非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有：化學氣相沉積包括低壓化學氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強化學氣相沉積(APCVD)、等離子體化學氣相沉積(PCVD)以及液相生長、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉化為多晶硅薄膜。它的特點是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導晶化、微波誘導晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高溫退火和激光誘導晶化的方式，利用X- 射線衍射及拉曼光譜，對制備的非晶硅薄膜晶化過程進行了系統(tǒng)地研究。選擇能實現(xiàn)快速致密化的成形燒結技術，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度。蘇州鋯靶材費用
任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。本發(fā)明涉及靶材領域，具體涉及一種長壽命靶材組件。
背景技術：
目前，現(xiàn)有的半導體濺射用ilc1013系列靶材的濺射壽命已經(jīng)到了一個極限，為提高靶材的使用壽命，節(jié)省多次更換靶材的重復性。現(xiàn)有的技術都是通過磁場強度，把靶材表面設計成曲面來延長壽命，公開了一種靶材，包括靶材本體及基體，所述基體的至少一面設有所述靶材本體，所述靶材本體是由高純度靶材合金粉末通過等離子弧噴涂機噴涂熔焊在所述基體上。所述基體與所述靶材本體的結合面為呈內(nèi)凹的圓弧面。所述基體為矩形體或圓形。所述靶材的制造方法步驟如下：(1)準備合金粉體；(2)準備基體；(3)等離子轉移弧噴涂成型；(4)、清理被噴涂層表面，按照步驟(3)的要求再次噴涂處理，直至獲得要求厚度的靶材。本發(fā)明有益效果在于：一是生產(chǎn)的靶材無氣孔殘留；二是生產(chǎn)設備簡單、投資?。蝗前胁目梢孕迯驮倮?。 南通鈦酸鑭鋰靶材廠家采用閉環(huán)控制反應氣體的通入量。
磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。
真空鍍膜設備替代電鍍設備是發(fā)展的必然 2012年全國化學電鍍產(chǎn)生的污水和重金屬排放量達到3.5億噸，固體廢物達到4.1萬噸，酸性氣體達到2.3萬立方米，由于真空鍍膜設備逐漸應用到市場上，污染排放量比2011年有所下降，但仍是一個不可忽視的數(shù)據(jù)，為處理這大量的污染，大部分企業(yè)已投放了共5868.1億元在污水治理方面，464.8億元在固體廢物治理方面，974.9億元在酸性氣體治理方面，但仍然有部分企業(yè)沒有完善治理措施，造成大量污染。 使用真空鍍膜設備進行電鍍可以有效改善污染情況，它不像化學電鍍需要使用重金屬溶液和酸性溶液進行鍍膜，而是在真空環(huán)境下利用蒸發(fā)或濺射方式進行鍍膜，完全沒有污染產(chǎn)生，是一種綠色低碳、符合可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)越來越多企業(yè)淘汰了舊方式化學電鍍而轉用真空電鍍，但還有很多企業(yè)沒意識到環(huán)保的重要性，不懂得綠色生產(chǎn)其實是為自己和后代創(chuàng)建美好生存環(huán)境的道理。 綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)是必然的發(fā)展趨勢，造成嚴重污染的化學電鍍終會退出歷史舞臺，取而代之的是真空電鍍，利用真空鍍膜機鍍膜成為主流是不可質疑的。所以如果是表面容易變質的靶材，如果不拋光去除表面變質部分，沉積到基材上的膜層性質就是表面變質的雜質。
PVD技術常用的方法 PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。 電子束蒸發(fā) 電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。 濺射沉積 濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。 RF(射頻)濺射 RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質膜，因而使用范圍較廣。 電弧離子鍍 陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積，該技術材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。由金屬靶面通過反應濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？南通氧化鎂靶材廠家
靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。蘇州鋯靶材費用
利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對不同退火溫度的樣品進行晶化程度的表征。實驗結果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。 此外，通過拉曼激光誘導晶化，結果表明：拉曼激光誘導非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點;晶化過程中，需要控制激光強度，過強的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。蘇州鋯靶材費用
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。