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對處在這個電磁場范圍的其他導(dǎo)線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號通過電感線圈時會遇到很大的阻力，很難通過；而對低頻信號通過它時所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過它。電感線圈對直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對于電路中電信號的流動都會呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對電流信號所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時我們把它簡稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時，所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。江蘇省對于傳感器線圈哪家口碑好的？福建傳感器線圈誠信經(jīng)營

    算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時的偏差，并且在步驟1216中，如果不滿足小偏差標(biāo)準(zhǔn)，則算法從步驟1208重新開始。當(dāng)達(dá)到小偏差時，算法進(jìn)行到步驟1218，評估電壓，如圖10a所示，然后計(jì)算理想位置和仿真的位置之間的大誤差。如果在步驟1220中沒有達(dá)到低的可能誤差，則算法返回到步驟1206，提供另一種配置。一旦獲得了當(dāng)前輸入的低誤差，算法就在返回步驟1226處結(jié)束。在一些實(shí)施例中，在不存在如圖13所示的阱的情況下，實(shí)現(xiàn)沒有目標(biāo)時的偏差的補(bǔ)償。無論如何，由于正弦形1316rx線圈和余弦形1318rx線圈的平衡延伸部1306和平衡延伸部1307，始終保證了設(shè)計(jì)對稱性。提供以上詳細(xì)描述是為了說明本發(fā)明的具體實(shí)施例，而不是旨在進(jìn)行限制。在本發(fā)明的范圍內(nèi)的許多變化和修改是可能的。本發(fā)明在所附權(quán)利要求中闡述。冰箱傳感器線圈誠信經(jīng)營傳感器線圈哪家專業(yè)，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的來電！

    該方法可以在圖7a的步驟704、步驟706、步驟708和步驟712所示的迭代算法中自動完成，并且在步驟704中使用仿真代碼和在步驟712中使用線圈設(shè)計(jì)代碼以收斂于優(yōu)設(shè)計(jì)。然后可以在eda工具的幫助下，將在步驟710中輸出的經(jīng)改進(jìn)的設(shè)計(jì)線圈印刷在pcb上。可以以與實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有設(shè)計(jì)非常相同的方式來實(shí)現(xiàn)全新的設(shè)計(jì)。具體地，可以將新設(shè)計(jì)輸入到算法700的步驟702，并且可以執(zhí)行算法700以優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)。然后可以將在算法700的步驟710中輸出的經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)輸入到算法720，并且可以實(shí)際產(chǎn)生該設(shè)計(jì)以進(jìn)行測試。如上所述，算法720然后可以驗(yàn)證經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)的操作。算法700的步驟712中執(zhí)行的線圈設(shè)計(jì)工具可用于根據(jù)在步驟704中由仿真工具執(zhí)行的仿真，使用步驟712的線圈設(shè)計(jì)工具來設(shè)計(jì)pcb上的正弦和余弦的幾何形狀。如算法700所示的用于優(yōu)化線圈設(shè)計(jì)的迭代算法包括步驟704中的仿真工具和步驟712中的線圈設(shè)計(jì)工具。具體地，算法700在步驟706中計(jì)算小位置誤差，并且在步驟706、步驟708和步驟712中小化rx線圈的非理想性。利用在此優(yōu)化之后獲得的坐標(biāo)，可以使用商業(yè)eda工具印刷pcb，如步驟710所示。本發(fā)明的實(shí)施例可用于產(chǎn)生用于位置定位系統(tǒng)的線圈設(shè)計(jì)。

    但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個小時來完成。在一些實(shí)施例中使用的有效簡化是用一維導(dǎo)線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和接收器線圈的導(dǎo)電跡線。在與一維導(dǎo)線模型偏離嚴(yán)重的情況下，考慮一個具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導(dǎo)電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動的電流的電流密度可以是非常均勻的。對于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對于上述基準(zhǔn)矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導(dǎo)線1020生成的場。如果在兩個結(jié)構(gòu)中流動的電流相同，則由導(dǎo)線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而，圖10c示出在基準(zhǔn)跡線1022周圍生成的場，基準(zhǔn)跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場看起來也與圖10b中的由導(dǎo)線1020所生成的場相同。區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。傳感器線圈推薦，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的光臨！

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，相信您的選擇，值得信賴。福建傳感器線圈誠信經(jīng)營

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    例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法，其可以提供對由實(shí)際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場進(jìn)行估計(jì)的進(jìn)一步的提高。金屬目標(biāo)通?？梢杂蓪?dǎo)電表面表示。如圖10a所示，算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中，獲得描述tx線圈和rx線圈、目標(biāo)的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設(shè)計(jì)。這些輸入?yún)?shù)例如可以由算法700提供，要么在算法700的輸入步驟702期間通過初始輸入，要么從來自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設(shè)計(jì)來提供，如圖7a所示。算法704然后進(jìn)行到步驟1003。在步驟1003中，算法704以在步驟1002中設(shè)置的頻率參數(shù)計(jì)算發(fā)射線圈(tx)的跡線的電阻r和電感l(wèi)。在不存在目標(biāo)的情況下執(zhí)行計(jì)算，以給出品質(zhì)因數(shù)的估計(jì)q＝2πfl/r。在步驟1004中，設(shè)置參數(shù)以仿真特定線圈設(shè)計(jì)的性能和在步驟1002中接收的線圈設(shè)計(jì)的氣隙，其中金屬目標(biāo)如在掃描參數(shù)中定義的被設(shè)置在現(xiàn)行位置。如果這是次迭代，則將現(xiàn)行位置設(shè)置為在步驟1002中接收到的數(shù)據(jù)中所定義的掃描的起點(diǎn)。否則，將位置設(shè)置為掃描中的當(dāng)前定義的位置。在步驟1006中，確定由發(fā)射線圈生成的電磁場。福建傳感器線圈誠信經(jīng)營

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