4、B4C/Al2O3燃料芯塊B4C/Al2O3芯塊屬于一種可燃毒物燃料芯塊，置于燃料組件之中，用于控制堆芯過剩反應(yīng)性，抑制功率峰，展平徑向功率分布。B4C/Al2O3芯塊為環(huán)形芯塊（圖5），是天然豐度B4C彌散在Al2O3中的復(fù)合陶瓷材料。芯塊長度從10~5...

鋁碳化硼中子吸收材料主要由兩相組成：鋁合金作為基體，而碳化硼作為功能相均勻的分布在基體中：不同的鋁合金由于其物理、力學(xué)性能、抗腐蝕性能的不同，可以根據(jù)不同應(yīng)用場合選用；碳化硼的含量直接核熱中子吸收能力強(qiáng)弱有很大的關(guān)系，所以其質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)于產(chǎn)品喲很重要的i意義。碳...

中子吸收材料又稱中子毒物材料，是通過其含有的大量的中子吸收截面物質(zhì)（如硼、鎘、釓等）吸收熱中子，從而抑制核裂變鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，主要用于核燃料與乏燃料貯存和運(yùn)輸中，以保證貯運(yùn)的次臨界安全。 碳化硼增強(qiáng)鋁（B4C/Al）復(fù)合材料中子吸收材料是由B4C顆粒添加到...

中子吸收材料又稱中子毒物材料，是通過其含有的大量的中子吸收截面物質(zhì)（如硼、鎘、釓等）吸收熱中子，從而抑制核裂變鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，主要用于核燃料與乏燃料貯存和運(yùn)輸中，以保證貯運(yùn)的次臨界安全。 碳化硼增強(qiáng)鋁（B4C/Al）復(fù)合材料中子吸收材料是由B4C顆粒添加到...

一直以來，碳化硅（SiC）陶瓷憑借硬度高、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高導(dǎo)熱、化學(xué)穩(wěn)定性好、抗熱震性能和抗氧化性能優(yōu)良等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)制造領(lǐng)域。多孔碳化硅陶瓷除了具備碳化硅陶瓷的以上特點(diǎn)外，其獨(dú)特的微觀多孔結(jié)構(gòu)使其在冶金、化工、環(huán)保和能源等領(lǐng)域擁有廣闊的...

碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。有機(jī)聚合物的高溫分解是制備碳化硅的有效技術(shù)：一類是加熱凝膠聚硅氧烷發(fā)生分解反應(yīng)放出小單體,**終形成SiO2和C,再由碳還原反應(yīng)制得SiC粉。另一類是加熱聚硅烷或聚碳硅烷放出小單體后生成骨架,**...

對(duì)鋁基碳化硼中子吸收材料成品主要檢測(cè)的鋁基體的化學(xué)成分、碳化硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)、B10面密度要求進(jìn)行了規(guī)定。鋁基體和化學(xué)成分是材料力學(xué)性能和抗腐蝕性能有很大關(guān)系，所以采用GT/T20975進(jìn)行檢測(cè)。碳化硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)是關(guān)系到中子吸收能力，規(guī)定了碳化硼含量偏差在±0.5%，...

制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競爭力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封...

添加造孔劑法： 添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑，利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間，然后在升溫或燒結(jié)過程中，使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似，關(guān)鍵在于造孔劑種類和用量的選擇，以及在基料中的均勻分布性。 ...

鋁碳化硼制備方法；原位合成技術(shù)作為一種新興的B4C增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的制備方法，其原理是將某些可以和鋁元素產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)投入至熔融的鋁合金中，并在合金基體中生成若干增強(qiáng)相，直接對(duì)合金進(jìn)行強(qiáng)化。由于通過化學(xué)放映生成的增強(qiáng)顆粒與合金計(jì)提結(jié)合強(qiáng)度更高，因此通過此方...

發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過向陶瓷組分中添加有機(jī)或無機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處理時(shí)形成揮發(fā)性氣體，產(chǎn)生泡沫，經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過程中，發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵，通過調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。 優(yōu)點(diǎn)包括：...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測(cè)任務(wù)工程火星探測(cè)器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測(cè)任務(wù)工程火星探測(cè)器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充...

2014年以來，某研究所先后為核電重大專項(xiàng)《核燃料組件運(yùn)輸容器設(shè)計(jì)制造技術(shù)項(xiàng)目》、《高溫氣冷堆核燃料元件運(yùn)輸、貯存容器設(shè)計(jì)與制造技術(shù)及運(yùn)輸過程技術(shù)研究項(xiàng)目》兩個(gè)項(xiàng)目的樣機(jī)提供了多批次B4C/Al板材，率先實(shí)現(xiàn)了B4C/Al中子吸收材料的國產(chǎn)化供貨。2014年5...

2014年以來，某研究所先后為核電重大專項(xiàng)《核燃料組件運(yùn)輸容器設(shè)計(jì)制造技術(shù)項(xiàng)目》、《高溫氣冷堆核燃料元件運(yùn)輸、貯存容器設(shè)計(jì)與制造技術(shù)及運(yùn)輸過程技術(shù)研究項(xiàng)目》兩個(gè)項(xiàng)目的樣機(jī)提供了多批次B4C/Al板材，率先實(shí)現(xiàn)了B4C/Al中子吸收材料的國產(chǎn)化供貨。2014年5...

在國內(nèi)外常用的眾多防彈陶瓷材料中，碳化硼（B4C）由于密度比較低，彈性模量較高，硬度高，使其成為***裝甲和空間領(lǐng)域材料方面炙手可熱的良好選擇，目前已廣泛應(yīng)用于防彈衣、防彈裝甲、武裝直升機(jī)以及警、民用特種車輛等防護(hù)領(lǐng)域。目前碳化硼防彈材料主要通過燒結(jié)法制備。純...

在國內(nèi)外常用的眾多防彈陶瓷材料中，碳化硼（B4C）由于密度比較低，彈性模量較高，硬度高，使其成為***裝甲和空間領(lǐng)域材料方面炙手可熱的良好選擇，目前已廣泛應(yīng)用于防彈衣、防彈裝甲、武裝直升機(jī)以及警、民用特種車輛等防護(hù)領(lǐng)域。目前碳化硼防彈材料主要通過燒結(jié)法制備。純...

SiC因?yàn)榫邆涞蜔崤蛎浵禂?shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價(jià)化合物，純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié)，這種制備方法燒結(jié)溫度過高，在實(shí)際生產(chǎn)中常通過添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來...

鋁碳化硅（AlSiC）復(fù)合材料是大功率IGBT封裝的理想材料，目前先進(jìn)制備技術(shù)主要被美日系企業(yè)壟斷，國內(nèi)廠商面臨**、制造水平、加工技術(shù)等多方面的壁壘，國內(nèi)大功率IGBT封裝用AlSiC產(chǎn)品主要依賴于從日本進(jìn)口。受國內(nèi)政策支持影響，近年來出現(xiàn)了一批AlSiC復(fù)...

總體來說，熱壓燒結(jié)制備碳化硼陶瓷具有以下優(yōu)勢(shì)：（1）熱壓時(shí)，由于粉料處于熱塑性狀態(tài)，形變阻力小，易于塑性流動(dòng)和致密化，所需的成型壓力*為冷壓法的1/10；（2）由于同時(shí)加溫、加壓，有助于粉末顆粒的接觸和擴(kuò)散、流動(dòng)等傳質(zhì)過程，降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間，抑制了晶...

2014年以來，某研究所先后為核電重大專項(xiàng)《核燃料組件運(yùn)輸容器設(shè)計(jì)制造技術(shù)項(xiàng)目》、《高溫氣冷堆核燃料元件運(yùn)輸、貯存容器設(shè)計(jì)與制造技術(shù)及運(yùn)輸過程技術(shù)研究項(xiàng)目》兩個(gè)項(xiàng)目的樣機(jī)提供了多批次B4C/Al板材，率先實(shí)現(xiàn)了B4C/Al中子吸收材料的國產(chǎn)化供貨。2014年5...

碳化硼**早是在1858年被發(fā)現(xiàn)的，然后英國的Joly在1883年制備核認(rèn)定了B3C，法國的Moissan在1894年制備和認(rèn)定了B6C?；瘜W(xué)計(jì)量分子式為B4C的化合物知道1934年方被認(rèn)知。目前接受的碳化硼晶格屬于空間點(diǎn)陣，晶格常數(shù)a=0.519nm,c...

(2)、銑磨加工技術(shù)： 目前，切削加工是AlSiC復(fù)合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴(yán)重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問題。有研究提出了顆粒增強(qiáng)AlSiC復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對(duì)工件...

由于電子和光學(xué)儀器的封裝材料和散熱片等電子器件的應(yīng)用條件比較苛刻，需要再高溫情況下游較好的尺寸穩(wěn)定性，較低的密度和優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性。B4C/Al復(fù)合材料具備這些特性，因此也被考慮作為這些領(lǐng)域原有材料的比較好替代材料。 一定含量的B4C/Al復(fù)合材料在...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

硼10對(duì)中子的吸收截面大，是中子吸收的重要核素，所以作為中子吸收材料此種功能材料，對(duì)于碳化硼的要求主要就集中在成分核硼10同位素含量；此外，碳化硼粉末的力度核力度分布對(duì)于成品的中子吸收能力，對(duì)于制備工藝的影響也是很大的，所以是必須檢驗(yàn)的項(xiàng)目。碳化硼目前沒有合適...

長期以來，作為乏燃料儲(chǔ)存運(yùn)輸關(guān)鍵的B4C/Al中子吸收材料被少數(shù)發(fā)達(dá)國家壟斷，我國長期依賴進(jìn)口，嚴(yán)重制約了我國核電自主化與走出去的發(fā)展戰(zhàn)略。2017年，國家科技重大專項(xiàng)及中核集團(tuán)科技專項(xiàng)“龍舟-CNSC 乏燃料運(yùn)輸容器研制”項(xiàng)目成果——大型乏燃料運(yùn)輸容器原...

鋁碳化硅制備技術(shù)介紹： 1、鋁碳化硅材料成型技術(shù)應(yīng)具備的條件： 鋁碳化硅制備工藝種類較多，包含粉末冶金法、攪拌鑄造法、真空壓力浸滲法、原位生成法、無壓浸滲法等等，使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布金屬基體中，滿足復(fù)合材料結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度要求；能使復(fù)合材料界面...

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究員認(rèn)為的，隨著電子制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，***、二代材料越來越無法滿足當(dāng)代電子封裝的需求，以鋁碳化硅及鋁硅為**的第三代封裝材料已成為主流，國內(nèi)已于2013年實(shí)現(xiàn)了鋁碳化硅技術(shù)的突破，隨著新能源汽車的發(fā)展，國內(nèi)對(duì)鋁碳化硅復(fù)合材料的需求迅速增加，...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無需進(jìn)一...