多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu)，它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過(guò)制備方法來(lái)調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來(lái)得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以，它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是...

生物炭模板法：生物材料中的微觀孔隙結(jié)構(gòu)與人工合成材料中的孔隙結(jié)構(gòu)存在很大差異，由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，以生物體作為模板并制備出與其結(jié)構(gòu)相似的多孔陶瓷材料受到了普遍關(guān)注。缺點(diǎn)：在碳模板在制備過(guò)程中易產(chǎn)生開(kāi)裂，對(duì)高孔率的多孔SiC陶瓷的力學(xué)性能影響很大，制備工藝成本...

更為引人注目的是，在20世紀(jì)90年代末，鋁碳化硅在大型客機(jī)上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動(dòng)機(jī)開(kāi)始，將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強(qiáng)變形鋁合金基復(fù)合材料（6092/SiC/17.5p-T6）作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片，用于所有采用PW4000系發(fā)動(dòng)機(jī)的波音7...

伴隨高新材料技術(shù)的發(fā)展，各種先進(jìn)材料在航空工業(yè)中應(yīng)用越來(lái)越***。飛機(jī)結(jié)構(gòu)必須要有足夠的強(qiáng)度、剛度和抗疲勞的能力，且總質(zhì)量在滿足各條件下**小。對(duì)于***飛機(jī)來(lái)說(shuō)，還要考慮其生存力及其他特殊性能。而材料的選擇，是滿足這些條件的**主要因素之一。 金屬...

SiC因?yàn)榫邆涞蜔崤蛎浵禂?shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過(guò)程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價(jià)化合物，純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié)，這種制備方法燒結(jié)溫度過(guò)高，在實(shí)際生產(chǎn)中常通過(guò)添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來(lái)...

多孔陶瓷預(yù)制件具有良好的吸附能力和活性。被覆催化劑后，反應(yīng)流體通過(guò)泡沫陶瓷孔道，將**提高轉(zhuǎn)化效率和反應(yīng)速率。由于多孔陶瓷具有比表面積高、熱穩(wěn)定性好、耐磨、不易中毒、低密度等特點(diǎn)，作為汽車(chē)尾氣催化凈化器載體已被***使用除了作催化劑載體外，它還可以作為其它功能...

一、核反應(yīng)堆工作原理目前的核電站產(chǎn)生熱能的原理和**的原理是一樣的，都是靠核裂變產(chǎn)生能量，根據(jù)愛(ài)因斯坦的質(zhì)能方程：E=MC2將質(zhì)量轉(zhuǎn)變?yōu)槟芰?。其主要過(guò)程為：含鈾的核原料發(fā)生裂變產(chǎn)生的熱量經(jīng)水或者熔鹽或氦氣通過(guò)熱交換器傳給液態(tài)水，液態(tài)水加熱后轉(zhuǎn)化為具有一定壓...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過(guò)先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在...

在強(qiáng)碳-硅共價(jià)鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機(jī)械強(qiáng)度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點(diǎn)，其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機(jī)膜相比，SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結(jié)溫度高，純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常...

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質(zhì)上消除了。同時(shí)AlSiC材質(zhì)的熱導(dǎo)率可高達(dá)（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導(dǎo)率還高50%。英飛凌試...

生物炭模板法：生物材料中的微觀孔隙結(jié)構(gòu)與人工合成材料中的孔隙結(jié)構(gòu)存在很大差異，由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，以生物體作為模板并制備出與其結(jié)構(gòu)相似的多孔陶瓷材料受到了普遍關(guān)注。缺點(diǎn)：在碳模板在制備過(guò)程中易產(chǎn)生開(kāi)裂，對(duì)高孔率的多孔SiC陶瓷的力學(xué)性能影響很大，制備工藝成本...

將Al合金粉末與B4C粉末混合，采用粉末冶金工藝制備復(fù)合材料，在低于Al合金熔點(diǎn)以下進(jìn)行燒結(jié)，Al與B4C界面反應(yīng)**減弱，B4C的粒度和體積比可在大范圍內(nèi)調(diào)整，可采用冷等靜壓成型、燒結(jié)方式，也可以采用直接熱壓或熱等靜壓工藝成形與燒結(jié)同步完成，燒結(jié)后的坯體可進(jìn)...

倒裝芯片封裝FCP技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于能大幅度提高產(chǎn)品的電性能、散熱效能，適合高引腳數(shù)、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫?zé)Y(jié)陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時(shí)還具有髙熱傳導(dǎo)率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護(hù)...

近年來(lái)，某研究所與中國(guó)核電工程有限公司合作，在B4C/Al中子吸收材料制備、模擬環(huán)境服役性能考核以及全尺寸工程件研制等方面開(kāi)展了攻關(guān)研究。攻克了大尺寸坯錠制備過(guò)程中界面調(diào)控難題，突破了高含量B4C/Al薄板的高效、高成品率軋制成型瓶頸，開(kāi)發(fā)出適用于復(fù)合材料焊接...

對(duì)鋁基碳化硼中子吸收材料成品主要檢測(cè)的鋁基體的化學(xué)成分、碳化硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)、B10面密度要求進(jìn)行了規(guī)定。鋁基體和化學(xué)成分是材料力學(xué)性能和抗腐蝕性能有很大關(guān)系，所以采用GT/T20975進(jìn)行檢測(cè)。碳化硼質(zhì)量分?jǐn)?shù)是關(guān)系到中子吸收能力，規(guī)定了碳化硼含量偏差在±0.5%，...

鋁碳化硅制備技術(shù)介紹： 1、鋁碳化硅材料成型技術(shù)應(yīng)具備的條件： 鋁碳化硅制備工藝種類(lèi)較多，包含粉末冶金法、攪拌鑄造法、真空壓力浸滲法、原位生成法、無(wú)壓浸滲法等等，使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布金屬基體中，滿足復(fù)合材料結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度要求；能使復(fù)合材料界面...

碳化硼粉體少量（≤5-10%）的添加于碳化硅陶瓷，能夠固溶到碳化硅晶格，產(chǎn)生晶格畸變，起到活化作用，**終達(dá)到幫助熱壓或者無(wú)壓燒結(jié)致密化的效果。較大量（≥15-45%）的添加于重結(jié)晶碳化硅陶瓷，還能進(jìn)一步起到提高碳化硅陶瓷防彈性能、強(qiáng)度及耐磨性能的效果。這是碳...

(3)、激光加工：目前國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)鋁基復(fù)合材料激光加工技術(shù)的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機(jī)械斬光盤(pán)調(diào)脈沖激光器切割試驗(yàn)表明，在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當(dāng)?shù)钠骄β蕳l件下，采用高速多次重復(fù)走刀切割工藝，可以得到無(wú)裂紋...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機(jī)加（—表面處理） 工藝設(shè)備：真空壓力浸滲爐 工藝優(yōu)勢(shì)：1、可實(shí)現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復(fù)雜的零件；2、組織致密度高，材料性...

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國(guó)的AlSiC年產(chǎn)量超過(guò)100萬(wàn)件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長(zhǎng)5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進(jìn)一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開(kāi)發(fā)機(jī)載AESA及...

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開(kāi)始提供商品化的碳化硅基。2001年德國(guó)Infineon公司推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。在日本，羅姆、新日本無(wú)線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管...

中子吸收材料又稱中子毒物材料，是通過(guò)其含有的大量的中子吸收截面物質(zhì)（如硼、鎘、釓等）吸收熱中子，從而抑制核裂變鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，主要用于核燃料與乏燃料貯存和運(yùn)輸中，以保證貯運(yùn)的次臨界安全。 碳化硼增強(qiáng)鋁（B4C/Al）復(fù)合材料中子吸收材料是由B4C顆粒添加到...

先進(jìn)高超音速飛行器及航空發(fā)動(dòng)機(jī)性能的提高越發(fā)依賴于先進(jìn)材料、工藝及相關(guān)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。傳統(tǒng)金屬材料因減重和耐溫空間有限，難滿足高推重比發(fā)動(dòng)機(jī)對(duì)高溫部件的需求，急需發(fā)展CMC–SiC復(fù)合材料等**性新型耐高溫結(jié)構(gòu)材料，而隨著飛行器速度及航空發(fā)動(dòng)機(jī)推重比的提高，必...

2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料，已率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

在軍機(jī)上還應(yīng)用有其他的先進(jìn)材料，如陶瓷基復(fù)合材料、功能復(fù)合材料等。陶瓷基層狀復(fù)合材料具有獨(dú)特的力學(xué)性能和抗破壞能力，主要用于制作飛機(jī)燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)噴嘴閥，在提高發(fā)動(dòng)機(jī)的推重比和降低燃料消耗方面具有重要的作用。氧化鋁纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料可用作超音速飛機(jī)、火...

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹(shù)脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。 （1）、高溫...

一、核反應(yīng)堆工作原理目前的核電站產(chǎn)生熱能的原理和**的原理是一樣的，都是靠核裂變產(chǎn)生能量，根據(jù)愛(ài)因斯坦的質(zhì)能方程：E=MC2將質(zhì)量轉(zhuǎn)變?yōu)槟芰俊Ｆ渲饕^(guò)程為：含鈾的核原料發(fā)生裂變產(chǎn)生的熱量經(jīng)水或者熔鹽或氦氣通過(guò)熱交換器傳給液態(tài)水，液態(tài)水加熱后轉(zhuǎn)化為具有一定壓...

碳化硼（B4C）作為一種具有在自然界中*次于金剛石、立方氮化硼的超高硬度材料，還具有超高耐磨性能、高彈性模量、低密度（2.52g/cm3）、耐化學(xué)腐蝕、優(yōu)異的吸收中子輻射、耐高溫氧化性能等特點(diǎn)。以碳化硼為主要基體的復(fù)合材料或者碳化硼單相陶瓷材料，已經(jīng)作為防彈陶...

中子吸收材料主要性能要求包括：（1）有高的中子吸收截面，且這種核作用不應(yīng)隨燃耗而降低；（2）有足夠的機(jī)械強(qiáng)度和抗腐蝕性，在運(yùn)行溫度和輻照條件下具有足夠的化學(xué)穩(wěn)定性和尺寸穩(wěn)定性；（3）良好的導(dǎo)熱性，可將吸收中子反應(yīng)所產(chǎn)生的熱量隨時(shí)導(dǎo)出；（4）有良好的加工性。...