無源晶振是有2個引腳的無極性元件需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號，自身無法振蕩起來無源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法。無源晶振沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據(jù)起振電路來決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP，而且價格通常也較低，因此對于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線豐富批量大的生產(chǎn)者。無源晶振相對于晶振而言其缺陷是信號質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。如不需要太高的精確度，則也可以使用陶瓷諧振器取代石英晶體諧振器。貴州晶振負(fù)載
有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移（即產(chǎn)生的交流信號頻率容易變化）。在振蕩器中采用一個特殊的元件——石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。1.外形、結(jié)構(gòu)與圖形符號在石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層，再從銀層上連出兩個電極并封裝起來，這樣構(gòu)成的元件叫石英晶體諧振器，簡稱石英晶體。石英晶振封裝按生產(chǎn)工藝可以劃分為：Seam金屬封裝，Glass玻璃封裝，Resistance Welded 電阻焊，沖壓；福建低負(fù)載電容型晶振頻率壓控晶體振蕩器(VCXO)：通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。
有源晶振有4只引腳是一個完整的振蕩器，里面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器，信號質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復(fù)雜的配置電路。相對于無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，價格相對較高。對于時序要求敏感的應(yīng)用，還是有源的晶振好，因此可以選用比較精密的晶振，甚至是***的溫度補(bǔ)償晶振。有些DSP內(nèi)部沒有起振電路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大，許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當(dāng)，有的甚至比許多晶體還要小。
有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移（即產(chǎn)生的交流信號頻率容易變化）。在振蕩器中采用一個特殊的元件——石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。在石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層，再從銀層上連出兩個電極并封裝起來，這樣構(gòu)成的元件叫石英晶體諧振器，簡稱石英晶體。石英晶體有兩個諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。當(dāng)加到石英晶體兩端信號的頻率不同時，它會呈現(xiàn)出不同的特性。晶振利用具有壓電特性的振動晶體的機(jī)械共振，以獲得具有高精度頻率的電信號。
陶瓷諧振器（SMD）簡稱陶瓷晶振，一般是采用壓電陶瓷制作的一種諧振元器件。其與晶振在工作原理、等效電路、應(yīng)用電路等具有相似之處。起到產(chǎn)生頻率的作用，具有穩(wěn)定、抗干擾性能良好的特點。陶瓷晶振是通過人工材料制成，是用硅藻土經(jīng)過高溫?zé)瞥傻碾娮釉骷?，里面有一片很薄的壓電晶片，然而?dāng)今的陶瓷技術(shù)已可做到將燒結(jié)的尺寸變化控制在0.1%的范圍，不像其他陶瓷工藝品很大個，陶瓷晶振封裝由于體積較小，因此在制作工藝上很難達(dá)到某些技術(shù)要求，精度上相對于石英晶振來說偏低，精度一般能達(dá)到300ppm-5000ppm，比石英晶體諧振器的頻率精度要低。主要用在對頻率精度要求不高的電子產(chǎn)品中。當(dāng)加到石英晶體兩端信號的頻率不同時，它會呈現(xiàn)出不同的特性。河北壓控晶振可調(diào)性
晶體就像一個具有精確諧振頻率的電感器、電阻器和電容器的電路。貴州晶振負(fù)載
晶振負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計的特殊性，所以用戶選購時應(yīng)特別說明。貴州晶振負(fù)載
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