安徽半導(dǎo)體芯片封裝方案

PiP封裝的優(yōu)點(diǎn)：1）外形高度較低；2）可以采用標(biāo)準(zhǔn)的SMT電路板裝配工藝；3）單個(gè)器件的裝配成本較低。PiP封裝的局限性：（1）由于在封裝之前單個(gè)芯片不可以單獨(dú)測(cè)試，所以總成本會(huì)高（封裝良率問(wèn)題）；（2）事先需要確定存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，器件只能有設(shè)計(jì)服務(wù)公司決定，沒(méi)有終端使用者選擇的自由。TSV，W2W的堆疊是將完成擴(kuò)散的晶圓研磨成薄片，逐層堆疊而成。層與層之間通過(guò)直徑在10μm以下的細(xì)微通孔而實(shí)現(xiàn)連接。此種技術(shù)稱為TSV（Through silicon via）。與常見(jiàn)IC封裝的引線鍵合或凸點(diǎn)鍵合技術(shù)不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度更大、外形尺寸更小，并且較大程度上改善芯片速度和降低功耗，成為3D芯片新的發(fā)展方向。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。安徽半導(dǎo)體芯片封裝方案

系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）是將多個(gè)集成電路（IC）和無(wú)源元件捆綁到單個(gè)封裝中，在單個(gè)封裝下它們協(xié)同工作的方法。這與片上系統(tǒng)（SoC）形成鮮明對(duì)比，功能則集成到同一個(gè)芯片中。將基于各種工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在襯底上。該封裝由內(nèi)部接線進(jìn)行連接，將所有芯片連接在一起形成一個(gè)功能系統(tǒng)。系統(tǒng)級(jí)封裝類似于片上系統(tǒng)(SOC)，但它的集成度較低，并且使用的不是單一半導(dǎo)體制造工藝。常見(jiàn)的SiP解決方案可以利用多種封裝技術(shù)，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級(jí)封裝等。封裝在系統(tǒng)中的集成電路和其他組件的數(shù)量可變，理論上是無(wú)限的，因此，工程師基本上可以將整個(gè)系統(tǒng)集成到單個(gè)封裝中。南通芯片封裝技術(shù)在固晶過(guò)程中，需要對(duì)芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。

SIP類型，從目前業(yè)界SIP的設(shè)計(jì)類型和結(jié)構(gòu)區(qū)分，SIP可分為以下幾類。2D SIP，2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無(wú)源器件的集成方式。以基板（Substrate）上表面的左下角為原點(diǎn)，基板上表面所處的平面為XY平面，基板法線為Z軸，創(chuàng)建坐標(biāo)系。2D封裝方面包含F(xiàn)OWLP、FOPLP和其他技術(shù)。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無(wú)源器件均安裝在基板平面，芯片和無(wú)源器件與XY平面直接接觸，基板上的布線和過(guò)孔位于XY平面下方。電氣連接：均需要通過(guò)基板（除了極少數(shù)通過(guò)鍵合線直接連接的鍵合點(diǎn)）。

汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場(chǎng)景。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。以發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）舉例，ECU 由微處理器（CPU）、存儲(chǔ)器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D）以及整形、驅(qū)動(dòng)等大規(guī)模集成電路組成。各類型的芯片之間工藝不同，目前較多采用 SiP 的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統(tǒng)。另外，汽車防抱死系統(tǒng)（ABS)、燃油噴射控制系統(tǒng)、安全氣囊電子系統(tǒng)、方向盤控制系統(tǒng)、輪胎低氣壓報(bào)警系統(tǒng)等各個(gè)單元，采用 SiP 的形式也在不斷增多。汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場(chǎng)景。

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過(guò)將多個(gè)芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強(qiáng)，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。此外，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進(jìn)一步降低功耗。防抄襲，多個(gè)芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購(gòu)，也無(wú)法模仿抄襲。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。深圳半導(dǎo)體芯片封裝行價(jià)

隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。安徽半導(dǎo)體芯片封裝方案

不同類別芯片進(jìn)行3D集成時(shí)，通常會(huì)把兩個(gè)不同芯片豎直疊放起來(lái)，通過(guò)TSV進(jìn)行電氣連接，與下面基板相互連接，有時(shí)還需在其表面做RDL，實(shí)現(xiàn)上下TSV連接。4D SIP，4D集成定義主要是關(guān)于多塊基板的方位和相互連接方式，因此在4D集成也會(huì)包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理結(jié)構(gòu)：多塊基板采用非平行的方式進(jìn)行安裝，且每一塊基板上均設(shè)有元器件，元器件的安裝方式具有多樣性。電氣連接：基板間采用柔性電路或焊接的方式相連，基板中芯片的電氣連接多樣化。安徽半導(dǎo)體芯片封裝方案