生產(chǎn)方法：將氨和鋁直接進(jìn)行氮化反應(yīng)，經(jīng)粉碎、分級制得氮化鋁粉末?；蛘邔⒀趸X和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。將高純度鋁粉脫脂(用抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后，放到鎳盤中，將盤放在石英或瓷制反應(yīng)管內(nèi)，在提純的氮氣流中慢慢地進(jìn)行加熱。氮化反應(yīng)在820℃左右時發(fā)出白光迅速地進(jìn)行。此時，必須大量通氮以防止反應(yīng)管內(nèi)出現(xiàn)減壓。這個激烈的反應(yīng)完畢后，在氮氣流中冷卻。由于產(chǎn)物內(nèi)包有金屬鋁,可將其粉碎，并在氮氣流中于1100～1200℃溫度下再加熱1～2h，即得到灰白色氮化鋁。另外，將鋁在1200～1400℃下蒸發(fā)氣化，使其與氮氣反應(yīng)即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl...

高導(dǎo)熱氮化鋁基片的燒結(jié)工藝重點包括燒結(jié)方式、燒結(jié)助劑的添加、燒結(jié)氣氛的控制等。放電等離子燒結(jié)是20世紀(jì)90年代發(fā)展并成熟的一種燒結(jié)技術(shù)，它利用脈沖大電流直接施加于模具和樣品上，產(chǎn)生體加熱使被燒結(jié)樣品快速升溫；同時，脈沖電流引起顆粒間的放電效應(yīng)，可凈化顆粒表面，實現(xiàn)快速燒結(jié)，有效地抑制顆粒長大。使用SPS技術(shù)能夠在較低溫度下進(jìn)行燒結(jié)，且升溫速度快，燒結(jié)時間短。微波燒結(jié)是利用特殊頻段的電磁波與介質(zhì)的相互耦合產(chǎn)生介電損耗，使坯體整體加熱的燒結(jié)方法。微波同時提高了粉末顆?；钚?，加速物質(zhì)的傳遞。微波燒結(jié)也是一種快速燒結(jié)法，同樣可保證樣品安全衛(wèi)生無污染。雖然機理與放電等離子體燒結(jié)有所不同，但是兩者都能實現(xiàn)...

氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料，由于氮化鋁是共價化合物，自擴散系數(shù)小，熔點高，導(dǎo)致其難以燒結(jié)，直到20世紀(jì)50年代，人們才成功制得氮化鋁陶瓷，并作為耐火材料應(yīng)用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。自20世紀(jì)70年代以來，隨著研究的不斷深入，氮化鋁的制備工藝日趨成熟，其應(yīng)用范圍也不斷擴大。尤其是進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子整機和電子元器件正朝微型化、輕型化、集成化，以及高可靠性和大功率輸出等方向發(fā)展，越來越復(fù)雜的器件對基片和封裝材料的散熱提出了更高要求，進(jìn)一步促進(jìn)了氮化鋁產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。舟山電絕緣氮化鋁粉體品牌高性能氮化鋁陶瓷...

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性、可靠的電絕緣性、低的介電常數(shù)和介電損耗、無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認(rèn)為是新一代高集程度半導(dǎo)體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內(nèi)外研究者的較廣重視。理論上，氮化鋁的熱導(dǎo)率接近于氧化鈹?shù)臒釋?dǎo)率，但由于氧化鈹有劇毒，在工業(yè)生產(chǎn)中逐漸被停止使用。與其它幾種陶瓷材料相比較，氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良，非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料，在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力非常巨大。另外，氮化鋁還耐高溫，耐腐蝕，不為多種熔融金屬和融鹽所浸潤，因此，可用作高級耐火材料和坩堝材料，也可用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質(zhì)的容器和處理器的里襯等...

燒結(jié)是指陶瓷粉體經(jīng)壓力壓制后形成的素坯在高溫下的致密化過程,在燒結(jié)溫度下陶瓷粉末顆粒相互鍵聯(lián)，晶粒長大，晶界和坯體內(nèi)空隙逐漸減少，坯體體積收縮，致密度增大，直至形成具有一定強度的多晶燒結(jié)體。氮化鋁作為共價鍵化合物，難以進(jìn)行固相燒結(jié)。通常采用液相燒結(jié)機制，即向氮化鋁原料粉末中加入能夠生成液相的燒結(jié)助劑，并通過溶解產(chǎn)生液相，促進(jìn)燒結(jié)。AlN燒結(jié)動力：粉末的比表面能、晶格缺陷、固液相之間的毛細(xì)力等。要制備高熱導(dǎo)率的AlN陶瓷，在燒結(jié)工藝中必須解決兩個問題：是要提高材料的致密度，第二是在高溫?zé)Y(jié)時，要盡量避免氧原子溶入的晶格中。結(jié)晶氮化鋁易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。紹興納米氧化鋁價格氮化...

目前發(fā)現(xiàn)的適合作為燒結(jié)助劑的材料有Y2O3、CaO、Li2O、BaO、MgO、SrO2、La2O3、HfO2和CeO2等不與AlN發(fā)生反應(yīng)的氧化物，以及一些稀土金屬與堿土金屬的氟化物和少量具有還原性的化合物（CaC2、YC2、TiO2、ZrO2、TiN等）。單獨采用某種單一的燒結(jié)助劑，在常壓下燒結(jié)通常需要高于1800℃的溫度，利用復(fù)合助劑，設(shè)計合理的助劑及配比，可以進(jìn)一步有效降低燒結(jié)溫度，也是目前普遍采用的一種氮化鋁低溫?zé)Y(jié)方法。氮化鋁陶瓷基板電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用范圍越來越廣，目前也有一些國內(nèi)企業(yè)在這個領(lǐng)域有所建樹，然而相對于早已接近紅海的海外市場，我國的氮化鋁陶瓷基板的發(fā)展仍處于起步階段，在高...

具有優(yōu)良的耐磨損性能，可用作研磨材料和耐磨損零件，但由于造價高，只能用于磨損嚴(yán)重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包裹AlN涂層，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質(zhì)的處理器和容器的襯里等。純度高、致密度高、氣孔率少的氮化鋁陶瓷呈透明狀，可用來制作電子光學(xué)器件。也可用作雷達(dá)和紅外線的透過材料，因此，在**方面同樣具有良好的發(fā)展。氮化鋁陶瓷同樣可以用來制作納米陶瓷管，可以用在發(fā)熱板，作載熱材料，在微電子工業(yè)用途范圍較廣。由于氮化鋁的聲表面波速度高，具有壓電性，可用作聲表面波器件。金華高導(dǎo)熱氮化硼品牌高性能氮化鋁陶瓷取決于氮化鋁粉體的質(zhì)量，到目前為止，制備氮化鋁粉體...

AlN陶瓷基片的燒結(jié)工藝：燒結(jié)助劑及其添加方式，燒結(jié)助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現(xiàn)液相燒結(jié)，降低燒結(jié)溫度，促進(jìn)坯體致密化；另一方面，高熱導(dǎo)率是AlN基板的重要性能，而實際AlN基板中由于存在氧雜質(zhì)等各種缺陷，熱導(dǎo)率低于其理論值，加入燒結(jié)助劑可以與氧反應(yīng)，使晶格完整化，進(jìn)而提高熱導(dǎo)率。常用的燒結(jié)助劑主要是以堿土金屬和稀土元素的化合物為主，單元燒結(jié)助劑燒結(jié)能力往往很有限，通常要配合1800℃以上燒結(jié)溫度、較長燒結(jié)時間及較多含量的燒結(jié)助劑等條件。燒結(jié)過程中如果只采用一種燒結(jié)助劑，所需要的燒結(jié)溫度難以降低，生產(chǎn)成本較高。二元或多元燒結(jié)助劑各成分間相互促進(jìn)，往往會得到更加明顯的燒結(jié)效...

納米氮化鋁粉體主要用途：導(dǎo)熱硅膠和導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂:超高導(dǎo)熱納米AIN復(fù)合的硅膠具有良好的導(dǎo)熱性，良好的電絕緣性，較寬的電絕緣性使用溫度（工作溫度-60℃ --200℃ ，較低的稠度和良好的施工性能。產(chǎn)品已達(dá)或超過進(jìn)口產(chǎn)品，因為可取代同類進(jìn)口產(chǎn)品而較廣應(yīng)用于電子器件的熱傳遞介質(zhì)，提高工作效率。如CPU與散熱器填隙、大功率三極管、可控硅元件、二極管、與基材接觸的細(xì)縫處的熱傳遞介質(zhì)。納米導(dǎo)熱膏是填充IC或三極管與散熱片之間的空隙，增大它們之間的接觸面積，達(dá)到更好的散熱效果。其他應(yīng)用領(lǐng)域:納米氮化鋁應(yīng)用于熔煉有色金屬和半導(dǎo)體材料砷化銨的紺蝸、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護(hù)管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫及耐腐...

AlN陶瓷基片的成型：流延成型制備氮化鋁陶瓷基片的主要工藝，將氮化鋁粉料、燒結(jié)助劑、粘結(jié)劑、溶劑混合均勻制成漿料，通過流延制成坯片，采用組合模沖成標(biāo)準(zhǔn)片，然后用程控沖床沖成通孔，用絲網(wǎng)印刷印制金屬圖形，將每一個具有功能圖形的生坯片疊加，層壓成多層陶瓷生坯片，在氮氣中約700℃排除粘結(jié)劑，然后在1800℃氮氣中進(jìn)行共燒，電鍍后即形成多層氮化鋁陶瓷。流延成型分為有機流延成型和水基流延成型兩種。流延成型法在AlN陶瓷基片方面的應(yīng)用具有極強的優(yōu)勢，如設(shè)備要求低，可連續(xù)生產(chǎn)、生產(chǎn)效率高、自動化程度高，其生產(chǎn)成本低廉，非常適合現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)。注射成型：首先將AlN粉體與有機粘結(jié)劑按一定比例混合，經(jīng)過造粒得到...

氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于陶瓷及耐火材料，氮化鋁可應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)，制備出來的氮化鋁陶瓷，不但機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，硬度高，還耐高溫耐腐蝕。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件。此外，純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學(xué)性能，可以用作透明陶瓷制造電子光學(xué)器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。復(fù)合材料，環(huán)氧樹脂/AlN復(fù)合材料作為封裝材料，需要良好的導(dǎo)熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴(yán)苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學(xué)性能和力學(xué)穩(wěn)定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導(dǎo)熱能力不高。通過將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂...

環(huán)氧樹脂/AlN復(fù)合材料：作為封裝材料，需要良好的導(dǎo)熱散熱能力，且這種要求愈發(fā)嚴(yán)苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學(xué)性能和力學(xué)穩(wěn)定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導(dǎo)熱能力不高。通過將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中，可有效提高材料的熱導(dǎo)率和強度。TiN/AlN復(fù)合材料：TiN具有高熔點、硬度大、跟金屬同等數(shù)量級的導(dǎo)電導(dǎo)熱性以及耐腐蝕等優(yōu)良性質(zhì)。在AlN基體中添加少量TiN，根據(jù)導(dǎo)電滲流理論，當(dāng)摻雜量達(dá)到一定閾值，在晶體中形成導(dǎo)電通路，可以明顯調(diào)節(jié)AlN燒結(jié)體的體積電阻率，使之降低2~4個數(shù)量級。而且兩種材料所制備的復(fù)合陶瓷材料具有雙方各自的優(yōu)勢，高硬度且耐磨，也可以用作高級研...

采用小粒徑氮化鋁粉：氮化鋁燒結(jié)過程的驅(qū)動力為表面能，顆粒細(xì)小的AlN粉體能夠增強燒結(jié)活性，增加燒結(jié)推動力從而加速燒結(jié)過程。研究證實，當(dāng)?shù)X原始粉料的起始粒徑細(xì)小20倍后，陶瓷的燒結(jié)速率將增加147倍。燒結(jié)原料應(yīng)選擇粒徑小且分布均勻的氮化鋁粉，可防止二次再結(jié)晶，內(nèi)部的大顆粒易發(fā)生晶粒異常生長而不利于致密化燒結(jié)；若顆粒分布不均勻，在燒結(jié)過程中容易發(fā)生個別晶體異常長大而影響燒結(jié)。此外，氮化鋁陶瓷的燒結(jié)機理有時也受原始粉末粒度的影響。微米級的氮化鋁粉體按體積擴散機理進(jìn)行燒結(jié)，而納米級的粉體則按晶界擴散或者表面擴散機理進(jìn)行燒結(jié)。但目前而言，細(xì)小均勻的氮化鋁粉體制備很困難，大多通過濕化學(xué)法結(jié)合碳熱還原法...

氮化鋁粉體的成型工藝有多種，傳統(tǒng)的成型工藝諸如模壓，熱壓，等靜壓等均適用。由于氮化鋁粉體的親水性強，為了減少氮化鋁的氧化，成型過程中應(yīng)盡量避免與水接觸。另外，據(jù)中國粉體網(wǎng)編輯了解，熱壓、等靜壓雖然適用于制備高性能的塊體氮化鋁瓷材料，但成本高、生產(chǎn)效率低，無法滿足電子工業(yè)對氮化鋁陶瓷基片用量日益增加的需求。為了解決這一問題，近年來人們研究采用流延法成型氮化鋁陶瓷基片。流延法目前已成為電子工業(yè)用氮化鋁陶瓷的主要成型工藝。流延成型制備多層氮化鋁陶瓷的主要工藝是：將氮化鋁粉料、燒結(jié)助劑、粘結(jié)劑、溶劑混合均勻制成漿料，通過流延制成坯片，采用組合模沖成標(biāo)準(zhǔn)片，然后用程控沖床沖成通孔，用絲網(wǎng)印刷印制金屬圖形...

氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均勻流到或涂到支撐板上，或用刀片均勻的刷到支撐面上，形成漿膜，經(jīng)干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑：高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關(guān)鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關(guān)鍵。溶劑必須滿足以下條件：必須與其他添加成分相溶，如分散劑、粘結(jié)劑和增塑劑等；化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不與粉料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；對粉料顆粒的潤濕性能好；易于揮發(fā)與燒除；使用安全、衛(wèi)生且對環(huán)境污染小。結(jié)晶氮化鋁溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。杭州片狀氧化鋁廠家氮化鋁化鋁陶瓷是以氮化鋁...

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：厚膜金屬化法是在陶瓷基板上通過絲網(wǎng)印刷形成封接用金屬層、導(dǎo)體（電路布線）及電阻等，通過燒結(jié)形成釬焊金屬層、電路及引線接點等。厚膜金屬化的步驟一般包括：圖案設(shè)計，原圖、漿料的制備，絲網(wǎng)印刷，干燥與燒結(jié)。厚膜法的優(yōu)點是導(dǎo)電性能好，工藝簡單，適用于自動化和多品種小批量生產(chǎn)，但結(jié)合強度不高，且受溫度影響大，高溫時結(jié)合強度很低。直接覆銅法利用高溫熔融擴散工藝將陶瓷基板與高純無氧銅覆接到一起，所形成的金屬層具有導(dǎo)熱性好、附著強度高、機械性能優(yōu)良、便于刻蝕、絕緣性及熱循環(huán)能力高的優(yōu)點，但是后續(xù)也需要圖形化工藝，同時對AlN進(jìn)行表面熱處理時形成的氧化物層會降低AlN基板的熱導(dǎo)率。...

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景。由于它的聲表面波速度高，具有壓電性，可用作聲表面波器件。此外，氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能，可用作防護(hù)膜。氮化鋁膜很早用化學(xué)氣相沉積(CVI)制備，其沉積溫度高達(dá)1000攝氏度以上。后來，通過采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積，或用物相沉積((PVD)方法，其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶，但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長制成單晶氮化鋁膜。此外，也曾沉積出非晶氮化鋁膜。氮化鋁不...

氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種新型的電子器件封裝基板材料，具有熱導(dǎo)率高、強度高、熱膨脹系數(shù)低、介電損耗小、耐高溫及化學(xué)腐蝕，絕緣性好，而且無毒環(huán)保等優(yōu)良性能，是被國內(nèi)外一致看好很具有發(fā)展前景的陶瓷材料之一。作為一種非常適合用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料，氮化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率一直是行業(yè)內(nèi)關(guān)注研究的難題，目前商用氮化鋁基板的熱導(dǎo)率距離其理論熱導(dǎo)率還有很大的差距，因此，在降低氮化鋁陶瓷燒結(jié)溫度的同時研制出更高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷基板，對于電子器件的快速發(fā)展有著重大意義。要想制備出熱導(dǎo)率更高的氮化鋁基板，就要從其導(dǎo)熱原理出發(fā)，探究究竟哪些因素影響了熱導(dǎo)率。氮化鋁是共價化合物，具有熔點高、自擴...

脫脂體中的殘留碳被除去，以得到具有理想煅燒體組織和熱導(dǎo)率的氮化鋁煅燒體。如果爐內(nèi)壓力超過150Pa，則不能充分地除去碳，如果溫度超過1500℃進(jìn)行加熱，氮化鋁晶粒將會有致密化的趨勢，碳的擴散路徑將會被閉合，因此不能充分的除去碳。此處，如果在爐內(nèi)壓力0.4MPa以上的加壓氣氛下進(jìn)行煅燒，則液相化的煅燒助劑不易揮發(fā)，能有效的預(yù)制氮化鋁晶粒的空隙產(chǎn)生，能有效的提高氮化鋁基板的絕緣特性；如果煅燒溫度不足1700℃，則由于氮化鋁的晶粒的粒子生長不充分而無法得到致密的的煅燒體組織，導(dǎo)致基板的導(dǎo)熱率下降，；另一方面，如果煅燒溫度超過1900℃，則氮化鋁晶粒過度長大，導(dǎo)致氧化鋁晶粒間的空隙增大，從而導(dǎo)致氮化鋁...

提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：選擇合適的燒結(jié)工藝，微波燒結(jié)：微波燒結(jié)是利用微波與介質(zhì)的相互作用產(chǎn)生介電損耗使坯體整體加熱的燒結(jié)方法。同時，微波可以使粉末顆?；钚蕴岣?，有利于物質(zhì)的傳遞。微波燒結(jié)已成為一門新型的陶瓷燒結(jié)技術(shù)，它利用整體性自身加熱，使材料加熱的效率提高，升溫速度加快，保溫時間縮短，這有利于提高致密化速度并可以有效抑制晶粒生長，獲得獨特的性能和結(jié)構(gòu)。放電等離子燒結(jié)：放電等離子燒結(jié)系統(tǒng)利用脈沖能、放電脈沖壓力和焦耳熱產(chǎn)生的瞬間高溫場來實現(xiàn)燒結(jié)過程。SPS升溫速度快、燒結(jié)時間短、能在較低溫度下燒結(jié)，通過控制燒結(jié)組分與工藝能實現(xiàn)溫度梯度場，可用于燒結(jié)梯度材料及大型工件等復(fù)雜材料。放電等離子燒...

AlN陶瓷基片一般采用無壓燒結(jié)，該燒結(jié)方法是一種很普通的燒結(jié)，雖然工藝簡單、成本較低、可制備形狀復(fù)雜，但燒結(jié)溫度一般偏高，再不添加燒結(jié)助劑的情況下，一般無法制備高性能陶瓷基片。傳統(tǒng)燒結(jié)方式一般通過外部熱源對AlN坯體進(jìn)行加熱，熱傳導(dǎo)不均且速度較慢，將影響燒結(jié)質(zhì)量。微波燒結(jié)通過坯體吸收微波能量從而進(jìn)行自身加熱，加熱過程是在整個材料內(nèi)部同時進(jìn)行，升溫速度快，溫度分散均勻，防止AlN陶瓷晶粒的過度生長。這種快速燒結(jié)技術(shù)能充分發(fā)揮亞微米級和納米級粉末的性能，具有很強的發(fā)展前景。放電等離子燒結(jié)技術(shù)主要利用放電脈沖壓力、脈沖能和焦耳熱產(chǎn)生瞬間高溫場實現(xiàn)快速燒結(jié)。放電等離子燒結(jié)技術(shù)的主要特點是升溫速度快，燒...

顆粒形狀的影響：相較于顆粒尺寸對氮化鋁陶瓷的影響，顆粒的形貌對其的影響主要集中在粉體的流動性以及填充率的增加上。工業(yè)上一般認(rèn)為氮化鋁粉體呈球形為合理的選擇。球形粉體比其他形狀如棒狀，雙頭六角形狀流動性更好，且填充率也會相對高一些。特別是對于把氮化鋁作為填料的工業(yè)領(lǐng)域，流動性差意味著難以均勻混合，勢必會對產(chǎn)品的性能造成一定的負(fù)面影響。氮化鋁粉體填充率越高，其熱膨脹系數(shù)就越小，熱導(dǎo)率越高。相較于其它形狀來說，球形粉體制成的封裝材料應(yīng)力集中小、強度高。而且球形粉體摩擦系數(shù)小，對模具的磨損小，可延長模具的使用壽命，提高經(jīng)濟(jì)效益。氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。蘇州超細(xì)氮化硼廠家直銷氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)...

氮化鋁粉體制備技術(shù)發(fā)展趨勢：AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料，國內(nèi)外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現(xiàn)有工藝存在的技術(shù)問題，同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術(shù)。在微米級AlN粉體合成方面，目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法，這兩種工藝具有技術(shù)成熟、設(shè)備簡單、得到產(chǎn)品質(zhì)量好等特點，已在工業(yè)中得到大規(guī)模應(yīng)用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術(shù)的發(fā)展方向，針對不同應(yīng)用領(lǐng)域應(yīng)開發(fā)多種規(guī)格的粉體，以滿足導(dǎo)熱陶瓷基板、AlN單晶半導(dǎo)體、高純靶材、導(dǎo)熱填料等領(lǐng)域?qū)lN粉體原料的要求。同時，在生產(chǎn)中也需要對現(xiàn)有技術(shù)及裝備進(jìn)行不斷優(yōu)化，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的批次穩(wěn)定性，增...

AIN的作用：關(guān)于密集六角結(jié)構(gòu)的A1N(a=0．3104，C=0．4965nm)與硅鐵母相的析出方位關(guān)系。在2000個約1微米左右的針狀A(yù)1N中，對用電子射線可明確分析的單晶中122個、冷軋后155個試樣進(jìn)行了調(diào)查。結(jié)果是，觀察到大半的針狀A(yù)IN似乎沿{100}Fe及{120}Fe為慣析面析出，但實際上，A1N與硅鐵母相之間具有一定關(guān)系。關(guān)于晶界通過一個析出物時，其對移動的抑制力，如按Zener公式，一直用取決于形狀、尺寸、體積比等因子的機械抑制力IR來進(jìn)行討論。從母相晶體與AIN之問的特殊析出位向關(guān)系出發(fā)，產(chǎn)生了新的抑制效果，在此，稱之為選擇抑制力。AIN對母相晶體之所以具有特定的析出位向關(guān)...

采用小粒徑氮化鋁粉：氮化鋁燒結(jié)過程的驅(qū)動力為表面能，顆粒細(xì)小的AlN粉體能夠增強燒結(jié)活性，增加燒結(jié)推動力從而加速燒結(jié)過程。研究證實，當(dāng)?shù)X原始粉料的起始粒徑細(xì)小20倍后，陶瓷的燒結(jié)速率將增加147倍。燒結(jié)原料應(yīng)選擇粒徑小且分布均勻的氮化鋁粉，可防止二次再結(jié)晶，內(nèi)部的大顆粒易發(fā)生晶粒異常生長而不利于致密化燒結(jié)；若顆粒分布不均勻，在燒結(jié)過程中容易發(fā)生個別晶體異常長大而影響燒結(jié)。此外，氮化鋁陶瓷的燒結(jié)機理有時也受原始粉末粒度的影響。微米級的氮化鋁粉體按體積擴散機理進(jìn)行燒結(jié)，而納米級的粉體則按晶界擴散或者表面擴散機理進(jìn)行燒結(jié)。但目前而言，細(xì)小均勻的氮化鋁粉體制備很困難，大多通過濕化學(xué)法結(jié)合碳熱還原法...

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱、電、力學(xué)性能，所以它的應(yīng)用范圍比較廣?？梢灾瞥傻X陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴(yán)重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學(xué)性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應(yīng)生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛...

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性、可靠的電絕緣性、低的介電常數(shù)和介電損耗、無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認(rèn)為是新一代高集程度半導(dǎo)體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內(nèi)外研究者的較廣重視。理論上，氮化鋁的熱導(dǎo)率接近于氧化鈹?shù)臒釋?dǎo)率，但由于氧化鈹有劇毒，在工業(yè)生產(chǎn)中逐漸被停止使用。與其它幾種陶瓷材料相比較，氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良，非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料，在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力非常巨大。另外，氮化鋁還耐高溫，耐腐蝕，不為多種熔融金屬和融鹽所浸潤，因此，可用作高級耐火材料和坩堝材料，也可用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質(zhì)的容器和處理器的里襯等...

納米氮化鋁粉體主要用途：制造高性能陶瓷器件:制造集成電路基板，電子器件，光學(xué)器件，散熱器，高溫紺塢。制備金屬基及高分子基復(fù)合材料:特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應(yīng)用前景。納米無機陶瓷車用潤滑油及抗磨劑﹔納米陶瓷機油中的納米氮化鋁陶瓷粒子隨潤滑油作用于發(fā)動機內(nèi)部的摩擦副金屬表面，在高溫和極壓的作用下被，并牢固滲嵌到金屬表面凹痕和微孔中，修復(fù)受損表面，形成納米陶瓷保護(hù)膜。因為這層膜的隔離作用，從而極大的降低摩擦力，將運動機件間的摩擦降至近乎零，通過改善潤滑，可降低摩擦系數(shù)70%以上，提高抗磨能力300%以上，降低磨損80%以上，可延長機械零件壽命3倍以上，減少停工，降低維修成本，延...

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到陶瓷基片表面（單面或雙面）上的特殊工藝板。氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁陶瓷為主要原材料制造而成的基板。氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板，具有導(dǎo)熱效率高、力學(xué)性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。近年來，隨著我國電子信息行業(yè)的快速發(fā)展，市場對陶瓷基板的性能要求不斷提升，氮化鋁陶瓷基板憑借其優(yōu)異的特征，其應(yīng)用范圍不斷擴展。氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用領(lǐng)域較廣，涉及到汽車電子、光電通信、航空航天、消費電子、LED、軌道交通、新能源等多個領(lǐng)域，但受生產(chǎn)工藝、技術(shù)水平、市場價格等因素的影響，目前我國氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用范圍仍較窄，主要應(yīng)用在...

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：凝膠注模成型技術(shù)原理是首先將粉體、溶劑、分散劑混合球磨，制備具有高固相、粘度的粉體-溶劑濃懸浮液，加入合適的有機單體，添加引發(fā)劑或固化劑或者通過外界條件如溫度等的變化使陶瓷漿料中的單體交聯(lián)固化，很終在坯體中形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)將陶瓷顆粒固定，使?jié){料原位固化成型。與其他成型工藝技術(shù)相比，凝膠注模成型優(yōu)點如下：適用范圍較廣；成型坯體缺陷和變形小，是一種近凈尺寸成型工藝；坯體強度較高，成型坯體可進(jìn)行機加工；坯體中有機物含量很低，排膠后成品變形?。惶沾缮骱蜔Y(jié)體密度高、均勻性好；成本低、工藝可控。目前，凝膠注模成型的主要問題有：水機注凝成型需要對氮化鋁粉體做抗水解處理，非水基成型則...