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閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102，位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)，即為ono結(jié)構(gòu)。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編...

包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負(fù)電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負(fù)電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時減少浮柵104中的電子。上海...

提供可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告等一條龍服務(wù)。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,節(jié)省更多時間、F...

技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測試方法，以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。進(jìn)一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極，位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)...

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本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結(jié)合附圖和具體實施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1...

MIL-STD-883K-2016：穩(wěn)態(tài)反向偏置S級**少時間有240h到120h共6個級別；B級**少時間352h到12h共10個級別；K級**少時間從700h到320h共6個級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個級別；B級別最低溫度從100℃到250℃；K級最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B：穩(wěn)態(tài)正向偏置C：穩(wěn)態(tài)功率反向偏置D：并聯(lián)勵磁E：環(huán)形振蕩器F：溫度加速試驗————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：blog./qq_36671997/article/deta...

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芯片可靠性測試（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測試，用應(yīng)力（電壓、溫度等拉偏）加速的方式模擬芯片的長期運(yùn)行，評估芯片壽命和長期上電運(yùn)行的可靠性。廣電計量服務(wù)內(nèi)容：老化方案開發(fā)測試硬件設(shè)計ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗HTOL試驗方案：在要求點(如0、168、500、1000hr)進(jìn)行ATE測試，確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過程中的變化。對芯片覆蓋率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆蓋所有mem...

高溫工作壽命實驗（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測試目的：芯片處于高溫條件下，加入動態(tài)信號，并長時間工作，以評估其使用壽命，并確定其可靠性。測試條件：結(jié)溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測試時間：1000hrs樣品數(shù)：77ea/lot,3lots測試讀點：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD4...

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芯片ATE程序開發(fā)及FT測試FT（FinalTest）是芯片在封裝完成以后進(jìn)行的*終的功能和性能測試，是產(chǎn)品質(zhì)量控制*后環(huán)節(jié)，通過ATE+Handler+loadboard檢測并剔除封裝工藝和制造缺陷等生產(chǎn)環(huán)節(jié)問題的芯片。測試程序覆蓋功能和全pin性能參數(shù)，并補(bǔ)充CP未覆蓋的功能。服務(wù)內(nèi)容：老化方案開發(fā)測試硬件設(shè)計ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗在要求點(如0、168、500、1000 hr)進(jìn)行 ATE 測試，確定芯片是否OK, 記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過程中的變化。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率。如何選HTOL測試機(jī)推薦 ...

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發(fā)明人檢查失效的原因，發(fā)現(xiàn)讀點失效為讀“0”失效，并且進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時的測試值iref1與在初始的測試值iref0之間有偏移，具體偏移量經(jīng)測試統(tǒng)計在4μa以內(nèi)，而且iref1＜iref0，即48小時后iref往電流變小的方向偏移。閃存測試中，若iref＞i，則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時，iref＞i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無法進(jìn)行識別時，讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗證經(jīng)過***時間點例如48小時后，由于閃存參考單元的輸...

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我開始的時候認(rèn)為htons和htonl可以只用htonl代替但是后來發(fā)現(xiàn)這個是錯誤，會導(dǎo)致服務(wù)器端和客戶端連接不上。下面就讓我們看看他們：htons#include

4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 上海頂策科技TH801智能...

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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)...

4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 上海頂策科技TH801智能...

HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進(jìn)行，除了給器件合適的偏置與負(fù)載外，主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產(chǎn)品，溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗時間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進(jìn)行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進(jìn)行試驗，...

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進(jìn)一步的，對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極上施加***編程電壓，在所述漏極上施加第二編程電壓，在所述控制柵上施加第三編程電壓，在所述襯底上施加第四編程電壓；其中，所述***編程電壓小于所述第二編程電壓；所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的，所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓的范圍為～-1v。進(jìn)一步的，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。進(jìn)一步的，對所述閃存參考單元進(jìn)行擦除，包括：將所述源極和漏極均懸空，在所述控制柵上施加***擦除電壓，在所述襯底上施加第二擦除電壓；其中...

高效率HTOL自研設(shè)備，高質(zhì)量HTOL品質(zhì)保障，低成本HTOL測試方案。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測試機(jī)，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可以實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性；有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心?？煽啃詼y試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，可以滿足各類芯片可靠性測試需求。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能一體化HTOL測試機(jī)TH801實時監(jiān)測并記...