以太網(wǎng)物理層測試具有重要性的原因如下：確保網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性：以太網(wǎng)物理層測試可以幫助識別和排除電纜連通性問題、信號衰減和串?dāng)_等物理層故障，從而確保網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性和可靠性。通過測試和解決這些問題，可以避免網(wǎng)絡(luò)中斷、數(shù)據(jù)丟失或傳輸錯(cuò)誤。提高數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量：物理層測試可以評估...

以太網(wǎng)物理層測試主要包括以下幾種類型：傳輸介質(zhì)和連接硬件測試：包括對雙絞線、同軸電纜、光纖等傳輸介質(zhì)的測試，以及對接插件、面板、轉(zhuǎn)換器等硬件的測試。這些測試通常包括驗(yàn)證連接是否正常、是否能夠支持特定的傳輸速率等指標(biāo)。信號質(zhì)量和衰減測試：包括對以太網(wǎng)信號的幅度、...

LPDDR4的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和電路設(shè)計(jì)要求可以根據(jù)具體的芯片制造商和產(chǎn)品型號而有所不同。以下是一些常見的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和電路設(shè)計(jì)要求方面的考慮：驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度：數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度：LPDDR4存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)線通常需要具備足夠的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以確保在信號傳輸過程中的信號完整性和穩(wěn)定性。...

進(jìn)行PCIe 3.0 TX（發(fā)送端）測試的一般指南：確定測試環(huán)境：建立一個(gè)合適的測試環(huán)境，包括所需的測試設(shè)備、軟件工具和測試設(shè)施。這可能包括波形發(fā)生器、高速示波器、誤碼率測試儀（BERT）、信號發(fā)生器等。理解規(guī)范：熟悉PCIe 3.0規(guī)范，并了解其中對發(fā)送器的...

安裝LPDDR3內(nèi)存時(shí)，可以按照以下步驟進(jìn)行操作：關(guān)閉電源并斷開電源插頭：在開始安裝之前，確保將電源關(guān)閉，并從插座中拔下電源插頭，以避免觸摸到任何可能會(huì)對系統(tǒng)產(chǎn)生危險(xiǎn)的電源部件。準(zhǔn)備工具和防靜電措施：戴上接地腕帶（或確保與金屬外殼接觸）以釋放身體靜電，并使用適...

a)USB-IFUSB4ETT軟件下圖是USB-IF新推出的USB4ETT(USB4.0ElectricalTestTool)工具的實(shí)際界面，它可以通過USB4ElectricalTestTool.exe(GUImodel；手動(dòng)控制)或者USB4Electri...

需要指出的是在TP3(Case2)遠(yuǎn)端校準(zhǔn)時(shí)，除了Type-Ccable外，還需要ISIboards，利用網(wǎng)絡(luò)分析實(shí)測，保證ISIboards+Type-Ccable+Testfixture整個(gè)測試鏈路的插入損耗滿足18-19dBat5GHzforGen2(1...

電磁干擾（EMI）條件：電磁干擾是另一個(gè)需要考慮的因素，特別是對于高速串行數(shù)據(jù)傳輸。為了盡量減小外部電磁干擾對測試結(jié)果的影響，測試環(huán)境可能需要提供良好的屏蔽和抗干擾措施。電源供應(yīng)條件：良好的電源供應(yīng)對于測試結(jié)果的穩(wěn)定性和可靠性也非常重要。確保供電穩(wěn)定、低噪聲和...

錯(cuò)誤檢測和糾正（ECC）功能測試：DDR5內(nèi)存模塊具備錯(cuò)誤檢測和糾正的功能，可以檢測并修復(fù)部分位錯(cuò)誤。測試過程涉及注入和檢測位錯(cuò)誤，并驗(yàn)證內(nèi)存模塊的糾錯(cuò)能力和數(shù)據(jù)完整性。 功耗和能效測試：功耗和能效測試是評估DDR5內(nèi)存模塊在不同負(fù)載和工作條件下的功...

DDR5相對于之前的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)（如DDR4）具有以下優(yōu)勢和重要特點(diǎn)：更高的帶寬和傳輸速度：DDR5采用了雙倍數(shù)據(jù)率技術(shù)，每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)次數(shù)是DDR4的兩倍，從而實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速度和內(nèi)存帶寬。這使得DDR5能夠提供更快速的數(shù)據(jù)讀寫和處理能力，加速計(jì)算...

對DDR4內(nèi)存模塊進(jìn)行性能測試是評估其性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵步驟。以下是一些常見的DDR4內(nèi)存模塊性能測試和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：帶寬測試：帶寬測試是衡量內(nèi)存模塊傳輸數(shù)據(jù)速度的方法之一。通過測試數(shù)據(jù)讀取和寫入的速度，可以確定內(nèi)存模塊的帶寬（即單位時(shí)間內(nèi)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量）。主要指標(biāo)...

錯(cuò)誤檢測和糾正（ECC）功能測試：DDR5內(nèi)存模塊具備錯(cuò)誤檢測和糾正的功能，可以檢測并修復(fù)部分位錯(cuò)誤。測試過程涉及注入和檢測位錯(cuò)誤，并驗(yàn)證內(nèi)存模塊的糾錯(cuò)能力和數(shù)據(jù)完整性。 功耗和能效測試：功耗和能效測試是評估DDR5內(nèi)存模塊在不同負(fù)載和工作條件下的功...

行預(yù)充電時(shí)間（tRP，Row Precharge Time）：行預(yù)充電時(shí)間指的是執(zhí)行下一個(gè)行操作之前需要在當(dāng)前行操作之后等待的時(shí)間。它表示內(nèi)存模塊關(guān)閉當(dāng)前行并預(yù)充電以準(zhǔn)備接收新的行指令的速度。較低的行預(yù)充電時(shí)間值表示內(nèi)存模塊能夠更快地執(zhí)行下一個(gè)行操作。 ...

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對...

低功耗和高能效：DDR5引入了更先進(jìn)的節(jié)能模式，包括Deep Power Down（DPD）和Partial Array Self-Refresh（PASR）等技術(shù)。這些技術(shù)可以在系統(tǒng)閑置或低負(fù)載時(shí)降低功耗，提供更好的能源效率。 強(qiáng)化的信號完整性：D...

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。 在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controll...

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件ddr3.spdo在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEE...

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對...

那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個(gè)圖中的時(shí)序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)呢?答案是否定的，因?yàn)殡m然這個(gè)時(shí)序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn)，但是在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時(shí)序...

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求： 初始時(shí)序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，...

電氣完整性（Electrical Integrity）指的是電路或系統(tǒng)在運(yùn)行過程中保持正常的電學(xué)特性，如電壓、電流、電阻等。電氣完整性的保持對于電路或系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行非常重要，它能夠保證信號傳輸?shù)目煽啃浴⒖垢蓴_能力以及減少誤差率和能耗等問題。在電子設(shè)備和系統(tǒng)...

克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)?？藙诘赂咚贁?shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀...

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Ena...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程...

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì)，Referenc...

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。 ...

高速DDRx總線系統(tǒng)設(shè)計(jì) 首先簡要介紹DDRx的發(fā)展歷程，通過幾代DDR的性能及信號完整性相關(guān)參數(shù)的 對比，使我們對DDRx總線有了比較所有的認(rèn)識。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平， 以及新一代DDR4使用的POD電平，這能幫助我們在今后的設(shè)計(jì)...

信號完整性（SignalIntegrity，SI）是指信號在信號線上的質(zhì)量，即信號在電路中以正確的時(shí)序和電壓作出響應(yīng)的能力。如果電路中信號能夠以要求的時(shí)序、持續(xù)時(shí)間和電壓幅度到達(dá)接收器，則可確定該電路具有較好的信號完整性。反之，當(dāng)信號不能正常響應(yīng)時(shí)，就出現(xiàn)...

綜上所述，PCIe4.0的信號測試需要25GHz帶寬的示波器，根據(jù)被測件的不同可能會(huì) 同時(shí)用到2個(gè)或4個(gè)測試通道。對于芯片的測試需要用戶自己設(shè)計(jì)測試板；對于主板或者 插卡的測試來說，測試夾具的Trace選擇、測試碼型的切換都比前代總線變得更加復(fù)雜了； ...

PCB的信號完整性問題主要包括信號反射、串?dāng)_、信號延遲和時(shí)序錯(cuò)誤。 1、反射信號在傳輸線上傳輸時(shí)，當(dāng)高速PCB上傳輸線的特征阻抗與信號的源端阻抗或負(fù)載阻抗不匹配時(shí)，信號會(huì)發(fā)生反射，使信號波形出現(xiàn)過沖、下沖和由此導(dǎo)致的振鈴現(xiàn)象。過沖（Overshoot...