貴州SIP封裝方案

模擬模塊無法從較低的工藝集成中受益。正因為如此，并且由于試圖將模擬模塊保留在sperate工藝技術（BCD，BiCMOS，SiGe）上的復雜性增加，這使得SiP成為縮小系統(tǒng)尺寸的更具吸引力的選擇。天線、MEMS 傳感器、無源元件（例如：大電感器）等外部器件無法裝入 SoC。因此，工程師需要使用SiP技術為客戶提供完整的解決方案。交付模塊而不是芯片是一種趨勢，由于無線應用（如藍牙模塊）而開始，以幫助客戶快速進入市場，而無需從頭開始設計。相反，他們使用由整個系統(tǒng)組成的SiP模塊。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術特點。貴州SIP封裝方案

系統(tǒng)級封裝（SiP）技術種類繁多，裸片與無源器件貼片，植球——將焊錫球置于基板焊盤上，用于電氣連接，回流焊接（反面）——通過控制加溫熔化焊料達到器件與基板間的，鍵合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護裸片及器件，減薄——通過研磨將多余的塑封材料去除，BGA植球——進行成品的BGA（球柵陣列封裝）植球，切割——將整塊基板切割為多個SiP成品。通過測試后的芯片成品，將被集成在各類智能產品內，較終應用在智能生活的各個領域。北京MEMS封裝服務商SiP系統(tǒng)級封裝作為一種集成封裝技術，在滿足多種先進應用需求方面發(fā)揮著關鍵作用。

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。更為重要的是，SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使得電子產品在緊湊設計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報告，2022年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入達到212億美元。受5G、人工智能、高性能計算、自動駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細分市場的異構集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢的推動，預計到2028年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元，年復合增長率為8.1%。

SIP類型，從目前業(yè)界SIP的設計類型和結構區(qū)分，SIP可分為以下幾類。2D SIP，2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無源器件的集成方式。以基板（Substrate）上表面的左下角為原點，基板上表面所處的平面為XY平面，基板法線為Z軸，創(chuàng)建坐標系。2D封裝方面包含F(xiàn)OWLP、FOPLP和其他技術。物理結構：所有芯片和無源器件均安裝在基板平面，芯片和無源器件與XY平面直接接觸，基板上的布線和過孔位于XY平面下方。電氣連接：均需要通過基板（除了極少數(shù)通過鍵合線直接連接的鍵合點）。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術。

SIP工藝解析，引線鍵合封裝工藝工序介紹：圓片減薄，為保持一定的可操持性，F(xiàn)oundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測廠必須將其研磨減薄，才適用于切割、組裝，一般需要研磨到200um左右，一些疊die結構的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割，圓片減薄后，可以進行劃片，劃片前需要將晶元粘貼在藍膜上，通過sawwing工序，將wafer切成一個 一個 單獨的Dice。目前主要有兩種方式：刀片切割和激光切割。芯片粘結，貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結劑粘貼到金屬框架上。SiP系統(tǒng)級封裝技術將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。天津WLCSP封裝

SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體。貴州SIP封裝方案

SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術，封裝成型可依據(jù)客戶設計制作不同形狀模塊，甚至是3D立體結構，藉此可將整體尺寸縮小，預留更大空間放置電池，提供更大電力儲存，延長產品使用時間，但功能更多、速度更快，因此特別適用于射頻相關應用如5G毫米波模塊、穿戴式裝置及汽車電子等領域。微小化制程三大關鍵技術，在設計中元器件的數(shù)量多寡及排布間距，即是影響模塊尺寸的較主要關鍵。要能夠實現(xiàn)微小化，較重要的莫過于三項制程技術：塑封、屏蔽及高密度打件技術。貴州SIP封裝方案