺射鍍膜 Pt-T4034 鉑 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控濺射鍍膜 Pd-T3575 鈀 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控濺射鍍膜 Ag-T4043 銀 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Al-T5015 鋁 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控濺射鍍膜 Ti-T4543 鈦 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Ni-T4562 鎳 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控濺射鍍膜 Cr-T4554 鉻 靶材 99.995% φ80*4mm 磁控濺射鍍膜 Si-T4533 硅 靶材 99.995% φ60*3mm 磁控濺射鍍膜 Au-W5004 金 絲 99.999% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Al-W5004 鋁 絲 99.999% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Ag-W4004 銀 絲 99.99% φ1mm 熱蒸發(fā)鍍膜 W-W4011 鍍鉻鎢絲 99.99% φ1*130mm 熱蒸發(fā)鍍膜 Au-W5002 鍵合金絲 φ25μm 500m/軸 耗材配件 W-B35310P 鉬舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 Mo-B35310P 鎢舟 310型 100*10*0.3mm 耗材配件 W-B35215Y 蝴蝶型鎢舟 215型 100*15*0.2mm 耗材配件 C-C4013 石墨 坩堝 25cc 尺寸可定制 耗材配件 Cu-C4014 銅 坩堝 30cc 尺寸可定制 耗材配件 W-C3515 鎢 坩堝 40cc 尺寸可定制 耗材配件 Pt-C3511 鉑 坩堝 7cc 尺寸可定制 耗材配件 SiO2-S4001 石英片 10*10*1mm磨邊 表面拋光 耗材配件 G-S4002 GGG襯底常州碳化鉭靶選型比如鋁靶材等活性金屬靶材，長期暴露在大氣中，表面容易形成一層氧化皮。
磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實際承載功率 磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時的承載功率，直接水冷卻靶實際的承載大功率可按略小于功率密度范圍的上限選取;間接水冷卻靶的實際承載大功率可按功率密度范圍上限值的二分之一左右選取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黃銅(Brass)和Al青銅(Al bronze) “自濺射”時，一般是選用經(jīng)過專門設計“靶材直接水冷卻”的磁控濺射靶。其使用時的承載功率，均需大于靶功率密度范圍的上限值(即>100W/cm2以上)。
目前市場上常見的合金靶材有哪些？ 鈦鋁靶材,TiAl靶材，鈦硅靶材,TiSi靶材，鈦鎢靶材,TiW靶材，鎢鈦靶材WTi靶材，鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材，鉻鋁靶材,CrAl靶材，鉻硅靶材,CrSi靶材，硅鋁靶材,SiAl靶材，鋅錫靶材,ZnSn靶材，鋅鋁靶材,ZnAl靶材，鋁銅靶材,AlCu靶材，鎳鉻靶材,NiCr靶材，鎳釩靶材,NiV靶材，鎳鐵靶材,NiFe靶材，鎳銅靶材,NiCu靶材，鐵鈷靶材,FeCo靶材，鈦鈮靶材,TiNb靶材，鈦鋯靶材,TiZr靶材，銦錫靶材,InSn靶材，銅鋯靶材,CuZr靶材，鎂鋅鈣靶材,MgZnCa靶材，鎳鉻銅靶材,NiCrCu靶材，鉬鈮靶材,MoNb靶材，鋁釹靶材,AlNd靶材，鋁鈧靶材,AlSc靶材，銀鋁靶材,AgAl靶材， 鉻鋁硅靶材,CrAlSi靶材，鏑鋁靶材,DyAl靶材，鈮鋯靶材,NbZr靶材等等。更換不同的靶材，起輝壓強不盡相同。 換靶材后需要重新調(diào)功率匹配器的，只有功率匹配調(diào)好了才能正常起輝。
真空鍍膜機在塑膠行業(yè)的應用 真空鍍膜機應該普遍，在塑料行業(yè)的應該也很普遍。而塑膠在生活，工業(yè)，電器，航空等領(lǐng)域都有涉及。塑膠具有易成型，價格便宜，質(zhì)量輕，防腐蝕等優(yōu)點，但塑膠的缺點也比較突出，其缺點也制約了塑膠的應用范圍，如不美觀、易老化、機械性能差、易碎易變型、耐熱差等。通過真空鍍膜機的應用，使塑膠表面鍍上特定膜層，東莞匯成真空自主研發(fā)生產(chǎn)的蒸發(fā)真空鍍膜設備將鍍膜機材料和塑膠產(chǎn)呂完美結(jié)合，提高了塑膠制品的物理、化學性能。 一、改善表面硬度，原塑膠表面比金屬軟而易受損害，通過真空鍍膜，硬度及耐磨性增加； 二、使塑料表面有導電性； 三、容易清洗，不吸塵； 四、改善塑膠外觀，表面光滑，金屬感強，色澤光鮮，裝飾性提高。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶中毒時，濺射電壓會***降低。鎮(zhèn)江氧化鋅鎵靶
所以結(jié)論就活性金屬靶材要求表面拋光，不活潑金屬靶材不一定非要求表面拋光。其他非金屬的靶材不需要拋光。揚州鈮鈦靶品牌
磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓;另一個是適當提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率 一般來說，磁控靶的濺射功率增高時，薄膜的沉積率速率也會變大;這里有一個先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽極間電場中獲得的能量，足以大過靶材的“濺射能量閥值”。揚州鈮鈦靶品牌
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。