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SMT制程在SIP工藝流程中的三部分都有應(yīng)用：1st SMT PCB貼片 + 3rd SMT FPC貼鎳片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效機(jī)理，主要失效模式：(1) 焊接異常：IC引腳錫渣、精密電阻連錫。? 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）膠填充不佳，導(dǎo)致錫進(jìn)入IC引腳或器件焊盤間空洞造成短路。(2) 機(jī)械應(yīng)力損傷：MOS芯片、電容裂紋。? 原因分析：(1) SiP注塑后固化過程產(chǎn)生的應(yīng)力;（2）設(shè)備/治具產(chǎn)生的應(yīng)力。(3) 過電應(yīng)力損傷：MOS、電容等器件EOS損傷。? 原因分析：PCM SiP上的器件受電應(yīng)力損傷（ESD、測(cè)試設(shè)備浪涌等）。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。陜西IPM封裝定制

包裝，主要目的是保證運(yùn)輸過程中的產(chǎn)品安全，及長(zhǎng)期存放時(shí)的產(chǎn)品可靠性。對(duì)包裝材料的強(qiáng)度、重量、溫濕度特性、抗靜電性能都有一定的要求。主要材料有Tray盤，抗靜電袋，干燥劑、濕度卡，紙箱等。包裝完畢后，直接入庫(kù)或按照要求裝箱后直接發(fā)貨給客戶。倒裝焊封裝工藝工序介紹，焊盤再分布，為了增加引線間距并滿足倒裝焊工藝的要求，需要對(duì)芯片的引線進(jìn)行再分布。制作凸點(diǎn)，焊盤再分布完成之后，需要在芯片上的焊盤添加凸點(diǎn)，焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印盡4法。目前仍以電鍍法較為普遍，其次是焊膏印刷法。陜西IPM封裝定制SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體。

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度，因?yàn)槠浼擅芏瘸搅?D，但又達(dá)不到3D集成密度，取其折中，因此被稱為2.5D。其中的表示技術(shù)包括英特爾的EMIB、臺(tái)積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線和過孔，在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也可以沒有TSV，但在進(jìn)行高密度互連時(shí)，TSV幾乎是不可或缺的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

系統(tǒng)級(jí)封裝的簡(jiǎn)短歷史，在1980年代，SiP以多芯片模塊的形式提供。它們不是簡(jiǎn)單的將芯片放在印刷電路板上，而是通過將芯片組合到單個(gè)封裝中來降低成本和縮短電信號(hào)需要傳輸?shù)木嚯x，通過引線鍵合進(jìn)行連接的。半導(dǎo)體開發(fā)和發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力是集成。從SSI（小規(guī)模集成 - 單個(gè)芯片上的幾個(gè)晶體管）開始，該行業(yè)已經(jīng)轉(zhuǎn)向MSI（中等規(guī)模集成 - 單個(gè)芯片上數(shù)百個(gè)晶體管），LSI（大規(guī)模集成 - 單個(gè)芯片上數(shù)萬個(gè)晶體管），ULSI（超大規(guī)模集成 - 單個(gè)芯片上超過一百萬個(gè)晶體管），VLSI（超大規(guī)模集成 - 單個(gè)芯片上數(shù)十億個(gè)晶體管），然后是WSI（晶圓級(jí)集成 - 整體）晶圓成為單個(gè)超級(jí)芯片）。所有這些都是物理集成指標(biāo)，沒有考慮所需的功能集成。因此，出現(xiàn)了幾個(gè)術(shù)語來填補(bǔ)空白，例如ASIC（專門使用集成電路）和SoC（片上系統(tǒng)），它們將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到更多的系統(tǒng)集成上。SiP技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SiP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。廣西BGA封裝服務(wù)商

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝為設(shè)備提供了更高的性能和更低的能耗，使電子產(chǎn)品在緊湊設(shè)計(jì)的同時(shí)仍能實(shí)現(xiàn)突出的功能。陜西IPM封裝定制

系統(tǒng)集成封裝（System in Package）可將多個(gè)集成電路 (IC) 和元器件組合到單個(gè)系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)更高的性能，功能和處理速度，同時(shí)大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。SiP的基本定義，SiP封裝（System In Package系統(tǒng)級(jí)封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能，與SOC（System On Chip系統(tǒng)級(jí)芯片）相對(duì)應(yīng)。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進(jìn)行并排或疊構(gòu)后組成功能系統(tǒng)后進(jìn)行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進(jìn)行封裝。陜西IPM封裝定制