在長(zhǎng)期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化，存在的主要缺陷是無(wú)法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無(wú)法***滿足電子封裝...

熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時(shí)又具備耐熱耐蝕不污染等特性。 復(fù)合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強(qiáng)度高和導(dǎo)熱性好等特點(diǎn)，使其成為一種常用的金屬...

高溫過(guò)濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過(guò)濾器(Diesel Particulate Filter，DPF)的多孔SiC陶瓷，要求有高的孔隙度以保證透氣性，合適的孔徑尺寸以保證適中的壓差，同時(shí)應(yīng)具備高的力學(xué)性能以適合高溫承載條件下使用。多孔陶瓷的力學(xué)...

2014年以來(lái)，某研究所先后為核電重大專項(xiàng)《核燃料組件運(yùn)輸容器設(shè)計(jì)制造技術(shù)項(xiàng)目》、《高溫氣冷堆核燃料元件運(yùn)輸、貯存容器設(shè)計(jì)與制造技術(shù)及運(yùn)輸過(guò)程技術(shù)研究項(xiàng)目》兩個(gè)項(xiàng)目的樣機(jī)提供了多批次B4C/Al板材，率先實(shí)現(xiàn)了B4C/Al中子吸收材料的國(guó)產(chǎn)化供貨。2014年5...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過(guò)先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在...

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu)，它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過(guò)制備方法來(lái)調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來(lái)得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以，它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是...

顆粒堆積燒結(jié)法也稱為固態(tài)燒結(jié)法，其成孔是通過(guò)顆粒堆積留下空隙形成氣孔。在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑，利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點(diǎn)，在一定溫度下將大顆粒連接起來(lái)。由于每一粒骨料*在幾個(gè)點(diǎn)上與其他顆粒發(fā)生連接，因而形成大量三維貫通孔道。 多孔...

近年來(lái)，某研究所與中國(guó)核電工程有限公司合作，在B4C/Al中子吸收材料制備、模擬環(huán)境服役性能考核以及全尺寸工程件研制等方面開展了攻關(guān)研究。攻克了大尺寸坯錠制備過(guò)程中界面調(diào)控難題，突破了高含量B4C/Al薄板的高效、高成品率軋制成型瓶頸，開發(fā)出適用于復(fù)合材料焊接...

烏克蘭切爾諾貝利核電站準(zhǔn)備建造乏燃料**貯存設(shè)施：在5月15日烏克蘭核電公司聲明中，Nedashkovsky說(shuō)這次訪問(wèn)確認(rèn)了Holtec公司的高質(zhì)生產(chǎn)基地，以及向CSFSF項(xiàng)目傳輸專業(yè)技術(shù)的能力。他指出，該設(shè)施將用于儲(chǔ)存來(lái)自烏克蘭尼斯基核電站、羅夫諾核電站和南...

碳化硅陶瓷具有硬度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等優(yōu)異特性，已成為一種優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，被***用于汽車、航空航天、半導(dǎo)體、光學(xué)、耐火和防護(hù)結(jié)構(gòu)等眾多領(lǐng)域。 然而，傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷成型方法由于精度低、難以制作形貌復(fù)雜的產(chǎn)品，...

發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過(guò)向陶瓷組分中添加有機(jī)或無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處理時(shí)形成揮發(fā)性氣體，產(chǎn)生泡沫，經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過(guò)程中，發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵，通過(guò)調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。 優(yōu)點(diǎn)包括：...

我司工藝方法可制備碳化硼含量高達(dá)75%的鋁碳化硼，極大地提高了中子防護(hù)能力，屬國(guó)內(nèi)*有的，行業(yè)內(nèi)粉末冶金法制備的鋁碳化硼體分≤50%。 目前，行業(yè)內(nèi)鋁碳化硼適用華龍一號(hào)，三代及二代核電，滿足AP1000、CAP1000、CAP1400堆型核電站對(duì)產(chǎn)品...

碳化硼粉體少量（≤5-10%）的添加于碳化硅陶瓷，能夠固溶到碳化硅晶格，產(chǎn)生晶格畸變，起到活化作用，**終達(dá)到幫助熱壓或者無(wú)壓燒結(jié)致密化的效果。較大量（≥15-45%）的添加于重結(jié)晶碳化硅陶瓷，還能進(jìn)一步起到提高碳化硅陶瓷防彈性能、強(qiáng)度及耐磨性能的效果。這是碳...

碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究?jī)?nèi)容包含：碳化硅顆粒級(jí)配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過(guò)篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結(jié)**部分。在技術(shù)方法和路線上采用添加造孔劑和粘結(jié)劑進(jìn)行壓制成型技術(shù)制備碳化硅預(yù)制型，采用低溫?zé)Y(jié)技術(shù)...

模板法 模板法是將陶瓷漿料或前驅(qū)物注入具有多孔結(jié)構(gòu)的模板材料，隨后通過(guò)一系列的處理便可得到與模板材料結(jié)構(gòu)相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類：一種是使用人工合成材料的有機(jī)泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。 ①有機(jī)泡沫浸漬法...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡(jiǎn)單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對(duì)于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨...

近年來(lái)，某研究所與中國(guó)核電工程有限公司合作，在B4C/Al中子吸收材料制備、模擬環(huán)境服役性能考核以及全尺寸工程件研制等方面開展了攻關(guān)研究。攻克了大尺寸坯錠制備過(guò)程中界面調(diào)控難題，突破了高含量B4C/Al薄板的高效、高成品率軋制成型瓶頸，開發(fā)出適用于復(fù)合材料焊接...

隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，新材料的性能會(huì)不斷得到提升或更多的先進(jìn)材料不斷地被研制出來(lái)，***飛機(jī)上會(huì)不斷地應(yīng)用更多的各種性能優(yōu)異的先進(jìn)材料，從而是飛機(jī)的各項(xiàng)性能進(jìn)一步優(yōu)化和提升。 由于鈦合金和復(fù)合材料在飛機(jī)上應(yīng)用的擴(kuò)大，鋼在飛機(jī)上用量有所減少，但是飛機(jī)的關(guān)...

由于電子和光學(xué)儀器的封裝材料和散熱片等電子器件的應(yīng)用條件比較苛刻，需要再高溫情況下游較好的尺寸穩(wěn)定性，較低的密度和優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性。B4C/Al復(fù)合材料具備這些特性，因此也被考慮作為這些領(lǐng)域原有材料的比較好替代材料。 一定含量的B4C/Al復(fù)合材料在...

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試...

立體光刻（SLA）：SLA 技術(shù)是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術(shù)，常用于制備高精度、復(fù)雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑（如光引發(fā)劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經(jīng)脫粘、燒...

鋁碳化硼中子吸收材料主要由兩相組成：鋁合金作為基體，而碳化硼作為功能相均勻的分布在基體中：不同的鋁合金由于其物理、力學(xué)性能、抗腐蝕性能的不同，可以根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)合選用；碳化硼的含量直接核熱中子吸收能力強(qiáng)弱有很大的關(guān)系，所以其質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)于產(chǎn)品喲很重要的i意義。碳...

SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的：SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性*12％左右。因此，SiC具有強(qiáng)度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空...

金屬基復(fù)合材料把金屬良好的韌性、延展性、容易成形和強(qiáng)度高的優(yōu)點(diǎn)與陶瓷的高硬度耐燒蝕和重量輕的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，形成一種嶄新的材料。它既克服了陶瓷的脆性和不能抗彈丸多次打擊的缺點(diǎn)，又彌補(bǔ)了金屬硬度不夠和較重的缺點(diǎn)，具有優(yōu)良的抗彈性能。人們可以根據(jù)需要，制造出金屬和...

3）、增強(qiáng)體SiC在基體中均勻分布的問(wèn)題：按結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求，使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團(tuán)聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項(xiàng)難點(diǎn)。該問(wèn)題主要...

2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料，已率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路...

孔率是指多孔材料中孔隙所占體積與多孔材料總體積的百分比（包括開口孔、半開孔和閉合孔3種）。研究表明，多孔材料的性能主要取決于孔率?？紫缎蚊彩侵付嗫滋沾芍锌紫兜男螒B(tài)。當(dāng)孔隙為等軸孔隙時(shí)，材料整體性能呈各向同性；但當(dāng)孔隙為條狀或扁平狀時(shí)，如通過(guò)碳化后的木材經(jīng)由滲硅...

碳化硼粉體少量（≤5-10%）的添加于碳化硅陶瓷，能夠固溶到碳化硅晶格，產(chǎn)生晶格畸變，起到活化作用，**終達(dá)到幫助熱壓或者無(wú)壓燒結(jié)致密化的效果。較大量（≥15-45%）的添加于重結(jié)晶碳化硅陶瓷，還能進(jìn)一步起到提高碳化硅陶瓷防彈性能、強(qiáng)度及耐磨性能的效果。這是碳...

我司工藝方法可制備碳化硼含量高達(dá)75%的鋁碳化硼，極大地提高了中子防護(hù)能力，屬國(guó)內(nèi)*有的，行業(yè)內(nèi)粉末冶金法制備的鋁碳化硼體分≤50%。 目前，行業(yè)內(nèi)鋁碳化硼適用華龍一號(hào)，三代及二代核電，滿足AP1000、CAP1000、CAP1400堆型核電站對(duì)產(chǎn)品...

高溫過(guò)濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過(guò)濾器(Diesel Particulate Filter，DPF)的多孔SiC陶瓷，要求有高的孔隙度以保證透氣性，合適的孔徑尺寸以保證適中的壓差，同時(shí)應(yīng)具備高的力學(xué)性能以適合高溫承載條件下使用。多孔陶瓷的力學(xué)...