中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優(yōu)點(diǎn)： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數(shù)量級; (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點(diǎn)上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)長時間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？南京銅鋯靶費(fèi)用
磁控濺射離子鍍 (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負(fù)偏壓，利用負(fù)偏壓對離子的吸引和加速作用，是離子鍍與其它鍍膜類型的一個主要區(qū)別。蒸發(fā)鍍時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是蒸發(fā)離子鍍 ;多弧鍍時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時基體和工件上加有負(fù)偏壓就是磁控濺射離子鍍，這是磁控濺射離子鍍技術(shù)的一個重要特點(diǎn)。 (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結(jié)合起來的技術(shù)。在同一個真空腔體內(nèi)既可實(shí)現(xiàn)氬離子對磁控靶材的穩(wěn)定濺射，又實(shí)現(xiàn)了高能靶材離子在基片負(fù)偏壓作用下到達(dá)基片進(jìn)行轟擊、濺射、注入及沉積作用過程。整個鍍膜過程都存在離子對基片和工件表面的轟擊，可有效基片和工件表面的氣體和污物;使成膜過程中，膜層表面始終保持清潔狀態(tài)。 (3) 磁控濺射離子鍍可以在膜-基界面上形成明顯的混合過渡層(偽擴(kuò)散層)，提高膜層附著強(qiáng)度;可以使膜層與工件形成金屬間化合物和固熔體，實(shí)現(xiàn)材料表面合金化，甚至出現(xiàn)新的晶相結(jié)構(gòu)。 (4)磁控濺射離子鍍形成膜層的膜基結(jié)合力好、膜層的繞鍍性好、膜層組織可控參數(shù)多、膜層粒子總體能量高，容易進(jìn)行反應(yīng)沉積，可以在較低溫度下獲得化合物膜層。成都氟化鋅靶調(diào)試靶中毒的解決辦法：（1）采用中頻電源或射頻電源。
利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。 此外，通過拉曼激光誘導(dǎo)晶化，結(jié)果表明：拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點(diǎn);晶化過程中，需要控制激光強(qiáng)度，過強(qiáng)的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。
磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強(qiáng)度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓;另一個是適當(dāng)提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率 一般來說，磁控靶的濺射功率增高時，薄膜的沉積率速率也會變大;這里有一個先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽極間電場中獲得的能量，足以大過靶材的“濺射能量閥值”。使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。
一．靶材磁控濺射的原理是什么？磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，濺射靶材在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。
在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。 為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求靶材具有較高的密度。揚(yáng)州三氧化鎢靶費(fèi)用
影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。南京銅鋯靶費(fèi)用
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認(rèn)為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现?。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理?xiàng)l件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。 結(jié)果表明，選取適當(dāng)?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進(jìn)行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結(jié)構(gòu)的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。南京銅鋯靶費(fèi)用
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺，檢驗(yàn)設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。