人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因?yàn)楫?dāng)存在連續(xù)起電過程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動(dòng)產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對(duì)外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會(huì)聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小。江西低電容ESD保護(hù)元件測試
ESD防護(hù)電路對(duì)高頻信號(hào)質(zhì)量的影響與改進(jìn)。ESD防護(hù)電路的引入會(huì)影響電路的信號(hào)傳輸質(zhì)量，使信號(hào)的時(shí)延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護(hù)電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護(hù)器件的導(dǎo)通特性也會(huì)引起信號(hào)的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護(hù)器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號(hào)質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號(hào)頻率高于1GHz時(shí)，直接采用TVS和開關(guān)二極管作ESD防護(hù)，其結(jié)電容很難滿足線路信號(hào)質(zhì)量的要求，此時(shí)需要采用降低防護(hù)電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。廣東高浪涌ESD保護(hù)元件應(yīng)用ESD靜電保護(hù)元件的浪涌防護(hù)等級(jí)可用IPP這個(gè)參數(shù)來表示。
ESD靜電放電機(jī)器模型,機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模式，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測試、運(yùn)輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。
TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列，ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的?？商峁┓浅５偷碾娙荩c其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達(dá)1000）之后。該器件可比傳統(tǒng)的聚合物SEO器件提供更低的觸發(fā)電壓和更低的箝拉電壓，進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡稱ESD，是一種過壓保護(hù)元件，是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。RLESD保護(hù)器件是用來避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響?？商峁┓浅５偷碾娙荩哂袃?yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)高達(dá)1000之后，進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。 靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地，另一條通過內(nèi)部PCB流向大地。
靜電放電機(jī)器模型MM因在日本得到廣泛應(yīng)用，也叫日本模型。與家具模型不同的是它主要由200pf電容串非常低的電阻（<10Ω）代替通常串聯(lián)的電阻構(gòu)成。機(jī)器模型的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。機(jī)器模型放電的波形與預(yù)料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。典型的機(jī)器模型對(duì)小電阻放電的波形,峰值電流可達(dá)幾百安培，持續(xù)時(shí)間（決定于放電通路的電感）為幾百納秒。機(jī)器放電模型是電子元器件的(HBM/MM/CDM)三個(gè)重要放電模型之一，其主要的測試設(shè)備為EST883A靜電放電模擬器，它是EST883A靜電放電模擬器(電子元器件如二極管、三極管和集成電路等人體模型**)的基礎(chǔ)上增加了機(jī)器模型(MM)。目前ESD靜電保護(hù)元件結(jié)電容可做到0.1pF以內(nèi)。甘肅低壓ESD保護(hù)元件參數(shù)
ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。江西低電容ESD保護(hù)元件測試
MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。江西低電容ESD保護(hù)元件測試
上海來明電子有限公司一直專注于一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營)。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)，具體經(jīng)營項(xiàng)目以相關(guān)部門批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己**的技術(shù)體系。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨，深受客戶好評(píng)。公司深耕TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。