長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)...

GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，用于對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)GEMINI自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)ZUI高水平的自動(dòng)化和過(guò)程集成。批量生產(chǎn)的晶圓對(duì)晶圓對(duì)準(zhǔn)和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圓鍵合工藝都在一個(gè)全自動(dòng)平臺(tái)上執(zhí)行。...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)...

EVG?770特征：微透鏡用于晶片級(jí)光學(xué)器件的高效率制造主下降到納米結(jié)構(gòu)為SmartNIL?簡(jiǎn)單實(shí)施不同種類的大師可變抗蝕劑分配模式分配，壓印和脫模過(guò)程中的實(shí)時(shí)圖像用于壓印和脫模的原位力控制可選的光學(xué)楔形誤差補(bǔ)償可選的自動(dòng)盒帶間處理EVG?770技術(shù)數(shù)據(jù)：晶圓...

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器（面對(duì)面，背面，紅外和透明對(duì)準(zhǔn)） 無(wú)需Z軸運(yùn)動(dòng)，也無(wú)需重新...

NIL300mmEV集團(tuán)企業(yè)技術(shù)開(kāi)發(fā)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)總監(jiān)MarkusWimplinger表示：“EVG的NILPhotonics能力中心成立于2014年，為光刻/納米壓印技術(shù)供應(yīng)鏈中的各個(gè)合作伙伴和公司與EVG合作提供了一個(gè)開(kāi)放式的創(chuàng)新孵化器，從而縮短創(chuàng)新光子器件和...

陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的...

高精度電容位移傳感器使用注意事項(xiàng)：1.傳感器的安裝位置應(yīng)該盡量避免受到外部干擾，如振動(dòng)、磁場(chǎng)等。同時(shí)，應(yīng)該盡量選擇穩(wěn)定的安裝位置，避免受到溫度和濕度等環(huán)境變化的影響。2.在進(jìn)行傳感器安裝和連接電路時(shí)，應(yīng)該注意接觸端部的清潔和穩(wěn)固性，以避免電路線路接觸不良或松動(dòng)...

EVGroup企業(yè)技術(shù)總監(jiān)ThomasGlinsner博士證實(shí)：“我們看到支持晶圓級(jí)光學(xué)器件的設(shè)備需求正在急劇增加。”“JIN從今年年初開(kāi)始，我們就向大型WLO制造商交付了多個(gè)用于透鏡成型和堆疊以及計(jì)量的系統(tǒng)，以進(jìn)行大批量生產(chǎn)。此類訂單進(jìn)一步鞏固了EVG在該領(lǐng)...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背...

集成化光刻系統(tǒng)HERCULES光刻量產(chǎn)軌道系統(tǒng)通過(guò)完全集成的生產(chǎn)系統(tǒng)和結(jié)合了掩模對(duì)準(zhǔn)和曝光以及集成的預(yù)處理和后處理功能的高度自動(dòng)化，完善了EVG光刻產(chǎn)品系列。HERCULES光刻軌道系統(tǒng)基于模塊化平臺(tái)，將EVG已建立的光學(xué)掩模對(duì)準(zhǔn)技術(shù)與集成的清潔，光刻膠涂層，...

EVG510? HE 熱壓印系統(tǒng) 應(yīng)用：高度靈活的熱壓印系統(tǒng)，用于研發(fā)和小批量生產(chǎn) EVG510? HE 半自動(dòng)熱壓印系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于對(duì)熱塑性基材進(jìn)行高精度壓印。該設(shè)備配置有熱壓印腔室，其真空和壓印力可調(diào)，可用于熱壓印各種聚合物材料，可進(jìn)行高深寬比...

高精度電容式位移傳感器性能：1)測(cè)量距離--±5um到±2mm內(nèi)非接觸式位移測(cè)量和尺寸測(cè)量的理想選擇；2)高測(cè)量帶寬(高頻率響應(yīng))--標(biāo)準(zhǔn)范圍為10Hz到100kHz；3)適用于任何接地，導(dǎo)電的目標(biāo)--材料或表面光潔度對(duì)精度沒(méi)有影響；4)高分辨率--可實(shí)現(xiàn)亞納...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合...

EVG?6200BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)...

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE...

這使得可以在工業(yè)水平上開(kāi)發(fā)新的設(shè)備或工藝，這不僅需要高度的靈活性，而且需要可控和可重復(fù)的處理。EVG在要求苛刻的應(yīng)用中積累了多年的旋涂和噴涂經(jīng)驗(yàn)，并將這些知識(shí)技能整合到EVG100系列中，可以利用我們的工藝知識(shí)為客戶提供支持。光刻膠處理設(shè)備有：EVG101光刻...

納米壓印應(yīng)用二：面板尺寸的大面積納米壓印EVG專有的且經(jīng)過(guò)大量證明的SmartNIL技術(shù)的蕞新進(jìn)展，已使納米圖案能夠在面板尺寸蕞大為Gen3（550mmx650mm）的基板上實(shí)現(xiàn)。對(duì)于不能減小尺寸的顯示器，線柵偏振器，生物技術(shù)和光子元件等應(yīng)用，至關(guān)重要的是通過(guò)...

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開(kāi)然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見(jiàn)的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝...

UV納米壓印光刻系統(tǒng)EVG?610/EVG?620NT/EVG?6200NT：具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)■高精度對(duì)準(zhǔn)臺(tái)■自動(dòng)楔形誤差補(bǔ)償機(jī)制■電動(dòng)和程序控制的曝光間隙■支持蕞新的UV-LED技術(shù)■蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求EVG?720/EVG...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問(wèn)題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表...

納米壓印應(yīng)用三：連續(xù)性UV納米壓印EVG770是用于步進(jìn)重復(fù)納米壓印光刻的通用平臺(tái)，可用于有效地進(jìn)行母版制作或?qū)迳系膹?fù)雜結(jié)構(gòu)進(jìn)行直接圖案化。這種方法允許從蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面積均勻復(fù)制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相...

UV納米壓印光刻EVGroup提供完整的UV納米壓印光刻（UV-NIL）產(chǎn)品線，包括不同的權(quán)面積壓印系統(tǒng)，大面積壓印機(jī)，微透鏡成型設(shè)備以及用于高效母版制作的分步重復(fù)系統(tǒng)。除了柔軟的UV-NIL，EVG還提供其專有的SmartNIL技術(shù)以及多用途的聚合物印模技術(shù)...

EVG?850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過(guò)程-從臨時(shí)鍵合劑的施加，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對(duì)準(zhǔn)和鍵合開(kāi)始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣，設(shè)備布局是模塊...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計(jì)獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自...

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn)，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共...

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過(guò)在每個(gè)電路周圍施加封裝來(lái)制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來(lái)。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所...