陜西半導體芯片封裝定制

來源: 發(fā)布時間:2024-06-04

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式,芯片一般用MicroBump與中介層連接,硅基板做中介層使用Bump與基板連接,硅基板的表面采用RDL接線,TSV是硅基板上、下表面的電連接通道,該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合,當引腳密度較大時,通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結(jié)構(gòu)一般如下圖所示,有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上,該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大,可以安裝多個較小的裸芯片,但是小芯片無法直接連接到基板,所以需要插入一塊中介層,若干裸芯片安裝于中介層之上,中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號,再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV,只需在interposer的上層布線來實現(xiàn)電氣互連,interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。SiP 封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。陜西半導體芯片封裝定制

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SiP技術特點:制造工藝,SiP的制造涉及多種工藝,包括:基板技術:提供電氣連接和物理支持的基板,可以是有機材料(如PCB)或無機材料(如硅、陶瓷)。芯片堆疊:通過垂直堆疊芯片來節(jié)省空間,可能使用通過硅孔(TSV)技術來實現(xiàn)內(nèi)部連接。焊接和鍵合:使用焊球、金線鍵合或銅線鍵合等技術來實現(xiàn)芯片之間的電氣連接。封裝:較終的SiP模塊可能采用BGA(球柵陣列)、CSP(芯片尺寸封裝)或其他封裝形式。SiP 封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。陜西半導體芯片封裝定制不同的芯片排列方式,與不同的內(nèi)部接合技術搭配,使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

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至于較初對SiP的需求,我們只需要看微處理器。微處理器的開發(fā)和生產(chǎn)要求與模擬電路、電源管理設備或存儲設備的要求大不相同。這導致系統(tǒng)層面的集成度明顯提高。盡管SiP一詞相對較新,但在實踐中SiP長期以來一直是半導體行業(yè)的一部分。在1970年代,它以自由布線、多芯片模塊(MCM)和混合集成電路(HIC) 的形式出現(xiàn)。在 1990 年代,它被用作英特爾奔騰 Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今,SiP已經(jīng)變成了一種解決方案,用于將多個芯片集成到單個封裝中,以減少空間和成本。

SiP 封裝優(yōu)勢:1)封裝面積增大,SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。把垂直方向的空間利用起來,同時不必增加引出管腳,芯片疊裝在同一個殼體內(nèi),整體封裝面積較大程度上減少。2)采用超薄的芯片堆疊與TSV技術使得多層芯片的堆疊封裝體積減小,先進的封裝技術可以實現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3)所有元件在一個封裝殼體內(nèi),縮短了電路連接,見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光,電等信號的性能。4)SiP 可將不同的材料,兼容不同的GaAs,Si,InP,SiC,陶瓷,PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術。

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無須引線框架的BGA:1、定義,LSI芯片四周引出來的像蜈蚣腳一樣的端子為引線框架,而BGA(Ball Grid Array)無須這種引線框架。2、意義:① 隨著LSI向高集成度、高性能不斷邁進,引腳數(shù)量不斷增加(如DIP與QFP等引線框架類型的封裝,較大引腳數(shù)、引腳間距、切筋使用的刀片厚度與精度均達到極限);② 引線框架的引腳越小,彎曲問題就越嚴重,會嚴重妨礙后續(xù)線路板的安裝,因此需要尋求不需要引線端子的封裝,即BGA類型的封裝(需在封裝樹脂底板上植球(焊錫球),以及分割封裝的工序)。SiP是理想的解決方案,綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢,降低成本,縮短上市時間。福建系統(tǒng)級封裝供應

SiP封裝是將多個半導體及一些必要的輔助零件,做成一個相對單獨的產(chǎn)品。陜西半導體芯片封裝定制

較終的SiP是什么樣子的呢?理論上,它應該是一個與外部沒有任何連接的單獨組件。它是一個定制組件,非常適合它想要做的工作,同時不需要外部物理連接進行通信或供電。它應該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力,自主工作,并與信息系統(tǒng)進行無線通信。此外,它應該相對便宜且耐用,使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運行,并在發(fā)生故障時廉價更換。隨著對越來越簡化和系統(tǒng)級集成的需求,這里的組件將成為明天的SiP就緒組件,而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級封裝(SSiP)。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中,因為系統(tǒng)集成使SiP技術越來越接近較終目標:較終SiP。陜西半導體芯片封裝定制