影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質(zhì)、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。一、靶面磁場對靶濺射電壓的影響1.磁控靶的陰極工作電壓,隨著靶面磁場的增加而降低,也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此,靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。2.鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響,由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過,使靶材表面磁場減少,需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強,否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄,才能起...
中頻雙靶反應磁控濺射與直流反應磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優(yōu)點: (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象,中頻反應磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應磁控濺射鍍制的同種膜相比,膜面缺 陷要少幾個數(shù)量級; (2)可以得到比直流反應磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應磁控濺射的整個濺射沉積過程,可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點上,為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同,使用單個磁控靶進行反應磁控濺射,調(diào)節(jié)相應的鍍膜工藝參數(shù),可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實現(xiàn)長時間穩(wěn)定的薄膜沉積,可以達到上述“中頻-雙靶反應磁控濺射”的同樣效果。...
靶中毒現(xiàn)象:正離子堆積:靶中毒時,靶面形成一層絕緣膜,正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋,不能直接進入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進行下去。(2)陽極消失:靶中毒時,接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達陽極的電子無法進入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。靶中毒的物理解釋:一般情況下,金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數(shù)量增加,提高了空間的導通能力,降低了等離子體阻抗,導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間,當發(fā)生靶中毒時,濺射電壓...
玫瑰金靶材有哪些? PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的,不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別,大概分為以下幾種: 1、皇冠金(crown gold),黃金含量在22K(91.667%),由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型的18K玫瑰金,黃金含量也在18K(75%),但其它另含有約4%的銀和21%的銅,呈現(xiàn)美麗的淡粉玫瑰色 3、14K紅金,黃金含量在14K(58.33%),其它添加金屬為銅(41.67%)。 有的PVD鍍膜廠玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素,用來達到不同的色調(diào)或用來改變鍍層的性能,這也是市面上每一家PVD廠鍍出的色調(diào)都有一些差異的原因...
靶材的雜質(zhì)含量。在經(jīng)過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣,所以不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標之一.在靶材的技術(shù)工藝中為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,一般是要求靶材必須具有較高的密度。因為靶材主要特性密度對濺射速率有著很大的影響,并且影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。主要由三種方式:壓接、釬焊和導電膠。武漢氧化鈮靶材功能靶材 所得靶材組件濺射強度好,使得濺射過程中薄膜厚度均勻...
真空離子鍍厚功能鍍膜代替現(xiàn)行電鍍 真空離子鍍厚特性: (1)不用酸堿鹽、不用物、不產(chǎn)生六價鉻,沒有三廢排放,對環(huán)境沒有污染,對人體旡害。 (2)鍍膜附著性好不易脫落,有過渡層。 (3)可鍍制厚功能鍍膜有耐磨、耐蝕、耐熱及特殊性能等鍍膜。 (4)鍍膜硬度可達Hv2000左右, 可據(jù)要求而定。 (5)鍍膜厚度可達40微米以上,可據(jù)要求而定。 (6)工件基材鋼鐵為主,有色金屬及其合金也可據(jù)要求采用。 應用領(lǐng)域:活塞環(huán)、軸承軸瓦、葉片、搬手、篩具、壓鑄模具、 量具、絞刀、絲錐、 板牙、五金工具、機床頂針、一般耐磨件、鉗子口、零件修復等等。有一部分靶材在安裝之前需要拋光,比如鋁靶材等活性金屬靶材,長期暴...
為什么需在真空中鍍膜? 在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜,事實上,如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結(jié)果, 比如在10 2托數(shù)量級下蒸鍍鋁,得到的膜層不但不光亮,甚至發(fā)灰、發(fā)黑,而且機械強度極差,用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。 蒸鍍必須在一定的真空條件下進行,這是因為: (1)較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。 由于氣體分子的熱運動,分子之間的碰撞也是極其頻繁的,所以盡管氣體分子運動的速度相當?shù)母?( 可達每秒幾百米 ) 。 (2)在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下, 真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子(...
鈀,是銀白色過渡金屬,較軟,有良好的延展性和可塑性,能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣,使體積***脹大,變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量:106.4 密 度(20℃)/g?cm-3:12.02 熔 點/℃:1552 蒸發(fā)溫度/℃:1460 沸 點/℃:3140 汽化溫度/℃:1317 比 熱 容(25℃)J?(g?K)-1:0.2443 電 阻 率(0℃)/uΩ?cm:10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1:16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1:361.7 熱 導 率(0~100℃)/J?(cm?s?℃)-1:0.753 電阻溫度系數(shù)(0~100℃)/℃-1:0.00...
陶瓷靶材:ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。LLZO靶材和LLZTO靶材,是一種新型陶瓷復合靶材。蘇州YBCO靶材定制靶材濺射靶材的分類有哪些?金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化...
靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響:1.在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。2.常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。3.有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等)的濺射電壓比較高,一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO)的濺射電壓比較低,可以在200多伏電壓時實現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。4.實際鍍膜過程中,由于工作氣體壓力變化,或陰極與陽極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化),或真空腔體與磁控靶的機械尺寸不匹配,同時選用了輸出特性較軟的靶電源等原因,導致磁控靶的濺射電...
鈀,是銀白色過渡金屬,較軟,有良好的延展性和可塑性,能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣,使體積***脹大,變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量:106.4 密 度(20℃)/g?cm-3:12.02 熔 點/℃:1552 蒸發(fā)溫度/℃:1460 沸 點/℃:3140 汽化溫度/℃:1317 比 熱 容(25℃)J?(g?K)-1:0.2443 電 阻 率(0℃)/uΩ?cm:10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1:16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1:361.7 熱 導 率(0~100℃)/J?(cm?s?℃)-1:0.753 電阻溫度系數(shù)(0~100℃)/℃-1:0.00...
所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512,所述桿狀部511的一端連接所述頂板210,另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直,所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結(jié)構(gòu)有利于操作人員牢固的抓握所述把手510,防止從所述把手510上滑脫。在其他實施例中,所述固定板200內(nèi)側(cè)面彎折處呈弧狀,所述防護層400彎折處呈弧狀,位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外,與前一實施例不同的是,所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分...
所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512,所述桿狀部511的一端連接所述頂板210,另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直,所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結(jié)構(gòu)有利于操作人員牢固的抓握所述把手510,防止從所述把手510上滑脫。在其他實施例中,所述固定板200內(nèi)側(cè)面彎折處呈弧狀,所述防護層400彎折處呈弧狀,位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度均勻。此外,與前一實施例不同的是,所述拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為一體成型。且所述拋光片部分310、拋光片第二部分...
作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述背板的材質(zhì)包括銅和/或鋁。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75-6mm;所述靶材表面的硬度為20-30hv;其中,所述靶材的比較大厚度為20-30mm;所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu);所述靶材包括用于濺射的濺射面;所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面;所述斜面與水平面的夾角≤10°;所述斜面位于所述***平面和第二平面之間;所述***平面為圓形;所述第二平面為環(huán)形;所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種;所述背板的材質(zhì)包...
所述靶材的比較大厚度為24mm;所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu);所述靶材包括用于濺射的濺射面;所述濺射面包括平面、第二平面和斜面;所述斜面與水平面的夾角為3°;所述斜面位于所述平面和第二平面之間;所述平面為圓形;所述第二平面為環(huán)形;所述靶材的材質(zhì)包括鋁;所述背板的材質(zhì)包括銅。所得靶材組件濺射強度好,使得濺射過程中薄膜厚度均勻,使用壽命增加。實施例5本實施例提供一種長壽命靶材組件,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.82mm;所述靶材表面的硬度為21hv;其中,所述靶材的比較大厚度為23mm;所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu);所述...
靶中毒的解決辦法(1)采用中頻電源或射頻電源。(2)采用閉環(huán)控制反應氣體的通入量。(3)采用孿生靶(4)控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應曲線,使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些,怎么應對?磁控濺射金屬靶時,無法起輝的原因有很多,常見主要原因有:1.靶材安裝準確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì),打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機器,把設(shè)備的濺射靶卸下來,靶附近的零件仔細清洗一下...
玫瑰金靶材有哪些? PVD玫瑰金是靠濺射玫瑰金靶形成的,不同的玫瑰金靶配方顏色上有一些區(qū)別,大概分為以下幾種: 1、皇冠金(crown gold),黃金含量在22K(91.667%),由英國亨利八世(1526年)將此比例的黃金用于金幣的鑄造 2、常見的也是典型的18K玫瑰金,黃金含量也在18K(75%),但其它另含有約4%的銀和21%的銅,呈現(xiàn)美麗的淡粉玫瑰色 3、14K紅金,黃金含量在14K(58.33%),其它添加金屬為銅(41.67%)。 有的PVD鍍膜廠玫瑰金靶也有添加一些其它的稀有元素,用來達到不同的色調(diào)或用來改變鍍層的性能,這也是市面上每一家PVD廠鍍出的色調(diào)都有一些差異的原因...
靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響 : 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低,可以在200多伏電壓時實現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實際鍍膜過程中,由于工作氣體壓力變化,或陰極與陽極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化),或真空腔體與磁控靶的機械尺寸不匹配,同時選用...
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材,晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。九.什么是靶材綁定主要從靶材綁定的定義,適用范圍和背靶的選擇三個方面來為大家介紹一下靶材綁定。一.靶材綁定的定義靶材綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要由三種方式:壓接、釬焊和導電膠。1.壓接:采用壓條,一般為了提高接觸的良好性,會增加石墨紙、Pb或In皮; 不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。鎘靶材靶材 常見的PVD裝飾膜主要有幾大色系: 1.IP玫瑰金(rose g...
基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手,將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料,由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大,使得該材料具有形變對電學輸運影響較小且遷移率較高的特點。 利用上述材料優(yōu)勢,采用室溫工藝,在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲器。器件在連續(xù)十萬次大角度彎折測試中,性能穩(wěn)定,存儲信息未丟失。變溫電學輸運特性的研究表明:阻變行為與氧離子移動密切相關(guān),該存儲器的低阻導電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成,而缺氧態(tài)的局部氧化導致了存儲器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎(chǔ)上,利用IGZO 非晶薄膜的...
本實施例提供一種長壽命靶材組件,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.95mm;所述靶材表面的硬度為23hv;其中,所述靶材的比較大厚度為27mm;所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu);所述靶材包括用于濺射的濺射面;所述濺射面包括平面、第二平面和斜面;所述斜面與水平面的夾角為3°;所述斜面位于所述平面和第二平面之間;所述平面為圓形;所述第二平面為環(huán)形;所述靶材的材質(zhì)包括鉭;所述背板的材質(zhì)包括鋁。所得靶材組件濺射強度好,使得濺射過程中薄膜厚度均勻,使用壽命增加。實施例7本實施例提供一種長壽命靶材組件,所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75mm...
拋光片第二部分320呈弧狀,與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配,可對靶材側(cè)棱進行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面,能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光,有助于提高拋光作業(yè)效率。由于操作人員同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光,因此操作人員施加在靶材側(cè)壁表面及側(cè)棱上的力度差異小,拋光工藝結(jié)束后,靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度,使得拋光表面具有良好的均一性,有助于改善濺射鍍膜質(zhì)量。若分步驟對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面進行拋光,操作人員在兩個步驟中施加的力度容易差別較大,造成拋...
靶中毒現(xiàn)象:正離子堆積:靶中毒時,靶面形成一層絕緣膜,正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋,不能直接進入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進行下去。(2)陽極消失:靶中毒時,接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達陽極的電子無法進入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。靶中毒的物理解釋:一般情況下,金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數(shù)量增加,提高了空間的導通能力,降低了等離子體阻抗,導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間,當發(fā)生靶中毒時,濺射電壓...
靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75-6mm,例如可以是5.75mm、5.76mm、5.77mm、5.78mm、5.79mm、5.8mm、5.81mm、5.82mm、5.83mm、5.84mm、5.85mm、5.86mm、5.87mm、5.88mm、5.89mm、5.9mm、5.91mm、5.92mm、5.93mm、5.94mm、5.95mm、5.96mm、5.97mm、5.98mm、5.99mm或6mm等,但不限于所列舉的數(shù)值,該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。本發(fā)明中,所述靶材表面的硬度為20-30hv,例如可以是20hv、21hv、22hv、23hv、24hv、25hv、26...
作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材的比較大厚度為28-30mm,例如可以是28mm、28.1mm、28.2mm、28.3mm、28.4mm、28.5mm、28.6mm、28.7mm、28.8mm、28.9mm、29mm、29.1mm、29.2mm、29.3mm、29.4mm、29.5mm、29.6mm、29.7mm、29.8mm、29.9mm或30mm等,但不限于所列舉的數(shù)值,該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案,所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地,所述濺射面包括***平...
鋁鈧合金靶材(AlSc),尺寸按需求定制,比列按需求定制,含鈧比較高能做到AlSc45wt%,質(zhì)量優(yōu)異,雜質(zhì)含量低,歡迎新老客戶來電咨詢洽談。江陰典譽新材料科技有限公司生產(chǎn)的金屬鈧,品質(zhì)優(yōu)異,**全球。鋁鈧合金生產(chǎn)歷史悠久,擁有豐富的經(jīng)驗,目前推出的鋁鈧合金靶材已被微電子行業(yè)大型廠商采用。相關(guān)靶材清單如下:稀土合金靶材:鋁鈧AlSc;鈰釓CeGd;鈰鎂CeMg;鈰釤CeSm;鏑鈷DyCo;鏑鐵DyFe;釓銅GdCu;釓鐵GdFe;鈥銅HoCu;鑭鋁LaAl;鑭鎳LaNi;鋁釹AlNd;釹鐵NdFe;釹鐵硼NdFe;鎳鎂鈰NiMgCe;鎳鎂鐵鈰NiMgFeCe;鋱鏑鐵TbDyFe;鋱鐵TbFe;...
磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù),其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外,還受靶面的功率密度,亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中,當靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后,比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說,在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi),放電電壓越高,磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比,因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個:一個是提高工作電壓...
其他服務:打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工服務?;厥樟鞒倘缦?稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品江陰典譽新材料科技有限公司,是專業(yè)從事鍍膜材料、合金制備等相關(guān)材料研發(fā)、銷售、服務為一體的全球化高科技綜合性公司。以業(yè)內(nèi) 企業(yè)為支撐,整合技術(shù)資源,擁有自主進出口經(jīng)營權(quán)和成熟的運營管理團隊,科學化管理運營,為公司向化、高新化發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。典譽新材料在光電器件、芯片半導體、太陽能電池、光學鍍膜、航空航天、 、冶金、功能材料、新能源等行業(yè)產(chǎn)品開發(fā)、創(chuàng)新方面,有著得天獨厚的優(yōu)勢。以客戶需求為導向,以前沿技術(shù)為基礎(chǔ),開發(fā)了多個產(chǎn)品系列,涵蓋濺射靶材、蒸鍍膜料、高純合金、金屬粉末、耗材...
與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為10hv;所得靶材組件濺射強度差,使得濺射過程中薄膜厚度不均勻,使用壽命減少。對比例4與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為35hv;所得靶材組件濺射強度差,使得濺射過程中薄膜厚度不均勻,使用壽命減少。通過上述實施例和對比例的結(jié)果可知,本發(fā)明中,通過調(diào)整靶材表面的高度差及硬度,保證濺射強度,使得濺射過程中薄膜厚度均勻,使用壽命增加。申請人聲明,本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細結(jié)構(gòu)特征,但本發(fā)明并不局限于上述詳細結(jié)構(gòu)特征,即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細結(jié)構(gòu)特征才能實施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應該明了,對本發(fā)明的任何改進,對本發(fā)明所選用部件的等...
防護層為彈性材料,所述防護層的質(zhì)地軟,能夠在所述固定板及靶材間提供緩沖,避免所述固定板觸撞靶材導致靶材受損。具體實施方式:為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。一種靶材拋光裝置100,包括:固定板200,所述固定板200包括頂板210和位于所述頂板210一側(cè)的側(cè)板220;拋光片300,位于所述固定板200內(nèi)側(cè)面上,其中位于固定板200彎折處的拋光片300呈弧狀。固定板200能夠起到支架的作用,以固定支撐所述拋光片300,便于操作人員使用所述靶材拋光裝置100。頂板210呈矩形狀,所述側(cè)板220也呈矩形狀。固定板200內(nèi)側(cè)面彎折處形成夾角...