甘肅半導體芯片封裝方案

來源: 發(fā)布時間:2024-04-13

合封電子、芯片合封和SiP系統(tǒng)級封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術,還是同一種技術的不同稱呼?本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統(tǒng)級封裝的定義,首先合封電子和芯片合封都是一個意思合封電子是一種將多個芯片(多樣選擇)或不同的功能的電子模塊(LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管)封裝在一起的定制化芯片,從而形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實現(xiàn)更復雜、更高效的任務。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術、SiP封裝技術等。SiP并沒有一定的結構形態(tài),芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。甘肅半導體芯片封裝方案

甘肅半導體芯片封裝方案,SIP封裝

SiP系統(tǒng)級封裝作為一種集成封裝技術,在滿足多種先進應用需求方面發(fā)揮著關鍵作用。以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力,為芯片和器件整合提供了新的可能性,目前其主要應用領域為射頻/無線應用、移動通信、網(wǎng)絡設備、計算機和外設、數(shù)碼產(chǎn)品、圖像、生物和MEMS傳感器等。固晶貼片機(Die bonder),是封裝過程中的芯片貼裝(Die attach)的主要設備。隨著SiP系統(tǒng)級封裝、3D封裝等先進封裝的普及,對固晶機設備在性能方面提出了更高的需求。上海IPM封裝參考價SiP封裝是將多個半導體及一些必要的輔助零件,做成一個相對單獨的產(chǎn)品。

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硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式,芯片一般用MicroBump與中介層連接,硅基板做中介層使用Bump與基板連接,硅基板的表面采用RDL接線,TSV是硅基板上、下表面的電連接通道,該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合,當引腳密度較大時,通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結構一般如下圖所示,有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上,該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大,可以安裝多個較小的裸芯片,但是小芯片無法直接連接到基板,所以需要插入一塊中介層,若干裸芯片安裝于中介層之上,中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號,再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV,只需在interposer的上層布線來實現(xiàn)電氣互連,interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。

sip封裝的優(yōu)缺點,SIP封裝的優(yōu)缺點如下:優(yōu)點:結構簡單:SIP封裝的結構相對簡單,制造和組裝過程相對容易。成本低:SIP封裝的制造成本較低,適合大規(guī)模生產(chǎn)??煽啃愿撸篠IP封裝具有較好的密封性能,可以免受環(huán)境影響,提高產(chǎn)品的可靠性。適應性強:SIP封裝適用于對性能要求不高且需要大批量生產(chǎn)的低成本電子產(chǎn)品。缺點:引腳間距限制:SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從2至23不等,這限制了其在一些高密度、高性能應用中的使用。不適用于高速傳輸:由于SIP封裝的引腳間距較大,不適合用于高速數(shù)據(jù)傳輸。散熱性能差:SIP封裝的散熱性能較差,可能不適用于高功耗的芯片。汽車電子里的 SiP 應用正在逐漸增加。

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無引線縫合(Wireless Bonding):1、定義,不使用金線連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類;3、TAB,① 工藝流程,使用熱棒工具,將劃片后的芯片Al焊盤(通過電鍍工藝形成Au凸點)與TAB引腳(在聚酰亞胺膠帶開頭處放置的Cu引腳上鍍金而成)進行熱黏合,使其鍵合到一起。② 特色,TAB引線有規(guī)則地排列在聚酰亞胺帶上,以卷軸的形式存放。4、FCB,F(xiàn)CB工藝流程:① 在芯片電極上形成金球凸點;② 將芯片翻轉朝下,與高性能LSI專門使用的多層布線封裝基板的電極對齊,然后加熱連接;③ 注入樹脂以填滿芯片與封裝基板之間的間隙(底部填充);④ 在芯片背面貼上散熱片,在封裝基板外部引腳掛上錫球。隨著SiP系統(tǒng)級封裝、3D封裝等先進封裝的普及,對固晶機設備在性能方面提出了更高的需求。陜西BGA封裝

SiP封裝方法的應用領域逐漸擴展到工業(yè)控制、智能汽車、云計算、醫(yī)療電子等許多新興領域。甘肅半導體芯片封裝方案

SiP 封裝優(yōu)勢。在IC封裝領域,是一種先進的封裝,其內涵豐富,優(yōu)點突出,已有若干重要突破,架構上將芯片平面放置改為堆疊式封裝,使密度增加,性能較大程度上提高,表示著技術的發(fā)展趨勢,在多方面存在極大的優(yōu)勢特性,體現(xiàn)在以下幾個方面。SiP 實現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。采用要給封裝體來完成一個系統(tǒng)目標產(chǎn)品的全部互聯(lián)以及功能和性能參數(shù),可同時利用引線鍵合與倒裝焊互連技術以及別的IC芯片堆疊等直接內連技術,將多個IC芯片與分立有源和無源器件封裝在一個管殼內。甘肅半導體芯片封裝方案

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