芯片HTOL測(cè)試需求，高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測(cè)試方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。上海頂策科技有限公司，自研TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)單顆監(jiān)控技術(shù)，通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。20年以上得豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)，上海頂策科技有限公司自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！TH801智能老化系統(tǒng)，自有發(fā)明專利智能實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)技術(shù)。長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)大概費(fèi)用高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL...

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號(hào)如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1...

智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，可靠性測(cè)試整體解決方案，自主研發(fā)可實(shí)時(shí)監(jiān)控每顆芯片狀態(tài)的高溫老化測(cè)試爐，通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可以實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性。上海頂策科技有限公司，提供可靠性測(cè)試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試實(shí)驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，保證HTOL測(cè)試質(zhì)量，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度。一體化HTOL測(cè)試機(jī)推薦自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問...

htonl()簡(jiǎn)述：將主機(jī)的無符號(hào)長(zhǎng)整形數(shù)轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡(luò)字節(jié)順序。#include

HTOL的注意要點(diǎn)高溫工作壽命的測(cè)試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行，除了給器件合適的偏置與負(fù)載外，主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，以便在合理的時(shí)間和成本下完成壽命評(píng)估。對(duì)于硅基產(chǎn)品，溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計(jì)有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗(yàn)，...

第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。具體的，在閃存(例如norflash)產(chǎn)品htol可靠性驗(yàn)證的階段的測(cè)試流程例如依次為：初始(***時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、48小時(shí)(第二時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、168小時(shí)(第三時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、500小時(shí)(第四時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、1000小時(shí)(第n時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)而直接進(jìn)行htol測(cè)試時(shí)，發(fā)現(xiàn)閃存htol可靠性驗(yàn)證在48小時(shí)(hrs)讀點(diǎn)失效。上海頂...

AEC-Q1001.對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器樣品，在HTOL之前進(jìn)行預(yù)處理：等級(jí)0：150℃，1000h等級(jí)1：125℃，1000h等級(jí)2：105℃，1000h等級(jí)3：85℃，1000h2.各等級(jí)溫度對(duì)應(yīng)的時(shí)間是比較低要求，通過計(jì)算或測(cè)量獲取HTOL的Tj（結(jié)溫）；3.當(dāng)進(jìn)行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時(shí)的Tj，那么Tj可以代替Ta（環(huán)境溫度），但是要低于***比較大Tj；4.如果Tj被用來作為HTOL的條件，在Ta和1000h條件下的器件需要使用；(max)需要保證交直流參數(shù)。————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上...

導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。上海頂策科技自主研發(fā)實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加...

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除循環(huán)后，htol測(cè)試過程中。閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間偏移量減小，實(shí)際驗(yàn)證多個(gè)型號(hào)的閃存產(chǎn)品采用本實(shí)施例的方法后，htol可靠性驗(yàn)證通過，而且測(cè)試可靠，使閃存產(chǎn)品較短時(shí)間內(nèi)進(jìn)入客戶樣品量產(chǎn)階段。綜上所述，本發(fā)明所提供的一種閃存htol測(cè)試方法，對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除循環(huán)后，再進(jìn)行閃存htol可靠性驗(yàn)證，編譯和擦除循環(huán)會(huì)在閃存參考單元中引入電子，引入的電子在閃存htol可靠性驗(yàn)證過程存在丟失，進(jìn)而對(duì)空穴在htol測(cè)...

可靠性方案設(shè)計(jì)，HTOL測(cè)試服務(wù)。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告，上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測(cè)試方案。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號(hào)，非常方便HTOL Setup。寶山區(qū)本地HTOL測(cè)試機(jī)提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備...

提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技自主研發(fā)實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號(hào)，非常方便HT...

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自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)的HTOL測(cè)試機(jī)，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告。上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試部，提供芯片可靠性測(cè)試整體解決方案。怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)一般多少錢提供可靠性測(cè)試整體解決方...

上海頂策科技有限公司（Topictest）推出的TH801，智能在線監(jiān)控動(dòng)態(tài)老化設(shè)備，可以監(jiān)控的參數(shù)除了整板的電壓，電流，還可以根據(jù)需求，監(jiān)控到老化中每顆芯片的電壓、電流，寄存器數(shù)據(jù)，時(shí)間，頻率等諸多參數(shù)，并實(shí)時(shí)記錄保存成Excel文檔。這樣不僅可以確保每顆芯片都處于正常的老化狀態(tài)，保證老化測(cè)試的質(zhì)量，同時(shí)還可以清楚地知道具體失效的參數(shù)，以及在什么時(shí)間點(diǎn)失效等諸多信息，非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以監(jiān)控更多芯片參數(shù)，這使得免除ATE回測(cè)成為可能，這將大幅度提高老化測(cè)試效率，節(jié)省更多人力成本！這項(xiàng)技術(shù)目前已在對(duì)芯片質(zhì)量要求較高的芯片設(shè)計(jì)公司廣泛應(yīng)用。上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試部，提...

發(fā)明人檢查失效的原因，發(fā)現(xiàn)讀點(diǎn)失效為讀“0”失效，并且進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間有偏移，具體偏移量經(jīng)測(cè)試統(tǒng)計(jì)在4μa以內(nèi)，而且iref1＜iref0，即48小時(shí)后iref往電流變小的方向偏移。閃存測(cè)試中，若iref＞i，則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時(shí)，iref＞i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無法進(jìn)行識(shí)別時(shí)，讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗(yàn)證經(jīng)過***時(shí)間點(diǎn)例如48小時(shí)后，由于閃存參考單元的輸...

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芯片HTOL測(cè)試如何做到省力省心？上海頂策科技有限公司，提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。保證HTOL測(cè)試質(zhì)量，通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心...

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