新型特種陶瓷——多孔陶瓷件 性能優(yōu)點(diǎn):采用自主研發(fā)的創(chuàng)性型工藝方法研制,工藝過程未產(chǎn)生二氧化硅,提高M(jìn)MCs熱導(dǎo)率;開氣孔率高,提高M(jìn)MCs致密度;抗彎強(qiáng)度高,浸滲過程不易變形、斷裂,提高M(jìn)MCs成品率及結(jié)構(gòu)復(fù)雜度??筛鶕?jù)產(chǎn)品技術(shù)要求,采用多種級(jí)配和顆粒粒徑,陶瓷體分可從50%到75%之間調(diào)配。 主要應(yīng)用:高體分MMCs浸滲工藝預(yù)制件;液體提純、過濾領(lǐng)域功能件;氣體吸附領(lǐng)域功能件。 主要性能指標(biāo)(SiC): 體分%:50-75%;體密度(g/cm3):1.6-2.4;抗彎強(qiáng)度(MPa):≥5;開孔率%:≥99 杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產(chǎn)各種體分的碳化硅陶瓷預(yù)制體...
1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線,供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。2001年德國Infineon公司推出SiC二極管產(chǎn)品,美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。在日本,羅姆、新日本無線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管。2013年9月29日,碳化硅半導(dǎo)體國際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”召開,24個(gè)國家的半導(dǎo)體企業(yè)、科研院校等136家單位與會(huì),人數(shù)達(dá)到794人次,為歷年來之**。國際**的半導(dǎo)體器件廠商,如科銳、三菱、羅姆、英飛凌、飛兆等在會(huì)議上均展示出了***量產(chǎn)化的碳化硅器件。到現(xiàn)在已經(jīng)有很多廠商生產(chǎn)碳化硅器件比如Cree公司、Microsemi公司...
有機(jī)泡沫浸漬法是利用有機(jī)泡沫作模板,將調(diào)制好的陶瓷漿料均勻涂覆在模板上或?qū)⒛0褰霛{料中,排除空氣,使?jié){料均勻附著在有機(jī)泡沫模板上,然后經(jīng)干燥高溫?zé)Y(jié)去除有機(jī)模板,從而制得多孔陶瓷的方法。該方法比較大的缺點(diǎn)則是無法制備出小孔徑閉口氣孔制品,形狀受限制且預(yù)制體的性能受原材料的影響較大,所制備的多孔陶瓷材料的密度和強(qiáng)度也不易控制。多孔碳化硅陶瓷作為新型陶瓷材料,其應(yīng)用日益***的同時(shí),其制備技術(shù)必會(huì)進(jìn)一步得到重視,尤其是在內(nèi)部結(jié)構(gòu)方面要做到精細(xì)控制,這樣我們才能夠精細(xì)的調(diào)控多孔碳化硅陶瓷性能。杭州陶飛侖系統(tǒng)研究預(yù)制體的抗彎強(qiáng)度和鑄件浸滲工藝及鑄件性能之間的關(guān)系。山東質(zhì)量碳化硅預(yù)制件分類碳化硅由于化...
常見方法有顆粒堆積法、冷凍干燥法、溶膠凝膠法等,近年來興起的3D打印技術(shù)也可以用來直接打印制備出多孔結(jié)構(gòu)。顆粒堆積燒結(jié)法是**為簡(jiǎn)單的制備多孔碳化硅陶瓷的方法。該法的原理是利用陶瓷顆粒自身的燒結(jié)性能,在不同的SiC顆粒間形成燒結(jié)頸,從而使得顆粒堆積體形成多孔陶瓷。為了降低燒結(jié)溫度,通常添加一定量熔點(diǎn)較低的粘結(jié)劑使不同SiC顆粒之間形成連接。由于顆粒堆積燒結(jié)法中所有的孔隙都是由SiC顆粒之間的堆積間隙轉(zhuǎn)變而來的,因此,通過改變粉末尺寸、粘結(jié)劑種類及添加量和燒結(jié)參數(shù),可以控制多孔陶瓷成品的孔率和孔徑。杭州陶飛侖在多孔陶瓷骨架制備方面已經(jīng)完成了充分的技術(shù)積累。質(zhì)量碳化硅預(yù)制件量大從優(yōu)SiC陶瓷的優(yōu)異...
先進(jìn)高超音速飛行器及航空發(fā)動(dòng)機(jī)性能的提高越發(fā)依賴于先進(jìn)材料、工藝及相關(guān)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。傳統(tǒng)金屬材料因減重和耐溫空間有限,難滿足高推重比發(fā)動(dòng)機(jī)對(duì)高溫部件的需求,急需發(fā)展CMC–SiC復(fù)合材料等**性新型耐高溫結(jié)構(gòu)材料,而隨著飛行器速度及航空發(fā)動(dòng)機(jī)推重比的提高,必須對(duì)CMC–SiC復(fù)合材料進(jìn)行基體或涂層抗氧化、抗燒蝕改性才能滿足更苛刻的服役環(huán)境。 CMC–SiC及其改性復(fù)合材料在國外高超音速飛行器及航空發(fā)動(dòng)機(jī)上已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用,國內(nèi)相應(yīng)研究尚處于起步階段,技術(shù)成熟度低,還需在改性材料體系、制備及修復(fù)工藝、考核評(píng)估等方面加強(qiáng)研究。 杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架采用不同的成型方法可制得形...
SiC因?yàn)榫邆涞蜔崤蛎浵禂?shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價(jià)化合物,純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié),這種制備方法燒結(jié)溫度過高,在實(shí)際生產(chǎn)中常通過添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來有效降低其燒結(jié)溫度。高溫?zé)Y(jié)會(huì)產(chǎn)生二氧化硅玻璃相,對(duì)復(fù)合材料的導(dǎo)熱率有抑制影響,杭州陶飛侖新材料有限公司研究生產(chǎn)的鋁碳化硅復(fù)合材料,所采用的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制件是采用的新型工藝,無二氧化硅玻璃相的產(chǎn)生。杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種復(fù)合材料線膨脹系數(shù)要求的碳化硅陶瓷預(yù)制體。安徽標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件制定多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷...
一直以來,碳化硅(SiC)陶瓷憑借硬度高、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高導(dǎo)熱、化學(xué)穩(wěn)定性好、抗熱震性能和抗氧化性能優(yōu)良等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)制造領(lǐng)域。多孔碳化硅陶瓷除了具備碳化硅陶瓷的以上特點(diǎn)外,其獨(dú)特的微觀多孔結(jié)構(gòu)使其在冶金、化工、環(huán)保和能源等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景,極大地拓展了碳化硅陶瓷的應(yīng)用范圍。多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu),它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。陶瓷陶瓷骨架模壓模具的加工精度要求很高。浙江有什么碳化硅預(yù)制件發(fā)展趨勢(shì) 添加造孔劑法: 添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑,利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間,然后在升溫或燒結(jié)過程中,使...
添加造孔劑法: 添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑,利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間,然后在升溫或燒結(jié)過程中,使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似,關(guān)鍵在于造孔劑種類和用量的選擇,以及在基料中的均勻分布性。 優(yōu)點(diǎn):采用不同的成型方法可制得形狀復(fù)雜、氣孔結(jié)構(gòu)各異的制品,工藝過程簡(jiǎn)單,添加劑少,成本較低;缺點(diǎn):難以制取高氣孔率制品,氣孔分布均勻性較差,對(duì)造孔劑的分散性要求比較高等。 杭州陶飛侖新材料有限公司可根據(jù)客戶要求定制化生產(chǎn)各種抗彎強(qiáng)度的碳化硅陶瓷預(yù)制體。優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件發(fā)展現(xiàn)狀 多孔陶瓷是指經(jīng)過特殊成型和高溫?zé)Y(jié)工藝制備的一種具有...
1.直寫成型(DIW):DIW 技術(shù)的打印原理是在計(jì)算機(jī)的輔助下,將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長(zhǎng)絲,按照計(jì)算機(jī)輸出的模型橫截面進(jìn)行構(gòu)建,然后逐層“書寫”建立三維結(jié)構(gòu),***將制得的預(yù)制件進(jìn)行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點(diǎn)主要是簡(jiǎn)易、便宜、快捷,對(duì)打印具有周期性規(guī)律結(jié)構(gòu)、網(wǎng)狀多孔結(jié)構(gòu)的材料具有較大優(yōu)勢(shì),常用于制備具有大孔結(jié)構(gòu)、桁架結(jié)構(gòu)的陶瓷部件;但是存在致密度低、打印精度低、產(chǎn)品表面質(zhì)量差、氣孔率高、強(qiáng)度低等缺點(diǎn)。碳化硅陶瓷預(yù)制體孔道的分布決定金屬和陶瓷兩相的分布均勻性。河北質(zhì)量碳化硅預(yù)制件銷售電話 碳化硅陶瓷具有硬度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等優(yōu)異...
多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu),它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過制備方法來調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以,它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是由制備過程中的一系列物理現(xiàn)象導(dǎo)致的,并沒有化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生或新物質(zhì)的生成。其主要機(jī)理是依靠固相物質(zhì)的受熱收縮、液相的蒸發(fā)、固相的直接升華而留下的空隙而形成多孔結(jié)構(gòu)。碳化硅陶瓷骨架燒結(jié)曲線設(shè)計(jì)不合理,將導(dǎo)致坯體強(qiáng)度過高或過低、坯體中SiO2含量過高等情況發(fā)生。遼寧質(zhì)量碳化硅預(yù)制件聯(lián)系人 高溫過濾催化用多孔材料,如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(...
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展**成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對(duì)SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。 碳化硅顆粒增強(qiáng)的鋁基復(fù)合材料由于其優(yōu)良的導(dǎo)熱性、低的膨脹系數(shù)、高的比強(qiáng)度與比剛度、抗磨損性能以及近凈成型等優(yōu)點(diǎn),被大量應(yīng)用于航空航天、汽車、電子封裝、**裝備領(lǐng)域,成為金屬基復(fù)合材料的研究熱點(diǎn)。 杭州陶飛侖通過仿真模擬軟件模擬鋁碳化硅鑄件成型工藝參數(shù)與碳化硅陶瓷預(yù)制體強(qiáng)度之間的關(guān)系。河北好的碳化硅預(yù)制件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造...
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展**成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對(duì)SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。 碳化硅顆粒增強(qiáng)的鋁基復(fù)合材料由于其優(yōu)良的導(dǎo)熱性、低的膨脹系數(shù)、高的比強(qiáng)度與比剛度、抗磨損性能以及近凈成型等優(yōu)點(diǎn),被大量應(yīng)用于航空航天、汽車、電子封裝、**裝備領(lǐng)域,成為金屬基復(fù)合材料的研究熱點(diǎn)。 由于每一粒骨料在幾個(gè)點(diǎn)上與其他顆粒發(fā)生連接,因而形成大量三維貫通孔道。湖北通用碳化硅預(yù)制件產(chǎn)業(yè)SiC具有α和β兩種晶型。β-SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系,Si和C分...
制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度,復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié), 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力,相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇,要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點(diǎn),其熱導(dǎo)率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。陶瓷陶瓷骨架模壓模具的加工精度要求很高。江西標(biāo)準(zhǔn)碳化硅預(yù)制件聯(lián)系人 SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)述如下:碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原...
碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。有機(jī)聚合物的高溫分解是制備碳化硅的有效技術(shù):一類是加熱凝膠聚硅氧烷發(fā)生分解反應(yīng)放出小單體,**終形成SiO2和C,再由碳還原反應(yīng)制得SiC粉。另一類是加熱聚硅烷或聚碳硅烷放出小單體后生成骨架,**終形成SiC粉末。當(dāng)前運(yùn)用溶膠一凝膠技術(shù)把SiO2制成以SiO2為基的氫氧衍生物的溶膠/凝膠材料,保證了燒結(jié)添加劑與增韌添加劑均勻分布在凝膠之中,為形成高性能的碳化硅陶瓷粉末提供了條件。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的多孔陶瓷骨架有效避免鋁碳化硅鑄件內(nèi)部裂紋、斷裂、變形等缺陷的產(chǎn)生。廣東好的碳化硅預(yù)制件多孔陶瓷制備的氣體過濾器的優(yōu)點(diǎn)是排氣阻...
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí),*次于世界上**硬的金剛石(10級(jí)),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。 碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破,LELY提出生長(zhǎng)***碳化概念,從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年***采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法。 杭州陶飛侖研制的多孔陶瓷材料抗彎強(qiáng)度高,浸滲、運(yùn)輸?shù)冗^程中不易破損。山東優(yōu)勢(shì)碳化硅預(yù)制件價(jià)格多少對(duì)未...