新型特種陶瓷——多孔陶瓷件 性能優(yōu)點(diǎn):采用自主研發(fā)的創(chuàng)性型工藝方法研制，工藝過(guò)程未產(chǎn)生二氧化硅，提高M(jìn)MCs熱導(dǎo)率；開(kāi)氣孔率高，提高M(jìn)MCs致密度；抗彎強(qiáng)度高，浸滲過(guò)程不易變形、斷裂，提高M(jìn)MCs成品率及結(jié)構(gòu)復(fù)雜度?？筛鶕?jù)產(chǎn)品技術(shù)要求，采用多種級(jí)配和顆粒粒徑，陶瓷體分可從50%到75%之間調(diào)配。 主要應(yīng)用:高體分MMCs浸滲工藝預(yù)制件；液體提純、過(guò)濾領(lǐng)域功能件；氣體吸附領(lǐng)域功能件。 主要性能指標(biāo)（SiC）： 體分%：50-75%；體密度（g/cm3）：1.6-2.4；抗彎強(qiáng)度（MPa）：≥5；開(kāi)孔率%：≥99 杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架有效避免鋁碳化硅鑄件...

多孔陶瓷制備的氣體過(guò)濾器的優(yōu)點(diǎn)是排氣阻力小、再生方便和過(guò)濾效果高。多孔SiC陶瓷具有壓力損失低，耐熱性、耐熱沖擊性以及油煙捕集效率高等特性，使其在柴油機(jī)油煙收集過(guò)濾方面得到了***關(guān)注。多孔SiC陶瓷具有孔率高、熱導(dǎo)率高、力學(xué)性能良好、抗氧化和耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)其表面通常凹凸不平，存在大量微孔。當(dāng)作為催化劑載體時(shí)，這種特殊的顯微結(jié)構(gòu)極大地增加了兩相接觸面積。此外，其較高的熱導(dǎo)率可使催化劑達(dá)到反應(yīng)所需活化溫度的時(shí)間**縮短。杭州陶飛侖新材料有限公司可按照客戶要求定制化生產(chǎn)各種陶瓷預(yù)制體。湖北多功能碳化硅預(yù)制件供應(yīng) 發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過(guò)向陶瓷組分中添加有機(jī)或無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處...

顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強(qiáng)度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進(jìn)行搭配，強(qiáng)化相的容積比可達(dá)90％。SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來(lái)源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過(guò)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體的顆粒表面改性技術(shù)研究、陶瓷顆粒級(jí)配設(shè)計(jì)研究、粘結(jié)劑性能研究、球磨、混料、干壓及燒結(jié)工藝技術(shù)研究、碳化硅陶瓷預(yù)制體檢測(cè)技術(shù)研究等，獲得碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率較低、陶瓷強(qiáng)度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。杭州陶飛侖生產(chǎn)的碳化硅陶瓷骨架有效避免鋁碳化硅鑄件內(nèi)部裂紋、斷裂、變形等缺陷的產(chǎn)生。廣東碳化硅預(yù)制件量大從優(yōu)多孔陶瓷材料是以...

SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)述如下：碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。 硅、碳直接反應(yīng)法是對(duì)自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過(guò)程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來(lái)自行維持合成過(guò)程。除引燃外無(wú)需外部熱源,具有耗能少、設(shè)備工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)率高的優(yōu)點(diǎn),其缺點(diǎn)是目發(fā)反應(yīng)難以控制。此外硅、碳之間的反應(yīng)是一個(gè)弱放熱反應(yīng),在室溫下反應(yīng)難以點(diǎn)燃和維持下去,為此常采用化學(xué)爐、將電流直接通過(guò)反應(yīng)體、對(duì)反應(yīng)體進(jìn)行預(yù)熱、輔加電場(chǎng)等方法補(bǔ)充能量。 采用杭州陶飛侖生產(chǎn)的多孔陶瓷預(yù)制體浸滲的復(fù)合材料微觀組織具有雙連通效果，可大幅提高復(fù)合材料熱導(dǎo)率。山東碳化硅預(yù)制件廠家現(xiàn)貨...

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應(yīng)法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉(zhuǎn)爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實(shí)質(zhì)是高溫強(qiáng)電場(chǎng)作用下的電化學(xué)反應(yīng),己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產(chǎn),為熱損失。20世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的法對(duì)古典Acheson法進(jìn)行了改進(jìn),80年代出現(xiàn)了豎式爐、高溫轉(zhuǎn)爐等合成β一SiC粉的新設(shè)備,90年代此法得到了進(jìn)一步的發(fā)展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應(yīng)制得日一,隨著溫度的提高及保溫時(shí)...

顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強(qiáng)度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進(jìn)行搭配，強(qiáng)化相的容積比可達(dá)90％。SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來(lái)源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過(guò)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體的顆粒表面改性技術(shù)研究、陶瓷顆粒級(jí)配設(shè)計(jì)研究、粘結(jié)劑性能研究、球磨、混料、干壓及燒結(jié)工藝技術(shù)研究、碳化硅陶瓷預(yù)制體檢測(cè)技術(shù)研究等，獲得碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率較低、陶瓷強(qiáng)度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜的預(yù)制件。優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件發(fā)展趨勢(shì)3D打印法制備多...

孔率是指多孔材料中孔隙所占體積與多孔材料總體積的百分比（包括開(kāi)口孔、半開(kāi)孔和閉合孔3種）。研究表明，多孔材料的性能主要取決于孔率?？紫缎蚊彩侵付嗫滋沾芍锌紫兜男螒B(tài)。當(dāng)孔隙為等軸孔隙時(shí)，材料整體性能呈各向同性；但當(dāng)孔隙為條狀或扁平狀時(shí)，如通過(guò)碳化后的木材經(jīng)由滲硅反應(yīng)燒結(jié)制備的多孔SiC陶瓷，其孔隙結(jié)構(gòu)呈一定的方向性?？紫吨睆叫∮?nm的為微孔材料，孔隙尺寸在2~50nm之間的為介孔材料，尺寸大于20nm的為宏孔材料。受孔徑及分布影響較大的性能包括透過(guò)性、滲透速率和過(guò)濾性能。粗細(xì)顆粒陶瓷表面微處理后精細(xì)程度高，有效提高成品表面質(zhì)量精度及降低鑄造產(chǎn)品的后加工難度。遼寧優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件廠家現(xiàn)貨3D打印...

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開(kāi)始提供商品化的碳化硅基。2001年德國(guó)Infineon公司推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。在日本，羅姆、新日本無(wú)線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管。2013年9月29日，碳化硅半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”召開(kāi)，24個(gè)國(guó)家的半導(dǎo)體企業(yè)、科研院校等136家單位與會(huì)，人數(shù)達(dá)到794人次，為歷年來(lái)之**。國(guó)際**的半導(dǎo)體器件廠商，如科銳、三菱、羅姆、英飛凌、飛兆等在會(huì)議上均展示出了***量產(chǎn)化的碳化硅器件。到現(xiàn)在已經(jīng)有很多廠商生產(chǎn)碳化硅器件比如Cree公司、Microsemi公司...

模板法 模板法是將陶瓷漿料或前驅(qū)物注入具有多孔結(jié)構(gòu)的模板材料，隨后通過(guò)一系列的處理便可得到與模板材料結(jié)構(gòu)相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類(lèi)：一種是使用人工合成材料的有機(jī)泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。 ①有機(jī)泡沫浸漬法：該法是用有機(jī)泡沫浸漬陶瓷漿料，干燥后在高溫下燒掉有機(jī)泡沫載體形成孔隙結(jié)構(gòu)而獲得多孔陶瓷的一種方法。優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備少，制造成本低，工藝過(guò)程易控制，制品具有開(kāi)孔三維網(wǎng)狀骨架結(jié)構(gòu)且氣孔相互貫通；缺點(diǎn)：不能制造小孔徑閉氣孔制品，孔隙形狀受有機(jī)前驅(qū)體制約以及孔筋機(jī)械強(qiáng)度不夠高。 杭州陶飛侖新材料有限公司探索出預(yù)制體強(qiáng)度與鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關(guān)...

液相法主要有溶膠一凝膠法和聚合物分解法。Ewell年等***提出溶膠一凝膠法法,而真正用于陶瓷制備則始于1952年左右。該法以液體化學(xué)試劑配制成的醇鹽前驅(qū)體,將它在低溫下溶于溶劑形成均勻的溶液,加入適當(dāng)凝固劑使醇鹽發(fā)生水解、聚合反應(yīng)后生成均勻而穩(wěn)定的溶膠體系,再經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間放置或干燥處理,濃縮成Si和C在分子水平上的混合物或聚合物,繼續(xù)加熱形成混合均勻且粒徑細(xì)小的Si和C的兩相混合物,在1460一1600℃左右發(fā)生碳還原反應(yīng)**終制得SiC細(xì)粉。控制溶膠一凝膠化的主要參數(shù)有溶液的pH值、溶液濃度、反應(yīng)溫度和時(shí)間等。該法在工藝操作過(guò)程中易于實(shí)現(xiàn)各種微量成份的添加,混合均勻性好；但工藝產(chǎn)物中常殘留羥...

有機(jī)泡沫浸漬法是利用有機(jī)泡沫作模板，將調(diào)制好的陶瓷漿料均勻涂覆在模板上或?qū)⒛０褰霛{料中，排除空氣，使?jié){料均勻附著在有機(jī)泡沫模板上，然后經(jīng)干燥高溫?zé)Y(jié)去除有機(jī)模板，從而制得多孔陶瓷的方法。該方法比較大的缺點(diǎn)則是無(wú)法制備出小孔徑閉口氣孔制品，形狀受限制且預(yù)制體的性能受原材料的影響較大，所制備的多孔陶瓷材料的密度和強(qiáng)度也不易控制。多孔碳化硅陶瓷作為新型陶瓷材料，其應(yīng)用日益***的同時(shí)，其制備技術(shù)必會(huì)進(jìn)一步得到重視，尤其是在內(nèi)部結(jié)構(gòu)方面要做到精細(xì)控制，這樣我們才能夠精細(xì)的調(diào)控多孔碳化硅陶瓷性能。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架有效避免鋁碳化硅鑄件內(nèi)部裂紋、斷裂、變形等缺陷的產(chǎn)生。山西優(yōu)勢(shì)碳...

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu)，它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過(guò)制備方法來(lái)調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來(lái)得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以，它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制備過(guò)程中的一系列物理現(xiàn)象導(dǎo)致的，并沒(méi)有化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生或新物質(zhì)的生成。其主要機(jī)理是依靠固相物質(zhì)的受熱收縮、液相的蒸發(fā)、固相的直接升華而留下的空隙而形成多孔結(jié)構(gòu)。杭州陶飛侖系統(tǒng)研究預(yù)制體的抗彎強(qiáng)度和鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關(guān)系。天津通用碳化硅預(yù)制件銷(xiāo)售電話碳化硅（SiC）陶瓷具有優(yōu)良的高溫強(qiáng)度、耐磨性、耐腐蝕性以及抗熱震性，其按結(jié)構(gòu)可...

鋁碳化硅（AlSiC）復(fù)合材料是大功率IGBT封裝的理想材料，目前先進(jìn)制備技術(shù)主要被美日系企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)廠商面臨**、制造水平、加工技術(shù)等多方面的壁壘，國(guó)內(nèi)大功率IGBT封裝用AlSiC產(chǎn)品主要依賴(lài)于從日本進(jìn)口。受?chē)?guó)內(nèi)政策支持影響，近年來(lái)出現(xiàn)了一批AlSiC復(fù)合材料制備的企業(yè)，雖然他們?cè)阡X碳化硅復(fù)合材料制備技術(shù)上取得了較大的發(fā)展和進(jìn)步，但主要集中在復(fù)合材料結(jié)構(gòu)件和低體分（≤40%）制造方面，大功率IGBT用高體分（≥55%）的AlSiC復(fù)合材料存在加工精度低和焊接性能差的技術(shù)壁壘問(wèn)題并沒(méi)有得到有效解決。模具設(shè)計(jì)對(duì)于陶瓷坯體成型的完整性、尺寸精度和鑄造產(chǎn)品的表層平面度和致密性具有決定性。湖北大規(guī)...

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應(yīng)法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉(zhuǎn)爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實(shí)質(zhì)是高溫強(qiáng)電場(chǎng)作用下的電化學(xué)反應(yīng),己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產(chǎn),為熱損失。20世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的法對(duì)古典Acheson法進(jìn)行了改進(jìn),80年代出現(xiàn)了豎式爐、高溫轉(zhuǎn)爐等合成β一SiC粉的新設(shè)備,90年代此法得到了進(jìn)一步的發(fā)展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應(yīng)制得日一,隨著溫度的提高及保溫時(shí)...

顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡(jiǎn)單，而且過(guò)程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結(jié)程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結(jié)合劑作用下的水或有機(jī)溶劑均勻混合制成漿料，然后將混合均勻的漿料倒入模具中，在低溫條件下使其快速冷凍，讓液相基體迅速凝結(jié)為固體，而后再通過(guò)減壓或真空干燥處理使凝結(jié)的固相升華去除，從而得到在漿料內(nèi)部留下定向排列孔洞結(jié)構(gòu)的坯體，***經(jīng)燒結(jié)制得多孔碳化硅陶瓷的方法。杭州陶飛侖在多孔陶瓷骨架制備方面已經(jīng)完成了充分的技術(shù)積累。河北優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件供應(yīng)碳化...

碳化硅（SiC）陶瓷具有優(yōu)良的高溫強(qiáng)度、耐磨性、耐腐蝕性以及抗熱震性，其按結(jié)構(gòu)可以分為致密SiC陶瓷和多孔SiC陶瓷兩大類(lèi)。多孔SiC陶瓷材料脆性大，通常使用彎曲強(qiáng)度或壓縮強(qiáng)度表征其力學(xué)性能。孔率及制備方式對(duì)多孔SiC陶瓷力學(xué)性能影響較大?？茁屎涂紫缎蚊矊?duì)多孔陶瓷的導(dǎo)熱性能影響較大。對(duì)于孔隙分布均勻的多孔陶瓷而言，隨著孔率提高，其熱導(dǎo)率逐步下降。但由于不同工藝制備的多孔陶瓷材料的孔隙形貌存在較大差異，因此傳熱過(guò)程也就相應(yīng)地多變而復(fù)雜。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜的預(yù)制件。浙江通用碳化硅預(yù)制件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究?jī)?nèi)容包含：...

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí)，*次于世界上**硬的金剛石（10級(jí)），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。 碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長(zhǎng)***碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開(kāi)***次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年***采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法。 碳化硅陶瓷預(yù)制體孔道的分布決定金屬和陶瓷兩相的分布均勻性。河南好的碳化硅預(yù)制件生產(chǎn)過(guò)程多孔陶瓷制備的...

SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過(guò)2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。杭...

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1～2倍；用以制成的高級(jí)耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好。低品級(jí)碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒等產(chǎn)品。碳化硅預(yù)制體材料性能檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確，將直接導(dǎo)致鋁碳化硅浸滲工藝過(guò)程鋁液含量和工藝參數(shù)設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性。北京碳化硅預(yù)制件檢測(cè)技術(shù) 熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度...

制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開(kāi)發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種復(fù)合材料線膨脹系數(shù)要求的碳化硅陶瓷預(yù)制體。江西有什么碳化硅預(yù)制件發(fā)展趨勢(shì)SiC...

SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過(guò)2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。杭...

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應(yīng)法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉(zhuǎn)爐法。阿奇遜法首先由Acheson發(fā)明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實(shí)質(zhì)是高溫強(qiáng)電場(chǎng)作用下的電化學(xué)反應(yīng),己有上百年大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的歷史,這種工藝得到的SiC顆粒較粗。此外,該工藝耗電量大,其中用于生產(chǎn),為熱損失。20世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的法對(duì)古典Acheson法進(jìn)行了改進(jìn),80年代出現(xiàn)了豎式爐、高溫轉(zhuǎn)爐等合成β一SiC粉的新設(shè)備,90年代此法得到了進(jìn)一步的發(fā)展。Ohsakis等利用SiO2與Si粉的混合粉末受熱釋放出的SiO氣體,與活性炭反應(yīng)制得日一,隨著溫度的提高及保溫時(shí)...

制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開(kāi)發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn)，其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。碳化硅陶瓷預(yù)制體孔道的分布決定金屬和陶瓷兩相的分布均勻性。北京標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件價(jià)格多少杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)碳化硅多孔陶瓷預(yù)...

顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡(jiǎn)單，而且過(guò)程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結(jié)程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結(jié)合劑作用下的水或有機(jī)溶劑均勻混合制成漿料，然后將混合均勻的漿料倒入模具中，在低溫條件下使其快速冷凍，讓液相基體迅速凝結(jié)為固體，而后再通過(guò)減壓或真空干燥處理使凝結(jié)的固相升華去除，從而得到在漿料內(nèi)部留下定向排列孔洞結(jié)構(gòu)的坯體，***經(jīng)燒結(jié)制得多孔碳化硅陶瓷的方法。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的碳化硅陶瓷預(yù)制體抗彎強(qiáng)度超過(guò)5兆帕以上。浙江好的碳化硅預(yù)...

高溫過(guò)濾催化用多孔材料，如用作柴油車(chē)尾氣顆粒物過(guò)濾器(Diesel Particulate Filter，DPF)的多孔SiC陶瓷，要求有高的孔隙度以保證透氣性，合適的孔徑尺寸以保證適中的壓差，同時(shí)應(yīng)具備高的力學(xué)性能以適合高溫承載條件下使用。多孔陶瓷的力學(xué)性能主要取決于材料的微觀結(jié)構(gòu)，如氣孔率、孔徑形態(tài)、孔徑尺寸和分布、燒結(jié)頸等，多孔材料的制備工藝決定了其微觀結(jié)構(gòu)。采用氣固反應(yīng)結(jié)合重結(jié)晶兩步燒結(jié)法制備多孔SiC陶瓷。首先以微米SiC顆粒作為骨架，通過(guò)SiO氣體和納米炭黑的高溫氣固反應(yīng)得到納米碳化硅均勻分布的預(yù)燒結(jié)體。 杭州陶飛侖通過(guò)仿真模擬軟件模擬鋁碳化硅鑄件成型工藝參數(shù)與碳化硅陶...

顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是利用顆粒自身的強(qiáng)度，其基體起著把顆粒組合在一起的作用，采用多種顆粒直徑進(jìn)行搭配，強(qiáng)化相的容積比可達(dá)90％。SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料是各向同性、顆粒價(jià)格比較低、來(lái)源**廣、復(fù)合制備工藝多樣、**易成形和加工的復(fù)合材料。通過(guò)碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體的顆粒表面改性技術(shù)研究、陶瓷顆粒級(jí)配設(shè)計(jì)研究、粘結(jié)劑性能研究、球磨、混料、干壓及燒結(jié)工藝技術(shù)研究、碳化硅陶瓷預(yù)制體檢測(cè)技術(shù)研究等，獲得碳化硅陶瓷體分可調(diào)、閉氣孔率較低、陶瓷強(qiáng)度及性能較均一的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體。杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種復(fù)合材料線膨脹系數(shù)要求的碳化硅陶瓷預(yù)制體。湖南多功能碳化硅預(yù)制件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)...

添加造孔劑法制備多孔碳化硅陶瓷通過(guò)將造孔劑加入碳化硅粉末或前驅(qū)體中，再通過(guò)后續(xù)的工藝將造孔劑除去，這樣原本造孔劑所占據(jù)的位置便形成孔隙，之后再加熱燒結(jié)形成多孔陶瓷。因此，改變?cè)炜讋┑姆N類(lèi)及添加量可以很方便地控制多孔陶瓷成品的孔率、孔隙形貌和孔徑及分布。造孔劑的種類(lèi)非常***，包括天然或合成有機(jī)高分子、液體、鹽類(lèi)、陶瓷或其他粉末等。不同的造孔劑去除工藝各不相同，有機(jī)高分子造孔劑通常采用加熱分解的方式去除，液體造孔劑則可以通過(guò)結(jié)晶升華去除，鹽類(lèi)通過(guò)用水浸濾去除，陶瓷粉末則通過(guò)適當(dāng)?shù)娜芤航V去除。碳化硅陶瓷骨架燒結(jié)曲線設(shè)計(jì)不合理，將導(dǎo)致坯體強(qiáng)度過(guò)高或過(guò)低、坯體中SiO2含量過(guò)高等情況發(fā)生。上海多功能...

1.直寫(xiě)成型（DIW）：DIW 技術(shù)的打印原理是在計(jì)算機(jī)的輔助下，將具有高粘度的材料通過(guò)噴頭擠壓成長(zhǎng)絲，按照計(jì)算機(jī)輸出的模型橫截面進(jìn)行構(gòu)建，然后逐層“書(shū)寫(xiě)”建立三維結(jié)構(gòu)，***將制得的預(yù)制件進(jìn)行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點(diǎn)主要是簡(jiǎn)易、便宜、快捷，對(duì)打印具有周期性規(guī)律結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀多孔結(jié)構(gòu)的材料具有較大優(yōu)勢(shì)，常用于制備具有大孔結(jié)構(gòu)、桁架結(jié)構(gòu)的陶瓷部件；但是存在致密度低、打印精度低、產(chǎn)品表面質(zhì)量差、氣孔率高、強(qiáng)度低等缺點(diǎn)。對(duì)坯體中所添加的造孔劑、粘結(jié)劑等物質(zhì)進(jìn)行成分含量和熔點(diǎn)測(cè)定。河北多功能碳化硅預(yù)制件常見(jiàn)問(wèn)題 高溫過(guò)濾催化用多孔材料，如用作柴油車(chē)尾氣顆粒物過(guò)濾器(Diesel Par...

SiC具有α和β兩種晶型。β－SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格；α－SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上**為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí)，SiC以β－SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時(shí)，β－SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α－SiC的各種多型體。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成；對(duì)于6H，SiC，即使溫度超過(guò)2200℃，也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會(huì)引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。杭...

立體光刻（SLA）：SLA 技術(shù)是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術(shù)，常用于制備高精度、復(fù)雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹(shù)脂以及添加劑（如光引發(fā)劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經(jīng)脫粘、燒結(jié)后的陶瓷零件能夠保持原形貌。首先將打印參數(shù)、3D 模型輸入計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)控制打印頭移動(dòng)，打印頭發(fā)射的激光選擇性地照射在漿料表面，光引發(fā)劑吸收對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的激光后受激產(chǎn)生自由基，引發(fā)光固化樹(shù)脂的光聚合過(guò)程，將陶瓷粉體填充在固化后的樹(shù)脂骨架中，通常是點(diǎn)對(duì)線、線對(duì)層，一層打印完成后，打印臺(tái)向下移動(dòng)，然后進(jìn)行逐層打印，獲得陶瓷預(yù)制體，再通過(guò)脫粘、...