DDR測試 要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號質(zhì)量測試理論上也應(yīng)該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試。 DDR的信號探測技術(shù)方法；設(shè)備DDR測試方案 如何測試DDR？ DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級...

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR的信號測試和協(xié)議測試；解決方案DDR測試方案DDR5具備如...

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。DDR3總線的解碼方法；自動化DDR測試眼圖測試實際的電源完整性是相當...

DDR測試 大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同，又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的...

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態(tài)隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管，不容易實現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復(fù)雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。...

DDR測試 DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。 克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？USB測試DDR測試檢查8.PCBLayout在實際的PCB設(shè)計時，考慮到SI的要求，往往...

DDR測試 DDR總線上需要測試的參數(shù)高達上百個，而且還需要根據(jù)信號斜率進行復(fù)雜的查表修正。為了提高DDR信號質(zhì)量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優(yōu)點是：自動化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯誤；優(yōu)化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動讀/寫分離技術(shù)簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統(tǒng)計的結(jié)果；能夠根據(jù)信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損...

DDR測試 DDR5的接收端容限測試 前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 用DDR的BGA探頭引出測試信號；解決方案DDR測試系列一種ddr4內(nèi)...

DDR測試 DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。 克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？電氣性能測試DDR測試檢查 DDR測試 什么是DDR？ DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率...

8.PCBLayout在實際的PCB設(shè)計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優(yōu)先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當考慮以下的一些相關(guān)因素，那么對于設(shè)計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓撲結(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區(qū)域布線。3）由串擾仿真的結(jié)果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤...

DDR測試 內(nèi)存條測試對內(nèi)存條測試的要求是千差萬別的。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進行過芯片級半導體故障的測試，因而他們的測試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯誤方面。通過采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條，可以有三種不同內(nèi)存條測試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測試。這恐怕是簡單的測試儀方案。大多數(shù)的測試儀公司一般對他們現(xiàn)有的SDR測試儀作一些很小的改動就將它們作為DDR測試儀推出。SDR測試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個位上。在讀取過程中，SDR測試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù)。然后，通過將數(shù)據(jù)鎖存平移半個時鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位。這使得測試儀能完全訪問DDR內(nèi)存單...

DDR測試 由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會達到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態(tài)采樣時鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數(shù)據(jù)速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協(xié)議測試系統(tǒng)。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過嚴格測試，確保在其標稱的速率下不會因為信號質(zhì)量問題對協(xié)議測試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號的采集和分析。 DDR測試技術(shù)介紹與工具分析；河北數(shù)字信號DDR測試對于DDR2-800，這所有的拓撲結(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，...

DDR測試 除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景，相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感，其電路設(shè)計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采...

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數(shù)據(jù)抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論，現(xiàn)在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在...

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設(shè)計一種拓撲結(jié)構(gòu)變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性?；ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計時必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所...

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?！じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時限制同一存儲庫內(nèi)輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數(shù)量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)...

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?！じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù)，同時限制同一存儲庫內(nèi)輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數(shù)量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)...

一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計算機測試技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)。背景技術(shù)：2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用，測量服務(wù)器內(nèi)存的信號完整性是否符合標準已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存，為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測試對服務(wù)器存儲性能評估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號的測試無法進行正常工作狀態(tài)的讀寫分離，只能利用主控芯片進行讀寫命令來進行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形，在信號完整性測試上有比較...

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設(shè)計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配?？紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數(shù)為：barreldiamet...

對于DDR2-800，這所有的拓撲結(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈式拓撲結(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢的。對于超過兩片的SDRAM，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓撲結(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計的拓撲結(jié)構(gòu)，在這些拓撲結(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計。然而，對于DDR2-800，所列的這些拓撲結(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設(shè)計中，特別是在1600Mbps時，則只有D是滿足設(shè)計的。DDR存儲器信號和協(xié)議測試；上海DDR測試聯(lián)系方式 DDR測試 DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金...

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機、智能電視、AI技術(shù)的風起云涌，人們對容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計算機存儲器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場的需求和技術(shù)的升級推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進到了DDR5了，但市場上對經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測試痛點測試和驗證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測和驗證突發(fā)的讀寫脈沖信號；配置測試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測試。DDR有那些測試解決方案；USB測試DDR測試USB測試trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合...

實際的電源完整性是相當復(fù)雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對于PCB設(shè)計來說，目標阻抗的去耦設(shè)計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設(shè)計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以...

DDR測試 測試軟件運行后，示波器會自動設(shè)置時基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質(zhì)量的測試還可以輔助用戶進行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質(zhì)量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個關(guān)鍵參數(shù)測試失敗后，可以針對這個參數(shù)進行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波...

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設(shè)計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配?？紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數(shù)為：barreldiamet...

DDR測試 什么是DDR？ DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機內(nèi)存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而，數(shù)據(jù)...

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據(jù)時序仿真的結(jié)果，時鐘信號和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節(jié)里，它們要有嚴格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。DDR...

4.為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測試效率。5.為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號；8.s2，根據(jù)標志信號對示波器進行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號進行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試。10.在本發(fā)明的一個實施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集d...

DDR測試 要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號質(zhì)量測試理論上也應(yīng)該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；遼寧DDR測試商家 DDR測試 內(nèi)存條測試對內(nèi)存條測試的要求是千差...

DDR測試 DDR5的接收端容限測試 前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測試難題？上海DDR測試安裝 DDR測試 測...

如何測試DDR？ DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備，其價值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環(huán)境；另外，他也可以對計時脈沖邊沿前后進行微調(diào)來尋找平衡點。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測試儀的映象隨機內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為...