對于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個內(nèi)存芯片放在一個封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開發(fā)的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達 24 個芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來解決復雜的測試、良率和運輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。隨...

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。在當前時代，Sip系統(tǒng)級封裝（...

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應該是一個與外部沒有任何連接的單獨組件。它是一個定制組件，非常適合它想要做的工作，同時不需要外部物理連接進行通信或供電。它應該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進行無線通信。此外，它應該相對便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運行，并在發(fā)生故障時廉價更換。隨著對越來越簡化和系統(tǒng)級集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因為系統(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來越接近較終目標：較終SiP。一個SiP可以選擇性地包含無源器件、MEMS、光學元件以及其他封...

SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別？SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造，也不需要采用同樣的工藝，同時較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過先進封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來需要一次性流片的大芯片，改為若干顆小面積的芯片，然后通過先進的封裝工藝，即硅片層面的封裝，將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片，從而實現(xiàn)大芯片的功能和性能，其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此，Chiplet 可以說是封裝中的單元，先進封...

系統(tǒng)集成封裝（System in Package）可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中，以實現(xiàn)更高的性能，功能和處理速度，同時大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義，SiP封裝（System In Package系統(tǒng)級封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能，與SOC（System On Chip系統(tǒng)級芯片）相對應。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進行并排或疊構(gòu)后組成功能系統(tǒng)后進行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進行封裝。構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。山東SIP...

SiP 封裝優(yōu)勢。在IC封裝領(lǐng)域，是一種先進的封裝，其內(nèi)涵豐富，優(yōu)點突出，已有若干重要突破，架構(gòu)上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能較大程度上提高，表示著技術(shù)的發(fā)展趨勢，在多方面存在極大的優(yōu)勢特性，體現(xiàn)在以下幾個方面。SiP 實現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。采用要給封裝體來完成一個系統(tǒng)目標產(chǎn)品的全部互聯(lián)以及功能和性能參數(shù)，可同時利用引線鍵合與倒裝焊互連技術(shù)以及別的IC芯片堆疊等直接內(nèi)連技術(shù)，將多個IC芯片與分立有源和無源器件封裝在一個管殼內(nèi)。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。吉林BGA封裝定制SIP優(yōu)點：1、高生產(chǎn)效率，通過SIP里整合分離被動元...

突破「微小化」競爭格局，憑借異質(zhì)整合微小化優(yōu)勢，系統(tǒng)級封裝能集成不同制程技術(shù)節(jié)點 (technology node)，不同功能、不同供貨商，甚至是不同半導體原材料的組件，整體可為產(chǎn)品節(jié)省約30-40%的空間，也能依據(jù)需求客制模塊外型并一定程度簡化系統(tǒng)主板設計，讓主板、天線及機構(gòu)的設計整合上更加有彈性。同時，相較于IC制程的開發(fā)限制，系統(tǒng)整合模塊可以在系統(tǒng)等級功能就先進行驗證與認證，加速終端產(chǎn)品開發(fā)，集中系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)資源。 SiP技術(shù)是全球封測業(yè)者較看重的焦點，系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)的突破正在影響產(chǎn)業(yè)供應鏈、改變競爭格局。云茂電子從Wi-Fi模塊產(chǎn)品就開始進行布局、站穩(wěn)腳步，積累多年在射頻...

隨著科技的不斷進步，半導體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝（System in Package，簡稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中，不只有效節(jié)省空間，實現(xiàn)更高的集成度，還提高了性能，這對于追求高性能和緊湊設計的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù)，它允許將多個集成電路（IC）或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種技術(shù)可以實現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP...

SiP 封裝優(yōu)勢：1）封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。把垂直方向的空間利用起來，同時不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進的封裝技術(shù)可以實現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。通信SiP在無線通信領(lǐng)域的應用較早，也是應用較為普遍的領(lǐng)域。重慶BGA封裝工藝SiP芯片成品的制...

光電器件、MEMS 等特殊工藝器件的微小化也將大量應用 SiP 工藝。SiP 發(fā)展的難點隨著 SiP 市場需求的增加，SiP 封裝行業(yè)的痛點也開始凸顯，例如無 SiP 行業(yè)標準，缺少內(nèi)部裸片資源，SiP 研發(fā)和量產(chǎn)困難，SiP 模塊和封裝設計有難度。由于 SiP 模組中集成了眾多器件，假設每道工序良率有一點損失，疊乘后，整個模組的良率損失則會變得巨大，這對封裝工藝提出了非常高的要求。并且 SiP 技術(shù)尚屬初級階段，雖有大量產(chǎn)品采用了 SiP 技術(shù)，不過其封裝的技術(shù)含量不高，系統(tǒng)的構(gòu)成與在 PCB 上的系統(tǒng)集成相似，無非是采用了未經(jīng)封裝的芯片通過 COB 技術(shù)與無源器件組合在一起，系統(tǒng)內(nèi)的多數(shù)無...

植入錫球的BGA封裝：① 植球，焊錫球用于高可靠性產(chǎn)品（汽車電子）等的倒裝芯片連接，使用的錫球大多為普通的共晶錫料。植入錫球的BGA封裝，工藝流程：使用焊錫球吸附夾具對焊錫球進行真空吸附，該夾具將封裝引腳的位置與裝有焊錫球的槽對齊，通過在預先涂有助焊劑的封裝基板的引腳位置植入錫球來實現(xiàn)。SIP：1、定義，SIP（System In Package）是將具有各種特定功能的LSI封裝到一個封裝中。而系統(tǒng)LSI是將單一的SoC（System on Chip）集成到一個芯片中。2、Sip封裝類型：① 通過引線縫合的芯片疊層封裝，② 充分利用倒裝焊技術(shù)的3D封裝。在當前時代，Sip系統(tǒng)級封裝（Syste...

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝，若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進一步增強SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關(guān)鍵載體。山東陶瓷封裝方案3D SIP。3D封裝...

應用領(lǐng)域，SiP技術(shù)的應用領(lǐng)域非常普遍，包括但不限于：智能手機和平板電腦：SiP技術(shù)使得這些設備能夠在有限的空間內(nèi)集成更多的功能，如高性能處理器、內(nèi)存和傳感器。可穿戴設備：支持可穿戴設備的小型化設計，同時集成必要的傳感器和處理能力。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設備：為IoT設備提供了一種高效的方式來集成通信模塊、處理器和其他傳感器。汽車電子：隨著汽車逐漸變得“更智能”，SiP技術(shù)在汽車電子中的應用也在增加，用于控制系統(tǒng)、導航和安全特性等。盡管SiP技術(shù)有許多優(yōu)勢，但也面臨一些挑戰(zhàn)：熱管理：多個功率密集型組件集成在一起可能導致熱量積聚。設計復雜性：設計一個SiP需要多學科的知識，包括電子、機械和熱學。測試和...

SIP工藝解析：裝配焊料球，目前業(yè)內(nèi)采用的植球方法有兩種：“錫膏”+“錫球”和“助焊膏”+“錫球”。(1)“錫膏”+“錫球”，具體做法就是先把錫膏印刷到BGA的焊盤上，再用植球機或絲網(wǎng)印刷在上面加上一定大小的錫球。(2)“助焊膏”+“錫球”，“助焊膏”+“錫球”是用助焊膏來代替錫膏的角色。分離，為了提高生產(chǎn)效率和節(jié)約材料，大多數(shù)SIP的組裝工作都是以陣列組合的方式進行，在完成模塑與測試工序以后進行劃分，分割成為單個的器件。劃分分割主要采用沖壓工藝。SiP技術(shù)是一項先進的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SiP技術(shù)具有一系列獨特的技術(shù)優(yōu)勢。湖北BGA封裝哪家好除了2D和3D的封裝結(jié)構(gòu)外，...

SIP優(yōu)點：1、高生產(chǎn)效率，通過SIP里整合分離被動元件，降低不良率，從而提高整體產(chǎn)品的成品率。模組采用高階的IC封裝工藝，減少系統(tǒng)故障率。2、簡化系統(tǒng)設計，SIP將復雜的電路融入模組中，降低PCB電路設計的復雜性。SIP模組提供快速更換功能，讓系統(tǒng)設計人員輕易加入所需功能。3、成本低，SIP模組價格雖比單個零件昂貴，然而PCB空間縮小，低故障率、低測試成本及簡化系統(tǒng)設計，使總體成本減少。4、簡化系統(tǒng)測試，SIP模組出貨前已經(jīng)過測試，減少整機系統(tǒng)測試時間。微晶片的減薄化是SiP增長面對的重要技術(shù)挑戰(zhàn)。重慶系統(tǒng)級封裝廠家晶圓級封裝（WLP）：1、定義，在晶圓原有狀態(tài)下重新布線，然后用樹脂密封，再...

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對于具有 GHz 級信號傳輸?shù)母咝阅軕?，導體損耗和介電損耗會引起信號衰減，并導致低壓差分信號中的眼圖不清晰。信號走線設計的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進步伴隨著主要電壓較低的器件，這導致噪聲容限更小，較終導致對噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。安徽SIP封裝方案封裝（Package），是...

隨著物聯(lián)網(wǎng)時代越來越深入人心，不斷的開發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，減少批量要求和初始投資，并在系統(tǒng)簡化方面呈現(xiàn)積極趨勢。此外，制造越來越大的單片SoC的推動力開始在設計驗證和可制造性方面遇到障礙，因為擁有更大的芯片會導致更大的故障概率，從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來看，SiP是SoC的未來替代品，因為它們可以集成較新的標準和協(xié)議，而無需重新設計。此外，SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送，這是在考慮Si應用的長期前景時另一個令人鼓舞的因素。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。山西WLCSP封裝型式系統(tǒng)級封裝的簡短歷史，在1980年代，SiP以...

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通過將多個芯片或模塊封裝在一起，合封芯片可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強，合封芯片：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，合封芯片可以減少故障率。功耗降低、開發(fā)簡單，合封芯片：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個系統(tǒng)的功耗。此外，通過優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進一步降低功耗。防抄襲，多個芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購，也無法模仿抄襲。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術(shù)。上海IPM封裝方案失效...

系統(tǒng)級封裝的優(yōu)勢，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個或多個芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個芯片上，然后將其封裝到單個芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨芯片，將它們連接并組合成單個封裝到單個基板（PCB）上?？紤]到這一點，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進步為使用 ...

SiP 可以將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，諸如 MEMS 或者光學器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。這么看來，SiP 和 SoC 極為相似，兩者的區(qū)別是什么？能較大限度地優(yōu)化系統(tǒng)性能、避免重復封裝、縮短開發(fā)周期、降低成本、提高集成度。對比 SoC，SiP 具有靈活度高、集成度高、設計周期短、開發(fā)成本低、容易進入等特點。而 SoC 發(fā)展至今，除了面臨諸如技術(shù)瓶頸高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生產(chǎn)良率低等技術(shù)挑戰(zhàn)尚待克服外，現(xiàn)階段 SoC 生產(chǎn)成本高，以及其所需研發(fā)時間過長等因素，都造成 SoC ...

隨著科技的不斷進步，半導體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝（System in Package，簡稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中，不只有效節(jié)省空間，實現(xiàn)更高的集成度，還提高了性能，這對于追求高性能和緊湊設計的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù)，它允許將多個集成電路（IC）或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種技術(shù)可以實現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP...

SiP 封裝優(yōu)勢：1）短產(chǎn)品研制和投放市場的周期，SiP在對系統(tǒng)進行功能分析和劃分后，可充分利用商品化生產(chǎn)的芯片資源，經(jīng)過合理的電路互連結(jié)構(gòu)及封裝設計，易于修改、生產(chǎn)，力求以較佳方式和較低成本達到系統(tǒng)的設計性能，無需像SoC那樣進行版圖級布局布線，從而減少了設計、驗證、調(diào)試的復雜性與系統(tǒng)實現(xiàn)量產(chǎn)的時間，可比SoC節(jié)省更多的系統(tǒng)設計和生產(chǎn)費用，投放市場的時間至少可減少1/4。2）所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。湖南IPM封裝定制SIP工藝解析：裝...

近年來，SiP (System in Package, 系統(tǒng)級封裝）主要應用于消費電子、無線通信、汽車電子等領(lǐng)域，特別是以蘋果、華為、榮耀、小米為表示的科技巨頭的驅(qū)動下，SiP技術(shù)得到迅速的發(fā)展。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高，這種封裝方法的應用領(lǐng)域逐漸擴展到工業(yè)控制、智能汽車、云計算、醫(yī)療電子等許多新興領(lǐng)域。從封裝本身的角度看，SiP可以有效地縮小芯片系統(tǒng)的體積，提升產(chǎn)品性能，尤其適合消費類電子產(chǎn)品的應用，越來越被市場所重視，也成為未來熱門的封裝技術(shù)發(fā)展方向之一。SiP (System in Package, 系統(tǒng)級封裝）主要應用于消費電子、無線通信、汽車電子等領(lǐng)域。...

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過將多個芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強，合封電子：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開發(fā)簡單，合封電子：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個系統(tǒng)的功耗。此外，通過優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進一步降低功耗。防抄襲，多個芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購，也無法模仿抄襲。SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使電子產(chǎn)品在緊湊設計的同時仍能實...

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術(shù)中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合，當引腳密度較大時，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個較小的裸芯片，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，...

基板的分類：封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認可的是從增強材料和結(jié)構(gòu)兩方面進行分類。結(jié)構(gòu)分類：剛性基板材料和柔性基板材料。增強材料分類：有有機系（樹脂系）、無機系（陶瓷系、金屬系）和復合系；基板的處理，基板表面處理方式主要有：熱風整平、有機可焊性保護涂層、化學鎳金、電鍍金。化學鎳金：化學鎳金是采用金鹽及催化劑在80~100℃的溫度下通過化學反應析出金層的方法進行涂覆的，成本比電鍍低，但是難以控制沉淀的金屬厚度，表面硬并且平整度差，不適合作為采用引線鍵合工藝封裝基板的表面處理方式。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點。上海BGA封裝參考價5G手機集成度的進一步提高，極大提升了S...

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。汽車汽車電子是 SiP 的重要...

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。更為重要的是，SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使得電子產(chǎn)品在緊湊設計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報告，2022年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入達到212億美元。受5G、人工智能、高性能計算、自動駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細分市場的異構(gòu)集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢的推動，預計到2028年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元，年復合增長率為8.1%。SiP 實現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。廣東WLCSP封裝方案系統(tǒng)級封裝的優(yōu)勢，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個組件集成...

3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區(qū)別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。SiP封裝基板具有薄形化、高密...

PoP(Package-on-Package)，是用于將邏輯器件和存儲器器件進行疊層封裝的技術(shù)。通常情況下底層多為邏輯器件，例如移動電話基帶（調(diào)制解調(diào)器）處理器或應用處理器，上層為存儲器，例如閃存或者疊層內(nèi)存芯片。顯然，這種垂直組合封裝的一個優(yōu)點是節(jié)省了電路板空間。適用于需要在更小空間內(nèi)實現(xiàn)更多功能的應用，例如數(shù)碼相機、PDA、MP3 播放器和移動游戲設備等。POP的工藝流程，PoP的組裝方式目前有兩種。一種是預制PoP工序，即先將PoP的多層封裝堆疊到一起，焊接成一個元器件，再貼裝到PCB上，然后再進行一次回流焊。一種是在板PoP工序上，依次將底部的BGA和頂部BGA封裝在PCB上，然后過一...