一種靶材拋光裝置100，包括：固定板200，所述固定板200包括頂板210和位于所述頂板210一側(cè)的側(cè)板220；拋光片300，位于所述固定板200內(nèi)側(cè)面上，其中位于固定板200彎折處的拋光片300呈弧狀。所述固定板200能夠起到支架的作用，以固定支撐所述拋光片...

靶材的雜質(zhì)含量。在經(jīng)過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度也是靶...

為什么需在真空中鍍膜？ 在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜，事實上，如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結(jié)果， 比如在10 2托數(shù)量級下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發(fā)灰、發(fā)黑，而且機械強度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破...

陶瓷靶材：ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化...

靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻...

陰-陽極間距對靶濺射電壓的影響：真空氣體放電陰-陽極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽極間距偏大時，等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定，反之，在陰-陽極間距偏小時，將會導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點火起輝后進(jìn)入正常濺射時...

作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述背板的材質(zhì)包括銅和/或鋁。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75-6mm；所述靶材表面的硬度為20-30hv；其中，所述靶材的比...

靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因...

靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響 ： 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材...

靶材安裝及注意事項有哪些？濺射靶材安裝過程中**重要的注意事項是一定要確保在靶材和濺射***冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會造成靶材安裝時發(fā)生開裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱性能就會受到很大的影響，導(dǎo)致在濺射過程中熱量無法散...

靶中毒現(xiàn)象：正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進(jìn)行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極的電...

作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的比較大厚度為28-30mm，例如可以是28mm、28.1mm、28.2mm、28.3mm、28.4mm、28.5mm、28.6mm、28.7mm、28.8mm、28.9mm、29mm、29.1mm、29.2mm、29.3mm、...

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增...

鋁鈧合金靶材（AlSc)，尺寸按需求定制，比列按需求定制，含鈧比較高能做到AlSc45wt%，質(zhì)量優(yōu)異，雜質(zhì)含量低，歡迎新老客戶來電咨詢洽談。江陰典譽新材料科技有限公司生產(chǎn)的金屬鈧，品質(zhì)優(yōu)異，**全球。鋁鈧合金生產(chǎn)歷史悠久，擁有豐富的經(jīng)驗，目前推出的鋁鈧合金靶...

磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直...

與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為10hv；所得靶材組件濺射強度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。對比例4與實施例1的區(qū)別 在于所述靶材表面的硬度為35hv；所得靶材組件濺射強度差，使得濺射過程中薄膜厚度不均勻，使用壽命減少。通過上述實施...

其他服務(wù):打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工服務(wù)?；厥樟鞒倘缦?稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品江陰典譽新材料科技有限公司，是專業(yè)從事鍍膜材料、合金制備等相關(guān)材料研發(fā)、銷售、服務(wù)為一體的全球化高科技綜合性公司。以業(yè)內(nèi) 企業(yè)為支撐，整合技術(shù)...

防護(hù)層為彈性材料，所述防護(hù)層的質(zhì)地軟，能夠在所述固定板及靶材間提供緩沖，避免所述固定板觸撞靶材導(dǎo)致靶材受損。具體實施方式：為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。一種靶材拋光裝置100，包括：固定板200...

靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進(jìn)行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極...

作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述背板的材質(zhì)包括銅和/或鋁。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.75-6mm；所述靶材表面的硬度為20-30hv；其中，所述靶材的比...

目前市場上常見的合金靶材有哪些？ 鈦鋁靶材,TiAl靶材，鈦硅靶材,TiSi靶材，鈦鎢靶材,TiW靶材，鎢鈦靶材WTi靶材，鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材，鉻鋁靶材,CrAl靶材，鉻硅靶材,CrSi靶材，硅鋁靶材,SiAl靶材，鋅錫靶材,ZnSn靶材，鋅鋁靶材,...

所得靶材組件濺射強度好，使得濺射過程中薄膜厚度均勻，使用壽命增加。實施例3提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.8mm；所述靶材表面的硬度為22hv；其中，所述靶材的比較大厚度為28mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對電學(xué)輸運影響較小且遷移率較高的特點。 ...

濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現(xiàn)：膜層外觀一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結(jié)構(gòu)不均勻；反應(yīng)氣體不足/不均勻；外層膜應(yīng)力大等。 （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配...

主要產(chǎn)品：1、鈀 顆粒 99.99%常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做2、鈀 靶材 99.99%?常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm*0.2...

主要產(chǎn)品：1、鈀 顆粒 99.99%常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做2、鈀 靶材 99.99%?常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm*0.2...

本實施例提供一種長壽命靶材組件，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為5.95mm；所述靶材表面的硬度為23hv；其中，所述靶材的比較大厚度為27mm；所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板；所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)；所述靶材包括用于濺射的濺射面；所述濺射面包括...

非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強化學(xué)氣相沉積(APCVD)、...

釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn；導(dǎo)電膠：采用的導(dǎo)電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍：建議綁定的靶材：ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、...

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認(rèn)為是制備低耗、理想的薄膜太陽能電池的材料。因此，如何制備多晶硅薄膜是一個非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用...