貴州200W瞬態(tài)抑制二極管封裝

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-17

PN結(jié)構(gòu)成了幾乎所有半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ),常用的半導(dǎo)體功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結(jié)的擊穿電壓,因此,PN結(jié)反向阻斷特性的優(yōu)劣直接決定了半導(dǎo)體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結(jié)兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認(rèn)為除superjunction之外平行平面結(jié)的擊穿電壓在所有平面結(jié)中具有比較高的擊穿電壓。實(shí)際的功率半導(dǎo)體器件的制造過程一般會(huì)在PN結(jié)的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結(jié)的擊穿電壓,使功率半導(dǎo)體器件的擊穿電壓降低。由此產(chǎn)生了一系列的結(jié)終端技術(shù)來消除或減弱球面結(jié)或柱面結(jié)的曲率效應(yīng),使實(shí)際制造出的PN結(jié)的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結(jié)擊穿電壓。特別是當(dāng)瞬態(tài)能量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出TVS所能承受的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致TVS過電應(yīng)力燒毀。貴州200W瞬態(tài)抑制二極管封裝

參數(shù)①最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓,當(dāng)這個(gè)反向電壓加入TVS的兩極間時(shí),它處于反向關(guān)斷狀態(tài),流過它的電流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時(shí),在這個(gè)電壓之前,TVS是不導(dǎo)通的。當(dāng)TVS流過規(guī)定的1mA電流(IR)時(shí),加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度,可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對(duì)于±5%VBR來說,VWM=0.85VBR;對(duì)于±10%VBR來說,VWM=0.81VBR。河南5000W瞬態(tài)抑制二極管功率計(jì)算TVS應(yīng)用領(lǐng)域:儀器儀表(電度表)I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、PDAS、GP。

1、將TVS二極管加在信號(hào)及電源線上,能防止微處理器或單片機(jī)因瞬間的脈沖,如靜電放電效應(yīng)、交流電源之浪涌及開關(guān)電源的噪音所導(dǎo)致的失靈。2、靜電放電效應(yīng)能釋放超過10000V、60A以上的脈沖,并能持續(xù)10ms;而一般的TTL器件,遇到超過30ms的10V脈沖時(shí),便會(huì)導(dǎo)至損壞。利用TVS二極管,可有效吸收會(huì)造成器件損壞的脈沖,并能消除由總線之間開關(guān)所引起的干擾(Crosstalk)。3、將TVS二極管放置在信號(hào)線及接地間,能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪聲影響。

TVS的瞬態(tài)功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。8/20us是雷擊浪涌的一種波形通常以內(nèi)阻2歐姆的一個(gè)短路電流波形,上升前沿在8uS,峰值電流下降沿1/2處保持在20uS.即充電1KV輸出500A的電流波形.現(xiàn)在較多的已經(jīng)是組合波模式,即短路電流波形為8/20uS,開路電壓波形為1.2/50uS..10/1000uS也是一種浪涌波形,以現(xiàn)在執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)是短路電流波形與開路電壓波形都需要符合前沿時(shí)間10uS半值時(shí)間1000uS,內(nèi)阻10歐姆.即充電1KV輸出100A的電壓及電流波形。DO-15封裝的TVS一般有SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列。

箝位時(shí)間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時(shí)間。對(duì)單極性TVS一般是1×10-12秒;對(duì)雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種,按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如:各種交流電壓保護(hù)器、4~200mA電流環(huán)保器、數(shù)據(jù)線保護(hù)器、同軸電纜保護(hù)器、電話機(jī)保護(hù)器等。若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列(適用多線保護(hù))、貼片式、組件式和大功率模塊式等。TVS若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS 陣列。貴州200W瞬態(tài)抑制二極管封裝

TVS的鉗位時(shí)間對(duì)單極性TVS一般是1×10-12秒;對(duì)雙極性TVS一般 是1×10-11 秒。貴州200W瞬態(tài)抑制二極管封裝

要減少TVS短路失效,首先應(yīng)加強(qiáng)TVS制造工藝過程的控制,尤其是對(duì)燒焊、臺(tái)面成型、堿腐蝕清洗、摻雜等工藝過程的控制,以減少或消除TVS的固有缺陷。例如:國際上采用先進(jìn)的燒焊工藝已能將空洞面積控制在10%以下,采用離子注入摻雜能對(duì)摻雜過程進(jìn)行更好的控制,這些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正確選型與安裝,比較好對(duì)TVS進(jìn)行降額使用,這樣可使TVS承受的功率較小,使用可靠性**增加。此外,為使TVS發(fā)生短路失效時(shí)對(duì)被保護(hù)電子設(shè)備的影響降到比較低,通??稍赥VS前串接一條與之匹配的保險(xiǎn)絲。貴州200W瞬態(tài)抑制二極管封裝

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