目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產業(yè)化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的...

添加造孔劑法制備多孔碳化硅陶瓷通過將造孔劑加入碳化硅粉末或前驅體中，再通過后續(xù)的工藝將造孔劑除去，這樣原本造孔劑所占據的位置便形成孔隙，之后再加熱燒結形成多孔陶瓷。因此，改變造孔劑的種類及添加量可以很方便地控制多孔陶瓷成品的孔率、孔隙形貌和孔徑及分布。造孔劑的...

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實質是高溫強電場作用下的電化學反應,己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產的歷史,這...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產業(yè)化趨勢看，AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一...

顆粒增強鋁基復合材料是利用顆粒自身的強度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進行搭配，強化相的容積比可達90％。SiC顆粒增強鋁基復合材料是各向同性、顆粒價格比較低、來源**廣、復合制備工藝多樣、**易成形和加工的復合材料。通過碳化硅多孔陶瓷預...

5、鋁碳化硅材料制機械加工技術介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機械加工是產品制造中的難點環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長等方面。 （1）、傳統(tǒng)機械加工技術：SiC增強體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質合金刀具)的硬...

低體分鋁碳化硅的**應用領域——輕量化結構件方向、耐磨方向： 早在20世紀80年代，低體分鋁碳化硅就作為非主承載結構件成功地應用于飛機上，典型案例為洛克希德馬丁公司生產的電子設備支架。本世紀開始，該材料作為主承載結構件在飛機上正式應用。F-18“大黃...

2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術：由于金屬所固有的物理和化學特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關鍵技術，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學反應；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。 （1）、高溫...

熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時又具備耐熱耐蝕不污染等特性。 復合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強度高和導熱性好等特點，使其成為一種常用的金屬...

立體光刻（SLA）：SLA 技術是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術，常用于制備高精度、復雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑（如光引發(fā)劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經脫粘、燒...

顆粒增強鋁基復合材料是利用顆粒自身的強度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進行搭配，強化相的容積比可達90％。SiC顆粒增強鋁基復合材料是各向同性、顆粒價格比較低、來源**廣、復合制備工藝多樣、**易成形和加工的復合材料。通過碳化硅多孔陶瓷預...

除用作慣性器件外，光學/儀表級鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如，美國已采用碳化硅顆粒增強鋁基復合材料制成了超輕空間望遠鏡的主反射鏡和次反射鏡，主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學鍍鎳層，鎳反射層與鋁基復合材料基材結合良好、...

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域...

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，*次于世界上**硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。 碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術上重大突破，...

高溫過濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(Diesel Particulate Filter，DPF)的多孔SiC陶瓷，要求有高的孔隙度以保證透氣性，合適的孔徑尺寸以保證適中的壓差，同時應具備高的力學性能以適合高溫承載條件下使用。多孔陶瓷的力學...

添加造孔劑法制備多孔碳化硅陶瓷通過將造孔劑加入碳化硅粉末或前驅體中，再通過后續(xù)的工藝將造孔劑除去，這樣原本造孔劑所占據的位置便形成孔隙，之后再加熱燒結形成多孔陶瓷。因此，改變造孔劑的種類及添加量可以很方便地控制多孔陶瓷成品的孔率、孔隙形貌和孔徑及分布。造孔劑的...

中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優(yōu)勢及應用方向：（1）、高微屈服強度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達（110～120）MPa水平，是國產真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動，保證穩(wěn)...

隨著AlSiC復合材料在航空航天、汽車、***、電子、體育用具等領域的廣泛應用，對其制品的加工精和表面質量的要求也越來越高，采用傳統(tǒng)的機械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實現(xiàn)高標準的加工要求。這就要求在對AlSiC復合材料的機械切削加工、激光加工、超聲加工...

(3)、激光加工：目前國內外學者對鋁基復合材料激光加工技術的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機械斬光盤調脈沖激光器切割試驗表明，在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當?shù)钠骄β蕳l件下，采用高速多次重復走刀切割工藝，可以得到無裂紋...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節(jié)， 由此決定了產品的競爭力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特...

碳化硅（SiC）是目前發(fā)展**成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導體器件。 碳化硅顆粒增強的鋁...

顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡單，而且過程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結合劑作...

碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節(jié)能效果好。...

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系...

SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結構為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關系。在溫度低于1600℃時，...

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實質是高溫強電場作用下的電化學反應,己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產的歷史,這...

先進高超音速飛行器及航空發(fā)動機性能的提高越發(fā)依賴于先進材料、工藝及相關結構的應用。傳統(tǒng)金屬材料因減重和耐溫空間有限，難滿足高推重比發(fā)動機對高溫部件的需求，急需發(fā)展CMC–SiC復合材料等**性新型耐高溫結構材料，而隨著飛行器速度及航空發(fā)動機推重比的提高，必...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優(yōu)勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～1...