發(fā)泡成型法是將氣體或者可以通過后續(xù)處理產(chǎn)生氣體的物質(zhì)加入陶瓷坯體或前驅(qū)體,然后再經(jīng)過燒結(jié)得到多孔碳化硅陶瓷。與其他制備方法不同,發(fā)泡法是一種有效的制備閉孔陶瓷的工藝?;瘜W(xué)法是指多孔碳化硅陶瓷中的孔狀結(jié)構(gòu)是由無機(jī)鹽或添加的有機(jī)物質(zhì)分解或發(fā)生反應(yīng)之后,在原位置留下...
常見方法有顆粒堆積法、冷凍干燥法、溶膠凝膠法等,近年來興起的3D打印技術(shù)也可以用來直接打印制備出多孔結(jié)構(gòu)。顆粒堆積燒結(jié)法是**為簡單的制備多孔碳化硅陶瓷的方法。該法的原理是利用陶瓷顆粒自身的燒結(jié)性能,在不同的SiC顆粒間形成燒結(jié)頸,從而使得顆粒堆積體形成多孔陶...
中子吸收材料主要性能要求包括:(1)有高的中子吸收截面,且這種核作用不應(yīng)隨燃耗而降低;(2)有足夠的機(jī)械強(qiáng)度和抗腐蝕性,在運(yùn)行溫度和輻照條件下具有足夠的化學(xué)穩(wěn)定性和尺寸穩(wěn)定性;(3)良好的導(dǎo)熱性,可將吸收中子反應(yīng)所產(chǎn)生的熱量隨時(shí)導(dǎo)出;(4)有良好的加工性。...
SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的:SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性*12%左右。因此,SiC具有強(qiáng)度高、彈性模量大,具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空...
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展**成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。 碳化硅顆粒增強(qiáng)的鋁...
立體光刻(SLA):SLA 技術(shù)是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術(shù),常用于制備高精度、復(fù)雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑(如光引發(fā)劑、稀釋劑等)均勻混合成打印漿料,保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經(jīng)脫粘、燒...
制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度,復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié), 由此決定了產(chǎn)品的競爭力,相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封...
2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝:高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料,已率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化,滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路...
5、鋁碳化硅材料制機(jī)械加工技術(shù)介紹: 鋁碳化硅材料,尤其是高體分鋁碳化硅機(jī)械加工是產(chǎn)品制造中的難點(diǎn)環(huán)節(jié),主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨,以及加工周期長等方面。 (1)、傳統(tǒng)機(jī)械加工技術(shù):SiC增強(qiáng)體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質(zhì)合金刀具)的硬...
SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡述如下:碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。 硅、碳直接反應(yīng)法是對自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有...
在熱壓燒結(jié)過程中致密化的三種連續(xù)機(jī)制: 粒子重排,開口氣孔率降低,閉口氣孔率保持不變(溫度范圍:1800~1950℃);塑性流動,導(dǎo)致開口氣孔率的關(guān)閉,而不會對閉口氣孔產(chǎn)生***影響(1950~2100℃);熱壓結(jié)束時(shí)的體積擴(kuò)散和氣孔消除(2100~...
(5)B4C/Al核燃料儲存和運(yùn)輸材料B4C/Al中子吸收材料在海外已替代硼不銹鋼等材料大量應(yīng)用于核燃料和乏燃料的高密度貯存和運(yùn)輸。中國由于核電商業(yè)化開展較晚,中子吸收材料研發(fā)明顯滯后,導(dǎo)致吸收材料長期依賴進(jìn)口,嚴(yán)重制約了中國核電自主化與走出去的發(fā)展戰(zhàn)略。...
鋁基碳化硅(AlSiC)的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料,采用鋁合金作為基體,按設(shè)計(jì)要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作為增強(qiáng)體,構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導(dǎo)...
杭州陶飛侖新材料有限公司在碳化硅陶瓷預(yù)制件制備技術(shù)研究過程中,主要對一下方面進(jìn)行重點(diǎn)研究:SiC陶瓷顆粒分布設(shè)計(jì):該方法既涉及預(yù)制型產(chǎn)品的孔隙率,也要考慮空隙的規(guī)則分布,使***鋁的浸滲飽和充實(shí),方便材料的加工,傳統(tǒng)制造過程由于技術(shù)缺陷容易造成浸漬過程陶瓷死角...
多孔陶瓷是指經(jīng)過特殊成型和高溫?zé)Y(jié)工藝制備的一種具有較多孔洞的無機(jī)非金屬材料。具有耐高溫、開口孔隙率高、比表面積大、孔結(jié)構(gòu)可控等特點(diǎn),因而在吸附、分離、過濾、分散、滲透、換熱隔熱、吸聲、隔音、催化載體、傳感以及生物醫(yī)學(xué)等方面都有著***的應(yīng)用。商業(yè)化的多孔...
添加造孔劑法制備多孔碳化硅陶瓷通過將造孔劑加入碳化硅粉末或前驅(qū)體中,再通過后續(xù)的工藝將造孔劑除去,這樣原本造孔劑所占據(jù)的位置便形成孔隙,之后再加熱燒結(jié)形成多孔陶瓷。因此,改變造孔劑的種類及添加量可以很方便地控制多孔陶瓷成品的孔率、孔隙形貌和孔徑及分布。造孔劑的...
添加造孔劑法制備多孔碳化硅陶瓷通過將造孔劑加入碳化硅粉末或前驅(qū)體中,再通過后續(xù)的工藝將造孔劑除去,這樣原本造孔劑所占據(jù)的位置便形成孔隙,之后再加熱燒結(jié)形成多孔陶瓷。因此,改變造孔劑的種類及添加量可以很方便地控制多孔陶瓷成品的孔率、孔隙形貌和孔徑及分布。造孔劑的...
所研制的復(fù)合材料的特點(diǎn)是:B4C顆粒的平均粒度在亞微米范圍內(nèi),形貌近似球形,均勻分布在鋁基體中并且與基體形成了良好的界面結(jié)合等。17vol %B4Cp/AI6061的屈服強(qiáng)度為415MPa,抗拉強(qiáng)度為470MPa,比常規(guī)粉末冶金法復(fù)合材料的屈服強(qiáng)度和抗拉強(qiáng)度分...
2、防中子核電站用屏蔽組件B4C具有密度小、硬度高、強(qiáng)度高、耐磨損、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),將B4C粉體加入少量的助劑燒結(jié)為B4C塊體和板材可以用于核反應(yīng)堆的屏蔽組件。 目前,快中子反應(yīng)堆普遍采用不同10B富集度的熱壓燒結(jié)B4C芯塊作為中子吸收材...
伴隨高新材料技術(shù)的發(fā)展,各種先進(jìn)材料在航空工業(yè)中應(yīng)用越來越***。飛機(jī)結(jié)構(gòu)必須要有足夠的強(qiáng)度、剛度和抗疲勞的能力,且總質(zhì)量在滿足各條件下**小。對于***飛機(jī)來說,還要考慮其生存力及其他特殊性能。而材料的選擇,是滿足這些條件的**主要因素之一。 金屬...
(2)、增強(qiáng)體SiC與基體鋁浸潤性差的問題:增強(qiáng)材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關(guān)鍵技術(shù),基體對增強(qiáng)材料浸潤性差,有時(shí)根本不發(fā)生潤濕現(xiàn)象。該問題主要解決方法:①、加入合金元素,優(yōu)化基體組分,改善基體對增強(qiáng)體的浸潤性,常用的合金元素有:鎂、硅等;②、對...
2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù):由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性,其加工性能不如樹脂好,在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù),其中主要表現(xiàn)于:加工溫度高,在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng);增強(qiáng)材料與基體浸潤性差;增強(qiáng)材料在基體中的分布。 (1)、高溫...
(4)、超聲加工: 超聲加工(USM)是指將超聲波和數(shù)控加工中心相互結(jié)合,在數(shù)控加工中心上由超聲發(fā)生器產(chǎn)生高頻電振蕩(一般為16kHz~25kHz),施加于超聲換能器上,將高頻電振蕩轉(zhuǎn)換成超聲頻振動。超聲振動通過變幅桿放大振幅,并驅(qū)動以一定的靜壓力壓...
碳化硼**早是在1858年被發(fā)現(xiàn)的,然后英國的Joly在1883年制備核認(rèn)定了B3C,法國的Moissan在1894年制備和認(rèn)定了B6C。化學(xué)計(jì)量分子式為B4C的化合物知道1934年方被認(rèn)知。目前接受的碳化硼晶格屬于空間點(diǎn)陣,晶格常數(shù)a=0.519nm,c...
(5)B4C/Al核燃料儲存和運(yùn)輸材料B4C/Al中子吸收材料在海外已替代硼不銹鋼等材料大量應(yīng)用于核燃料和乏燃料的高密度貯存和運(yùn)輸。中國由于核電商業(yè)化開展較晚,中子吸收材料研發(fā)明顯滯后,導(dǎo)致吸收材料長期依賴進(jìn)口,嚴(yán)重制約了中國核電自主化與走出去的發(fā)展戰(zhàn)略。...
顆粒堆積燒結(jié)法也稱為固態(tài)燒結(jié)法,其成孔是通過顆粒堆積留下空隙形成氣孔。在骨料中加入相同組分的微細(xì)顆粒及一些添加劑,利用微細(xì)顆粒易于燒結(jié)的特點(diǎn),在一定溫度下將大顆粒連接起來。由于每一粒骨料*在幾個(gè)點(diǎn)上與其他顆粒發(fā)生連接,因而形成大量三維貫通孔道。 多孔...
根據(jù)鋁基碳化硼中子吸收材料的應(yīng)用條件,參照國內(nèi)外需求單位的技術(shù)要求,規(guī)定了碳化硼顆粒均勻地分布在鋁合金基體中,無明顯孔洞、連通孔隙和碳化硼聚集。碳化硼顆粒和基體間截面清洗,無析出物。 根據(jù)鋁基碳化硼中子吸收材料的應(yīng)用條件,參照國內(nèi)外需求單位的技術(shù)要求...
碳化硼陶瓷具有低密度、高硬度、高彈性模量、高熱導(dǎo)率、高熔點(diǎn)、優(yōu)異的耐磨性能等特點(diǎn),同時(shí)兼有較高的抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性。鋁基碳化硼中子吸收材料是核電站乏燃料貯存格架,運(yùn)輸容器的主要材料,用以保證乏燃料在貯存和運(yùn)輸中的臨界安全。鋁基碳化硼中子吸收材料是核電站乏燃料貯...
封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種,SiC是其中應(yīng)用**為***的一種,這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能,用作顆粒磨料技術(shù)成熟,價(jià)格相對較低;另一方面,顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性,**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小,...
伴隨高新材料技術(shù)的發(fā)展,各種先進(jìn)材料在航空工業(yè)中應(yīng)用越來越***。飛機(jī)結(jié)構(gòu)必須要有足夠的強(qiáng)度、剛度和抗疲勞的能力,且總質(zhì)量在滿足各條件下**小。對于***飛機(jī)來說,還要考慮其生存力及其他特殊性能。而材料的選擇,是滿足這些條件的**主要因素之一。 金屬...